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公開番号2025100997
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-07-04
出願番号2025073875,2023198843
出願日2025-04-28,2023-11-24
発明の名称半導体装置
出願人株式会社東芝,東芝デバイス&ストレージ株式会社
代理人個人
主分類H01L 21/52 20060101AFI20250627BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】カーケンダルボイドの発生を抑制し、信頼性の向上した半導体装置を提供するこ
とである。
【解決手段】実施形態の半導体装置は、第1導電部材と、前記第1導電部材の上の一部に
設けられたバリアメタルである第1導電膜と、前記第1導電膜の上に設けられた第1はん
だ材と、前記第1はんだ材の上に設けられた半導体素子と、前記半導体素子の上に設けら
れた第2はんだ材と、前記第2はんだ材を介して前記半導体素子と対向する第1領域を有
する第2導電部材と、前記第1導電部材の一部、前記第2導電部材、前記第1導電膜、前
記第1はんだ材、前記第2はんだ材及び前記半導体素子を封止する樹脂部と、前記第1導
電部材のうち、前記半導体素子が重なる領域の周辺に位置し、前記樹脂部と直接に接する
第1周辺領域と、を有する。
【選択図】 図3
特許請求の範囲【請求項1】
第1導電部材と、
前記第1導電部材の上の一部に設けられたバリアメタルである第1導電膜と、
前記第1導電膜の上に設けられた第1はんだ材と、
前記第1はんだ材の上に設けられた半導体素子と、
前記半導体素子の上に設けられた第2はんだ材と、
前記第2はんだ材を介して前記半導体素子と対向する第1領域を有する第2導電部材と

前記第1導電部材の一部、前記第2導電部材、前記第1導電膜、前記第1はんだ材、前
記第2はんだ材及び前記半導体素子を封止する樹脂部と、
前記第1導電部材のうち、前記半導体素子が重なる領域の周辺に位置し、前記樹脂部と
少なくとも一部で直接に接する第1周辺領域と、
を有する、半導体装置。
続きを表示(約 1,200 文字)【請求項2】
第1導電部材と、
前記第1導電部材の上の一部に設けられ、少なくともNiを含む第1導電膜と、
前記第1導電膜の上に設けられた第1はんだ材と、
前記第1はんだ材の上に設けられた半導体素子と、
前記半導体素子の上に設けられた第2はんだ材と、
前記第2はんだ材を介して前記半導体素子と対向する第1領域を有する第2導電部材と

前記第1導電部材の一部、前記第2導電部材、前記第1導電膜、前記第1はんだ材、前
記第2はんだ材及び前記半導体素子を封止する樹脂部と、
前記第1導電部材のうち、前記半導体素子が重なる領域の周辺に位置し、前記樹脂部と
少なくとも一部で直接に接する第1周辺領域と、
を有する、半導体装置。
【請求項3】
前記第1導電部材は、前記樹脂部から露出した第1露出部を有し、
前記第1周辺領域のうち前記第1露出部の近傍において、前記第1周辺領域と前記樹脂
部は直接に接する、
請求項1又は2に記載の半導体装置。
【請求項4】
前記第1はんだ材は、少なくともSnを含む、
請求項1又は2に記載の半導体装置。
【請求項5】
前記第1はんだ材は、質量パーセント濃度でSnを50%以上含む、
請求項4に記載の半導体装置。
【請求項6】
前記第1はんだ材は、Pb、Sb、Ni、Ag、Bi、Cu又はZnのいずれか少なく
とも1種類以上を含む、
請求項5に記載の半導体装置。
【請求項7】
前記第1領域と前記第2はんだ材との間の少なくとも一部に形成され、少なくともNi
を含む第2導電膜をさらに有する請求項1又は2に記載の半導体装置。
【請求項8】
前記第2導電部材は、
前記樹脂部から露出した第2露出部と、
前記第2導電部材の前記第2露出部と前記第1領域の間に設けられ、前記第1領域と
連続して形成された第2領域と、
前記第2露出部と連続して形成され、前記第2領域とは離間した第3領域と、
前記第2領域及び前記第3領域の間に設けられた第3はんだ材と、
前記第2領域と前記第3はんだ材の間の少なくとも一部に設けられた第3導電膜と、
前記第3領域と前記第3はんだ材の間の少なくとも一部に設けられた第4導電膜と、
をさらに有する、
請求項7に記載の半導体装置。
【請求項9】
前記第2導電膜は、前記第1領域と前記第1はんだ材の間から、前記第2領域と前記第
3はんだ材の間にわたって、前記第3導電膜と連続して形成された、
請求項8に記載の半導体装置。
【請求項10】
前記第1導電膜は、前記第1導電部材より拡散係数の小さい金属元素を含む、
請求項1又は2に記載の半導体装置。

発明の詳細な説明【技術分野】
【0001】
本発明の実施形態は、半導体装置に関する。
続きを表示(約 1,800 文字)【背景技術】
【0002】
半導体素子とダイパッド等の導電部材との接合は、はんだを用いてなされることがある
。例えば、はんだがSnを含む金属であり、ダイパッドがCuを含む金属である場合に、
異なる金属元素の間の相互拡散によって、ダイパッドにカーケンダルボイドが発生する恐
れがある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
特開2021-082694号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
本発明が解決しようとする課題は、カーケンダルボイドの発生を抑制し、信頼性の向上
した半導体装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【0005】
実施形態の半導体装置は、第1導電部材と、前記第1導電部材の上の一部に設けられた
バリアメタルである第1導電膜と、前記第1導電膜の上に設けられた第1はんだ材と、前
記第1はんだ材の上に設けられた半導体素子と、前記半導体素子の上に設けられた第2は
んだ材と、前記第2はんだ材を介して前記半導体素子と対向する第1領域を有する第2導
電部材と、前記第1導電部材の一部、前記第2導電部材、前記第1導電膜、前記第1はん
だ材、前記第2はんだ材及び前記半導体素子を封止する樹脂部と、前記第1導電部材のう
ち、前記半導体素子が重なる領域の周辺に位置し、前記樹脂部と直接に接する第1周辺領
域と、を有する。
【0006】
別の実施形態の半導体装置は、第1導電部材と、前記第1導電部材の上の一部に設けら
れ、少なくともNiを含む第1導電膜と、前記第1導電膜の上に設けられた第1はんだ材
と、前記第1はんだ材の上に設けられた半導体素子と、前記半導体素子の上に設けられた
第2はんだ材と、前記第2はんだ材を介して前記半導体素子と対向する第1領域を有する
第2導電部材と、前記第1導電部材の一部、前記第2導電部材、前記第1導電膜、前記第
1はんだ材、前記第2はんだ材及び前記半導体素子を封止する樹脂部と、前記第1導電部
材のうち、前記半導体素子が重なる領域の周辺に位置し、前記樹脂部と直接に接する第1
周辺領域と、を有する。
【図面の簡単な説明】
【0007】
第1実施形態に係る半導体装置101の斜視図である。
第1実施形態に係る半導体装置101の内部配線構造を示す斜視図である。
図2に示すA-A′線に沿った断面図である。
第1導電膜21と第1はんだ材31の位置関係を表した上面図である。
第1導電膜21と第1はんだ材31の位置関係を表した上面図である。
第1導電膜21と第1はんだ材31の位置関係を表した上面図である。
第2実施形態に係る半導体装置102の断面図である。
第1導電膜21と第1はんだ材31の位置関係を表した上面図である。
第3実施形態に係る半導体装置103の断面図である。
第4実施形態に係る半導体装置104の断面図である。
第5実施形態に係る半導体装置105の断面図である。
【発明を実施するための形態】
【0008】
以下に、本発明の各実施の形態について図面を参照しつつ説明する。
【0009】
なお、図面は模式的または概念的なものであり、各部分の厚みと幅との関係、部分間の
大きさの比率などは、必ずしも現実のものと同一とは限らない。また、同じ部分を表す場
合であっても、図面により互いの寸法や比率が異なって表される場合もある。
【0010】
例えば、本願明細書中に示される断面図において、積層構造が示されるものがあるが、
積層構造の各層の厚みの比率は現実のものと同一とは限らない。断面図中では一方の層が
他方の層より厚く図示されているような場合であっても、現実では一方の層と他方の層の
厚みは同程度である場合や、一方の層が他方の層よりも薄い場合などがあり得る。つまり
、本願明細書中の図面に示される厚みなどの寸法は現実のものとは異なる場合がある。
(【0011】以降は省略されています)

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