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公開番号2025038799
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-03-19
出願番号2023145624
出願日2023-09-07
発明の名称半導体製造装置
出願人株式会社東芝,東芝デバイス&ストレージ株式会社
代理人個人,個人,個人
主分類H01L 21/66 20060101AFI20250312BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】半導体ウェハの裏面に絶縁層があっても、半導体ウェハの電気的特性を測定することができる半導体製造装置を提供する。
【解決手段】本実施形態による半導体製造装置は、半導体ウェハを支持するステージを備えている。プローブカードが、ステージの上方に位置する。第1電極は、導電性材料で構成されており、ステージ上においてステージの外側から中心へ向かって可動であり、半導体ウェハの側面に接触することができる。
【選択図】図1
特許請求の範囲【請求項１】
半導体ウェハを支持するステージと、
前記ステージの上方に位置するプローブカードと、
導電性材料で構成され、前記ステージ上において前記ステージの外側から中心へ向かって可動であり、前記半導体ウェハの側面に接触可能な第１電極とを備える、半導体製造装置。
続きを表示（約 900 文字）【請求項２】
前記プローブカードは、前記ステージの上方から前記半導体ウェハへプローブを接触させ、
前記プローブと前記第１電極との間に電力を印加して前記半導体ウェハの電気特性を測定する測定部をさらに備える、請求項１に記載の半導体製造装置。
【請求項３】
前記半導体ウェハを載置する前記ステージの支持面に対して垂直方向における前記第１電極の厚みは、前記半導体ウェハの厚みよりも薄い、請求項１または請求項２に記載の半導体製造装置。
【請求項４】
前記ステージの支持面に対して垂直方向から見たときに、前記第１電極は、前記半導体ウェハとの接触面において前記半導体ウェハの外形に沿った形状を有する、請求項１または請求項２に記載の半導体製造装置。
【請求項５】
前記垂直方向から見たときに、前記第１電極の前記接触面は、略円弧形状を有する、請求項４に記載の半導体製造装置。
【請求項６】
前記半導体ウェハを載置する前記ステージの支持面に対して垂直方向から見たときに、前記第１電極との間で前記半導体ウェハを挟み込む第２電極をさらに備える、請求項１に記載の半導体製造装置。
【請求項７】
前記垂直方向における前記第１および第２電極の厚みは、前記半導体ウェハの厚みよりも薄い、請求項６に記載の半導体製造装置。
【請求項８】
非導電性材料で構成され前記第１電極上に設けられた絶縁層をさらに備える、請求項１に記載の半導体製造装置。
【請求項９】
前記半導体ウェハを載置する前記ステージの支持面に対して垂直方向から見たときに、前記第１電極との間で前記半導体ウェハを３方向から挟み込む第２電極および第３電極をさらに備え、
前記第1～第３電極は、ピン形状を有する、請求項１に記載の半導体製造装置。
【請求項１０】
前記半導体ウェハを支持する前記ステージの支持面に対して垂直方向における前記第１～第３電極の厚みは、前記半導体ウェハの厚みよりも薄い、請求項９に記載の半導体製造装置。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本実施形態は、半導体製造装置に関する。
続きを表示（約 1,500 文字）【背景技術】
【０００２】
半導体製造装置は、半導体ウェハを載置するステージにおいて、半導体ウェハの裏面と電気的に接続する場合がある。
【０００３】
しかし、半導体ウェハの裏面側に絶縁層が形成されると、ステージは半導体ウェハの基板と電気的に接続することができない。この場合、半導体製造装置において、半導体ウェハの電気的特性を測定することができない。
【０００４】
一方、半導体ウェハの裏面側の絶縁層を除去すると、半導体ウェハの表面応力と裏面応力との差が発生し、半導体ウェハが歪んでしまう。この場合、半導体製造工程において、半導体ウェハの搬送が困難となる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
特許第５４８９３５６号公報
特開２０１０－４０８５６号公報
特開２０１０－２５１６３２号公報
特開平４－３５７８４８号公報
実開平０１－０９７５５１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
半導体ウェハの裏面に絶縁層があっても、半導体ウェハの電気的特性を測定することができる半導体製造装置を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本実施形態による半導体製造装置は、半導体ウェハを支持するステージを備える。プローブカードが、ステージの上方に位置する。第１電極は、導電性材料で構成され、ステージ上においてステージの外側から中心へ向かって可動であり、半導体ウェハの側面に接触可能である。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
第１実施形態によるプロービング装置の構成例を示す図。
第１実施形態によるプロービング装置の動作例を示すフロー図。
ステージ上に載置される半導体ウェハの構成例を示す断面図。
ステージ上に載置される半導体ウェハの構成例を示す断面図。
半導体ウェハの検査工程後の半導体装置の製造工程を示す断面図。
図５に続く、半導体装置の製造工程を示す断面図。
図６に続く、半導体装置の製造工程を示す断面図。
図７に続く、半導体装置の製造工程を示す断面図。
図８に続く、半導体装置の製造工程を示す断面図。
第２実施形態によるクランプ電極の構成例を示す平面図。
第３実施形態によるクランプ電極の構成例を示す平面図。
第４実施形態によるクランプ電極の構成例を示す断面図。
第５実施形態によるクランプ電極の構成例を示す断面図。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下、図面を参照して本発明に係る実施形態を説明する。本実施形態は、本発明を限定するものではない。図面は模式的または概念的なものである。明細書と図面において、同一の要素には同一の符号を付す。
【００１０】
（第１実施形態）
図１は、第１実施形態によるプロービング装置の構成例を示す図である。プロービング装置１は、例えば、半導体試験装置等の半導体製造装置である。プロービング装置１は、ステージ１０と、プローブカード２０と、プローブ針２１と、クランプ電極３０ａ、３０ｂと、ステージ駆動部４０と、クランプ駆動部５０と、プローブカード駆動部５２と、搬送アーム駆動部５４と、制御部６０と、測定部７０と、搬送アーム８０とを備える。
（【００１１】以降は省略されています）

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