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公開番号2025103633
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-07-09
出願番号2023221154
出願日2023-12-27
発明の名称電気光学装置および電子機器
出願人セイコーエプソン株式会社
代理人弁理士法人旺知国際特許事務所
主分類G02F 1/1368 20060101AFI20250702BHJP(光学)
要約【課題】ゲート絶縁膜の損傷を抑制することができる電気光学装置、および電子機器を提供すること。
【解決手段】電気光学装置は、基板と、基板から遠ざかる方向に並ぶ、半導体層、ゲート絶縁膜、およびゲート電極を有するトランジスターと、トランジスターを覆う第1絶縁層と、第1絶縁層に設けられ、ゲート電極に接続される第1コンタクトと、第1絶縁層に設けられた第1遮光膜と、基板と半導体層との間に設けられた第2遮光膜と、を備え、第2遮光膜は、基板の法線方向に見て、半導体層と重なり、かつ、ゲート電極とは異なる位置に設けられる。
【選択図】図8
特許請求の範囲【請求項１】
基板と、
前記基板から遠ざかる方向に並ぶ、半導体層、ゲート絶縁膜、およびゲート電極を有するトランジスターと、
前記トランジスターを覆う第１絶縁層と、
前記第１絶縁層に設けられ、前記ゲート電極に接続される第１コンタクトと、
前記第１絶縁層に設けられた第１遮光膜と、
前記基板と前記半導体層との間に設けられた第２遮光膜と、を備え、
前記第２遮光膜は、前記基板の法線方向に見て、前記半導体層と重なり、かつ、前記ゲート電極とは異なる位置に設けられる、
ことを特徴とする電気光学装置。
続きを表示（約 1,200 文字）【請求項２】
前記第２遮光膜は、前記法線方向に見て、前記ゲート絶縁膜とは異なる位置に設けられる、
請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項３】
前記第２遮光膜は、前記法線方向に見て、前記ゲート電極を避けて前記ゲート電極の両側に設けられる、
請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項４】
前記第１コンタクトは、前記法線方向に見て、前記第２遮光膜と異なる位置に設けられる、
請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項５】
画像を表示する表示領域と、前記表示領域の外側に設けられる周辺領域とを備え、
前記周辺領域には、前記表示領域に配置される配線に電気的に接続される周辺回路を有し、
前記周辺回路は、前記トランジスター、前記第１コンタクト、前記第１遮光膜、および前記第２遮光膜を有する、
請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項６】
画像を表示する表示領域と、前記表示領域の外側に設けられる周辺領域とを備え、
前記周辺領域には、走査線に電気的に接続された走査線駆動回路が設けられており、
前記走査線駆動回路は、前記トランジスター、前記第１コンタクト、前記第１遮光膜、および前記第２遮光膜を有する、
請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項７】
前記表示領域には、第２トランジスターと、前記第１絶縁層と、第２コンタクトと、第３遮光膜と、第４遮光膜と、が設けられており、
前記第２トランジスターは、前記基板から遠ざかる方向に並ぶ、第２半導体層、第２ゲート絶縁膜、および第２ゲート電極を有し、
前記第２トランジスターは、前記トランジスターと同層に配置され、
前記第３遮光膜は、前記第１遮光膜と同層に配置され、
前記第４遮光膜は、前記第２遮光膜と同層に配置され、
前記第２コンタクトは、前記第１絶縁層に設けられ、前記第２ゲート電極に接続され、
前記第４遮光膜は、前記法線方向に見て前記半導体層を覆うように配置される、
請求項５に記載の電気光学装置。
【請求項８】
前記第１コンタクトは、前記第１絶縁層に形成された孔に充填されたコンタクトプラグである、
請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項９】
前記第２遮光膜は、前記ゲート電極と同電位である、
請求項１の記載の電気光学装置。
【請求項１０】
前記半導体層は、チャネル領域と、ドレイン領域と、前記ドレイン領域よりも不純物濃度の低い低濃度ドレイン領域とを有し、
前記第２遮光膜は、前記法線方向にみて前記低濃度ドレイン領域を覆うように設けられている、
請求項１に記載の電気光学装置。
（【請求項１１】以降は省略されています）
発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は、電気光学装置および電子機器に関する。
続きを表示（約 2,100 文字）【背景技術】
【０００２】
プロジェクター等の電子機器には、例えば、画素ごとに光学的特性を変更可能な液晶表示装置等の電気光学装置が用いられる。当該電気光学装置の例として、特許文献１に記載の電気光学装置が知られている。
【０００３】
特許文献１に記載の電気光学装置は、半導体層と、ゲート電極と、これらの間に設けられるゲート絶縁膜とを有するトランジスターを備える。当該トランジスターのゲート電極は、それより上層の層間絶縁膜に設けられた第１コンタクトホールに電気的に接続されている。また、当該トランジスターよりも下層には、遮光層が設けられている。当該遮光層は、平面視で、ゲート電極およびゲート絶縁膜と重なっている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
特開２０２０－１６０２０８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかし、遮光層がゲート絶縁膜と平面視で重なっている場合、第１コンタクトホールを形成するための孔を層間絶縁層にエッチングにより形成する際、当該エッチングによりゲート絶縁膜が破壊されるおそれがあった。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の電気光学装置の一態様は、基板と、前記基板から遠ざかる方向に並ぶ、半導体層、ゲート絶縁膜、およびゲート電極を有するトランジスターと、前記トランジスターを覆う第１絶縁層と、前記第１絶縁層に設けられ、前記ゲート電極に接続される第１コンタクトと、前記第１絶縁層に設けられた第１遮光膜と、前記基板と前記半導体層との間に設けられた第２遮光膜と、を備え、前記第２遮光膜は、前記基板の法線方向に見て、前記半導体層と重なり、かつ、前記ゲート電極とは異なる位置に設けられる。
【０００７】
本発明の電子機器の一態様は、電気光学装置と、前記電気光学装置の動作を制御する制御部と、を有する。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
実施形態に係る電気光学装置の平面図である。
図１に示す電気光学装置のＡ－Ａ線の断面図である。
図１の電気光学装置における周辺回路を模式的に示す図である。
図１の素子基板の電気的な構成を示す等価回路図である。
図２の表示領域における素子基板の一部を示している。
図４のＡ１―Ａ１線の断面図である。
図４のＡ２―Ａ２線の断面図である。
図３の周辺領域のうち走査線駆動回路の一部が図示される。
図８の単位回路が有するトランジスターの平面的な配置を示す図である。
図８の第２遮光膜と半導体層との平面的な配置を示す図である。
図８の第１遮光膜と第２遮光膜との平面的な配置を示す図である。
比較例におけるコンタクトホールのエッチングを説明するための図である。
本実施形態におけるコンタクトホールのエッチングを説明するための図である。
図６に示す第４遮光膜および第２トランジスターの平面的な配置を示す図である。
第２実施形態の第１遮光膜と第２遮光膜とを示す断面図である。
第２実施形態の第１遮光膜と第２遮光膜とを示す平面図である。
第３実施形態の第１遮光膜と第２遮光膜とを示す断面図である。
第３実施形態の第１遮光膜と第２遮光膜とを示す平面図である。
第１変形例の第１遮光膜を示す断面図である。
第２変形例の素子基板の表示領域の一部を示す図である。
第２変形例の素子基板の周辺領域の一部を示す図である。
電子機器の一例であるパーソナルコンピューターを示す斜視図である。
電子機器の一例であるスマートフォンを示す平面図である。
電子機器の一例であるプロジェクターを示す模式図である。
変形例の第４遮光膜および第２トランジスターの平面的な配置を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下、添付図面を参照しながら本発明に係る好適な実施形態を説明する。なお、図面において各部の寸法または縮尺は実際と適宜に異なり、理解を容易にするために模式的に示す部分もある。また、本発明の範囲は、以下の説明において特に本発明を限定する旨の記載がない限り、これらの形態に限られない。
【００１０】
Ａ．電気光学装置
１．基本構成
図１は、実施形態に係る電気光学装置１００の平面図である。図２は、図１に示す電気光学装置１００のＡ－Ａ線の断面図である。以下では、説明の便宜上、互いに直交するＸ軸、Ｙ軸およびＺ軸を適宜用いて説明する。また、Ｘ軸に沿う一方向をＸ１方向と表記し、Ｘ１方向とは反対の方向をＸ２方向と表記する。同様に、Ｙ軸に沿う一方向をＹ１方向と表記し、Ｙ１方向とは反対の方向をＹ２方向と表記する。Ｚ軸に沿う一方向をＺ１方向と表記し、Ｚ１方向とは反対の方向をＺ２方向と表記する。
（【００１１】以降は省略されています）

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