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公開番号2024172819
公報種別公開特許公報(A)
公開日2024-12-12
出願番号2023090811
出願日2023-06-01
発明の名称半導体装置の製造装置および半導体装置の製造方法
出願人三菱電機株式会社
代理人個人,個人
主分類G01R 31/26 20200101AFI20241205BHJP(測定;試験)
要約【課題】プローブ治具を用いた半導体チップの電気特性試験において、半導体チップ、プローブ治具、測定機器などがダメージを受けることを防止する。
【解決手段】試験システムは、複数のプローブピン(2p)を有するプローブ治具(2)と、複数のプローブピン(2p)のそれぞれに接続された複数の電流フォース線(3)および複数の電流センス線(4)と、複数の電流センス線(4)のそれぞれの電流値を測定する複数の電流モニタ(5)と、複数の電流フォース線(3)のそれぞれに接続した導通/遮断を切り替える複数の半導体スイッチ(6)とを備える。複数の半導体スイッチ(6)はゲートドライバ回路(8)により制御される。遮断要否判定回路(9)は、複数の電流モニタ(5)のそれぞれで測定された電流値が異常な値かどうかを判定し、異常な値の電流値が測定された電流フォース線(3)の半導体スイッチ(6)をオフ状態にする。
【選択図】図1
特許請求の範囲【請求項1】
半導体チップを搭載するステージと、
前記半導体チップに接触させる複数のプローブピンを有するプローブ治具と、
複数の前記プローブピンのそれぞれに接続された複数の電流フォース線および複数の電流センス線と、
複数の前記電流センス線のそれぞれの電流値を測定する複数の電流モニタと、
複数の前記電流フォース線のそれぞれに接続した導通/遮断を切り替える複数の半導体スイッチと、
複数の前記半導体スイッチのそれぞれのオン/オフを制御するゲートドライバ回路と、
複数の前記電流モニタのそれぞれで測定された電流値が異常な値かどうかを判定し、複数の前記電流モニタのいずれかで測定された電流値が異常な値と判定されると、異常な値の電流値が測定された前記電流フォース線の前記半導体スイッチをオフ状態にするように前記ゲートドライバ回路を制御する遮断要否判定回路と、
を備える試験システムを有する、
半導体装置の製造装置。
続きを表示(約 860 文字)【請求項2】
複数の前記電流モニタのいずれかで測定された電流値が異常な値と判定されると、アラームを発報する報知器をさらに備える、
請求項1に記載の半導体装置の製造装置。
【請求項3】
前記遮断要否判定回路は、複数の前記半導体スイッチのそれぞれをオン状態にするかオフ状態にするかの設定を記憶する記憶部を備える、
請求項1または請求項2に記載の半導体装置の製造装置。
【請求項4】
前記記憶部は、複数の前記半導体スイッチのそれぞれをオン状態にするかオフ状態にするかの設定を、前記半導体チップの品種ごとに記憶する、
請求項3に記載の半導体装置の製造装置。
【請求項5】
複数の前記プローブピンのそれぞれに対応して設けられ、複数の前記プローブピンのそれぞれが前記半導体チップに接触する位置を撮影する複数のチップ認識カメラをさらに備える、
請求項1または請求項2に記載の半導体装置の製造装置。
【請求項6】
前記遮断要否判定回路は、複数の前記電流モニタのそれぞれで測定された電流値が異常な値かどうかを判定するための閾値を、前記半導体チップの品種ごとに記憶する記憶部を備える、
請求項1または請求項2に記載の半導体装置の製造装置。
【請求項7】
前記遮断要否判定回路は、複数の前記チップ認識カメラが撮影した前記半導体チップの映像から、前記半導体チップの品種を識別し、複数の前記電流モニタのそれぞれで測定された電流値が異常な値かどうかを判定するための閾値を、前記半導体チップの品種に合わせて変更する、
請求項5に記載の半導体装置の製造装置。
【請求項8】
請求項1または請求項2に記載の半導体装置の製造装置を用いて、炭化珪素からなる前記半導体チップを形成する工程と、
前記試験システムを用いて前記半導体チップの電気特性試験を行う工程と、
を備える半導体装置の製造方法。

発明の詳細な説明【技術分野】
【0001】
本開示は、半導体装置の製造装置および半導体装置の製造方法に関する。
続きを表示(約 1,400 文字)【背景技術】
【0002】
半導体素子が形成された半導体チップに電流および電圧を印加して行われる電気特性試験のための治具として、半導体素子の電極(パッド)に接触させる複数のプローブピンを備えるプローブ治具が知られている(例えば、下記の特許文献1)。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
特開2010-205966号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
通常、プローブピンとパッドとの接触状態は、電気特性試験の前に確認されるが、電気特性試験中には監視されていない。そのため、電気特性試験中に特定のプローブピンまたは特定の電流経路に異常が生じても、それを検出できないまま試験が続行され、特定のプローブピンに電流が集中して流れることによって、半導体チップ、プローブ治具、測定機器などがダメージを受けることが懸念される。
【0005】
本開示は以上のような課題を解決するためになされたものであり、プローブ治具を用いた半導体チップの電気特性試験において、半導体チップ、プローブ治具、測定機器などがダメージを受けることを防止することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0006】
本開示に係る半導体装置の製造装置は、半導体チップを搭載するステージと、前記半導体チップに接触させる複数のプローブピンを有するプローブ治具と、複数の前記プローブピンのそれぞれに接続された複数の電流フォース線および複数の電流センス線と、複数の前記電流センス線のそれぞれの電流値を測定する複数の電流モニタと、複数の前記電流フォース線のそれぞれに接続した導通/遮断を切り替える複数の半導体スイッチと、複数の前記半導体スイッチのそれぞれのオン/オフを制御するゲートドライバ回路と、複数の前記電流モニタのそれぞれで測定された電流値が異常な値かどうかを判定し、複数の前記電流モニタのいずれかで測定された電流値が異常な値と判定されると、異常な値の電流値が測定された前記電流フォース線の前記半導体スイッチをオフ状態にするように前記ゲートドライバ回路を制御する遮断要否判定回路と、を備える試験システムを有する。
【発明の効果】
【0007】
本開示によれば、異常な電流経路が分離され、特定のプローブピンに電流が集中することが防止されるため、半導体チップ、プローブ治具、測定機器などがダメージを受けることが防止される。
【図面の簡単な説明】
【0008】
実施の形態1に係る半導体装置の試験システムの構成を示す図である。
プローブピンごとの電流の立ち上がり波形の例を示す図である。
実施の形態2に係る半導体装置の試験システムの構成を示す図である。
実施の形態4に係る半導体装置の試験システムの構成を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【0009】
<実施の形態1>
図1は、実施の形態1に係る半導体装置の試験システムの構成を示す図である。
【0010】
図1に示すように、当該試験システムは、電気特性試験の対象である半導体チップ30を搭載するステージ1と、半導体チップ30に接触する複数のプローブピン2pを有するプローブ治具2とを備える。
(【0011】以降は省略されています)

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