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公開番号2025036536
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-03-14
出願番号2024228323,2023218767
出願日2024-12-25,2011-06-13
発明の名称亀裂進展装置及び亀裂進展方法
出願人株式会社東京精密
代理人個人,個人,個人,個人
主分類H01L 21/301 20060101AFI20250306BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】被加工物の割断を良好に行えるようにする。
【解決手段】被加工物の内部の亀裂を進展させる亀裂進展装置であって、前記被加工物の裏面の研削が行われるときの給水を制御することにより前記亀裂の伸展度合いを変化させる亀裂進展手段を備える。
【選択図】図18
特許請求の範囲【請求項１】
被加工物の内部の亀裂を進展させる亀裂進展装置であって、
前記被加工物の裏面の研削が行われるときの給水を制御することにより前記亀裂の伸展度合いを変化させる亀裂進展手段を備える、
亀裂進展装置。
続きを表示（約 120 文字）【請求項２】
被加工物の内部の亀裂を進展させる亀裂進展方法であって、
前記被加工物の裏面の研削が行われるときの給水を制御することにより前記亀裂の伸展度合いを変化させる亀裂進展ステップを備える、
亀裂進展方法。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は、内部にレーザ光で改質領域を形成したウェーハを割断するための技術に関する。
続きを表示（約 1,400 文字）【背景技術】
【０００２】
特許文献１には、裏面を上向きにして載置された半導体基板にレーザを照射して基板内部に改質領域を形成し、半導体基板の裏面にエキスパンドテープを装着し、エキスパンドテープの上からナイフエッジを当てて改質領域を基点として基板を割ることで、半導体基板をチップに切断することが記載されている。
【０００３】
また、特許文献１には、裏面を上向きにして載置された半導体基板にレーザを照射して基板内部に改質領域を形成した後で基板を研削して薄くし、半導体基板の裏面にエキスパンドテープを装着し、エキスパンドテープを伸張させることで改質領域を基点として基板を割ることが記載されている。
【０００４】
特許文献２には、裏面を上向きにして載置された半導体基板にレーザを照射して基板内部に改質領域を形成することで半導体基板の厚さ方向に割れを発生させ、基板の裏面を研削及びケミカルエッチングすることで割れを裏面に露出させることで、半導体基板をチップに切断することが記載されている。そして、特許文献２には、自然に或いは比較的小さな力、例えば人為的な力や基板に温度差を与えることにより熱応力を発生させたりすることにより、改質領域から厚さ方向に割れが発生することが記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
特許３６２４９０９号公報
特許３７６２４０９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
特許文献１に記載の発明では、ナイフエッジにより局所的に外力を印加することで基板を割るが、この局所的に外力を印加するために曲げ応力やせん断応力を基板に付与させることになる。しかし、曲げ応力やせん断応力は基板全面に一様に分布させることは難しい。例えば、曲げ応力やせん断応力を基板にかける場合、どこか弱い点に応力が集中することになり、効率的に所望の部分に対して必要最低限の応力を一様に付与できない。
【０００７】
したがって、基板の割れにばらつきが生じ、割れが緩やかに進行しなかった場合には基板がチップ内においても破壊するという問題がある。また、基板を切断する部分に対して、局所的に順番に応力を与えて切断していく場合、例えば一枚の基板から多数のチップを収集する場合などでは、多数の切断ラインが存在するため、生産性が非常に低下するという問題がある。
【０００８】
また、外力を印加して基板を割る場合に、基板を薄く加工していない場合には、ウェーハを割る際に非常に大きい応力を必要とするという問題がある。
【０００９】
特にレーザ加工の改質深さ幅に対して、基板厚みが充分厚い場合は、外力を印加しても、急激な外力の影響によって、基板に対してきれいに垂直に割断できるとは限らない。そのため、いくつかレーザパルスを基板の厚み方向に多段に照射するなどが必要な場合がある。
【００１０】
また、特許文献１、２に記載の発明では、レーザの照射により基板内部に形成された改質領域は、最終的にチップ断面に残ることとなる。そのため、チップ断面の改質領域の部分から発塵する場合がある。また、チップ断面部分が局所的に破砕した結果、その破砕した断面がきっかけとなって、チップが破断する場合もある。その結果、チップの抗折強度は小さくなるという問題点がある。
（【００１１】以降は省略されています）

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