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公開番号2025101041
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-07-07
出願番号2023217594
出願日2023-12-25
発明の名称半導体装置、半導体装置の製造方法、及び半導体支持構造
出願人沖電気工業株式会社
代理人個人,個人,個人
主分類H01L 21/02 20060101AFI20250630BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】所望の機能を発揮できる半導体層を有する装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置は、複数の貫通孔を有する半導体層(1100)を備える。半導体層(1100)の第1辺(1130)に平行な第1方向に延在し、一部の貫通孔を通る直線を第1仮想線(I1)とし、一部の貫通孔を通り、第1仮想線(I1)に直交する第2方向に延在する直線を第2仮想線(I2)としたときに、半導体層(1100)は、第1仮想線(I1)上及び第2仮想線(I2)上の少なくとも一方において、複数の貫通孔のうちの隣り合う貫通孔が第1距離(L1)離れた第1領域(R1)と、隣り合う貫通孔が第1距離(L1)よりも長い第2距離(L2)離れた第2領域(R2)とを有し、第2領域(R2)は第1領域(R1)を挟んで少なくとも2つ存在する。
【選択図】図1

特許請求の範囲【請求項１】
基板と、
前記基板に設けられ、前記基板側の第１面と、前記第１面に反対側の第２面と、前記第１面から前記第２面に通ずる複数の貫通孔と、を有する半導体層と、
を備え、
前記半導体層の第１辺に平行な第１方向に延在し、前記複数の貫通孔のうちの一部の貫通孔を通る直線を第１仮想線とし、前記複数の貫通孔のうちの一部の貫通孔を通り、前記第１仮想線に直交する第２方向に延在する直線を第２仮想線としたとき、
前記半導体層は、前記第１仮想線上、及び、前記第２仮想線上の少なくとも一方において、前記複数の貫通孔のうちの隣り合う貫通孔で挟まれた第１距離離れた第１領域と、一端にのみ貫通孔が設けられ、前記一端に設けられた貫通孔から前記半導体層の端部までに、前記第１距離より長い第２距離を有する第２領域と、
を有する
ことを特徴とする半導体装置。
続きを表示（約 1,900 文字）【請求項２】
基板と、
前記基板に設けられ、前記基板側の第１面と、前記第１面に反対側の第２面と、前記第１面から前記第２面に通ずる複数の貫通孔と、を有する半導体層と、
を備え、
前記半導体層の第１辺に平行な第１方向に延在し、前記複数の貫通孔のうちの一部の貫通孔を通る直線を第１仮想線とし、前記複数の貫通孔のうちの一部の貫通孔を通り、前記第１仮想線に直交する第２方向に延在する直線を第２仮想線としたときに、
前記半導体層は、前記第１仮想線上、及び、前記第２仮想線上の少なくとも一方において、前記複数の貫通孔のうちの隣り合う貫通孔が第１距離離れた第１領域と、前記隣り合う貫通孔が前記第１距離よりも長い第２距離離れた第２領域と、を有し、
前記第２領域は、前記第１仮想線上、及び、前記第２仮想線上の少なくとも一方において、前記第１領域を挟んで少なくとも２つ存在する
ことを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
前記第２距離は、前記第１距離の２倍以上である
ことを特徴とする請求項１又は２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記半導体層は、
複数の素子単位領域と、
規則的に配列され、それぞれが前記貫通孔を含む複数の貫通孔単位領域と、
を有し、
前記複数の貫通孔単位領域は、前記複数の素子単位領域のうちの所定数の単位領域ごとの間隔で配置される
ことを特徴とする請求項１又は２に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記第２領域における前記第２距離は、前記第２方向における中央位置において最小であり、前記中央位置から離れるほど大きくなる
ことを特徴とする請求項１又は２に記載の半導体装置。
【請求項６】
前記半導体層は、窒化ガリウムを含む
ことを特徴とする請求項１又は２に記載の半導体装置。
【請求項７】
基板に設けられた半導体層に、前記基板側の第１面と、前記第１面に反対側の第２面と、前記第１面から前記第２面に通ずる複数の貫通孔を形成する工程と、
前記貫通孔を介してエッチャントを流入させることで、前記基板に設けられたエッチング層の一部を除去して支持部を形成する工程と、
前記支持部から前記半導体層を分離する工程と、
前記支持部から分離された前記半導体層を前記基板と異なる転写先基板に転写する工程と
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項８】
前記複数の貫通孔を形成する前記工程において、
前記半導体層の第１辺に平行な第１方向に延在し、前記複数の貫通孔のうちの一部の貫通孔を通る直線を第１仮想線とし、前記複数の貫通孔のうちの一部の貫通孔を通り、前記第１仮想線に直交する第２方向に延在する直線を第２仮想線としたときに、
前記第１仮想線上、及び、前記第２仮想線上の少なくとも一方において、前記複数の貫通孔のうちの隣り合う貫通孔で挟まれた第１距離離れた第１領域と、一端にのみ貫通孔が設けられ、前記一端に設けられた貫通孔から前記半導体層の端部までに、前記第１距離より長い第２距離を有する第２領域と、を形成する
ことを特徴とする請求項７に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項９】
前記複数の貫通孔を形成する前記工程において、
前記半導体層の第１辺に平行な第１方向に延在し、前記複数の貫通孔のうちの一部の貫通孔を通る直線を第１仮想線とし、前記複数の貫通孔のうちの一部の貫通孔を通り、前記第１仮想線に直交する第２方向に延在する直線を第２仮想線としたときに、
前記第１仮想線上、及び、前記第２仮想線上の少なくとも一方において、前記複数の貫通孔のうちの隣り合う貫通孔が第１距離離れた第１領域と、前記隣り合う貫通孔が前記第１距離よりも長い第２距離離れた第２領域と、を形成する
ことを特徴とする請求項７に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
前記半導体層を準備する前記工程は、
前記半導体層が、複数の素子単位領域と、規則的に配列され、それぞれが前記貫通孔を含む複数の貫通孔単位領域と、を有し、
前記複数の貫通孔単位領域が、前記複数の単位領域のうちの所定数の単位領域ごとの間隔で配置される、
ように実行される
ことを特徴とする請求項７に記載の半導体装置の製造方法。
（【請求項１１】以降は省略されています）
発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本開示は、半導体装置、半導体装置の製造方法、及び半導体支持構造に関する。
続きを表示（約 1,600 文字）【背景技術】
【０００２】
従来、第１の基板（成長基板）上に形成された機能素子を有する集積フィルムを、支持体（転写スタンプ）により第１の基板から剥がし、第２の基板（デバイス基板）上に貼り付ける（すなわち、転写する）技術が提案されている（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
特開２０２３－７４４２８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、上記従来の技術では、例えば、基板から半導体層（素子アレイ）を剥がすときに発生する応力又は反りによって、デバイス基板に転写された半導体層が所望の機能を発揮できない場合がある。
【０００５】
本開示は、所望の機能を発揮できる半導体装置、該半導体装置の製造方法、及び該製造方法で使用可能な半導体支持構造を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本開示の半導体装置は、基板と、前記基板に設けられ、前記基板側の第１面と、前記第１面に反対側の第２面と、前記第１面から前記第２面に通ずる複数の貫通孔と、を有する半導体層と、を備え、前記半導体層の第１辺に平行な第１方向に延在し、前記複数の貫通孔のうちの一部の貫通孔を通る直線を第１仮想線とし、前記複数の貫通孔のうちの一部の貫通孔を通り、前記第１仮想線に直交する第２方向に延在する直線を第２仮想線としたときに、前記半導体層は、前記第１仮想線上、及び、前記第２仮想線上の少なくとも一方において、前記複数の貫通孔のうちの隣り合う貫通孔で挟まれた第１距離離れた第１領域と、一端にのみ貫通孔が設けられ、前記一端に設けられた貫通孔から前記半導体層の端部までに、前記第１距離より長い第２距離を有する第２領域と、を有することを特徴とする。
【０００７】
本開示の他の半導体装置は、基板と、前記基板に設けられ、前記基板側の第１面と、前記第１面に反対側の第２面と、前記第１面から前記第２面に通ずる複数の貫通孔と、を有する半導体層と、を備え、前記半導体層の第１辺に平行な第１方向に延在し、前記複数の貫通孔のうちの一部の貫通孔を通る直線を第１仮想線とし、前記複数の貫通孔のうちの一部の貫通孔を通り、前記第１仮想線に直交する第２方向に延在する直線を第２仮想線としたときに、前記半導体層は、前記第１仮想線上、及び、前記第２仮想線上の少なくとも一方において、前記複数の貫通孔のうちの隣り合う貫通孔が第１距離離れた第１領域と、前記隣り合う貫通孔が前記第１距離よりも長い第２距離離れた第２領域と、を有し、前記第２領域は、前記第１仮想線上、及び、前記第２仮想線上の少なくとも一方において、前記第１領域を挟んで少なくとも２つ存在することを特徴とする。
【０００８】
本開示の半導体装置の製造方法は、基板に設けられた半導体層に、前記基板側の第１面と、前記第１面に反対側の第２面と、前記第１面から前記第２面に通ずる複数の貫通孔を形成する工程と、前記貫通孔を介してエッチャントを流入させることで、前記基板に設けられたエッチング層の一部を除去して支持部を形成する工程と、前記支持部から前記半導体層を分離する工程と、前記支持部から分離された前記半導体層を前記基板と異なる転写先基板に転写する工程とを有することを特徴とする。
【発明の効果】
【０００９】
本開示の半導体装置及び半導体支持構造によれば、半導体層の所望の機能を発揮することができる。
【００１０】
本開示の半導体装置の製造方法によれば、所望の機能を発揮することができる半導体層を有する半導体装置及び半導体支持構造を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
（【００１１】以降は省略されています）

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