特許ウォッチ

公開番号2024117397
公報種別公開特許公報(A)
公開日2024-08-29
出願番号2023023471
出願日2023-02-17
発明の名称半導体装置の製造方法
出願人株式会社デンソー,トヨタ自動車株式会社,株式会社ミライズテクノロジーズ
代理人弁理士法人快友国際特許事務所
主分類G03F 7/20 20060101AFI20240822BHJP(写真;映画;光波以外の波を使用する類似技術;電子写真;ホログラフイ)
要約【課題】レジストパターンが倒れることを防止しつつ、半導体装置の製造コストの上昇を抑制するための技術を提供すること。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、半導体基板(10)の上に下地層(20,120,220,320,420)を形成する工程と、前記下地層(20)に凹部(24,124,224,324,424)と凸部(22,122,222,322,422)が交互に繰り返すように複数の凹部と凸部を形成する工程と、マスク部(37)と開口部(38)を有するレジストパターン(36)を形成する工程であって、前記凹部と前記凸部のいずれか一方である補強部に沿って前記マスク部が伸びるとともに前記マスク部が前記補強部を覆うように前記レジストパターンを形成する工程と、前記レジストパターンを介して前記半導体基板にイオンを注入する工程と、を備える。
【選択図】図6
特許請求の範囲【請求項１】
半導体装置の製造方法であって、
半導体基板（１０）の上に下地層（２０，１２０，２２０，３２０，４２０）を形成する工程と、
前記下地層（２０）に凹部（２４，１２４，２２４，３２４，４２４）と凸部（２２，１２２，２２２，３２２，４２２）が交互に繰り返すように複数の凹部と凸部を形成する工程と、
マスク部（３７）と開口部（３８）を有するレジストパターン（３６）を形成する工程であって、前記凹部と前記凸部のいずれか一方である補強部に沿って前記マスク部が伸びるとともに前記マスク部が前記補強部を覆うように前記レジストパターンを形成する工程と、
前記レジストパターンを介して前記半導体基板にイオンを注入する工程と、
を備える製造方法。
続きを表示（約 500 文字）【請求項２】
前記レジストパターンを形成する前記工程は、
前記下地層の上にレジスト層（３０）を形成する工程と、
前記レジスト層の一部に光を照射して露光部（３４）を形成する工程と、
前記レジスト層に現像液（５０）を塗布して前記露光部を除去することによって前記開口部を形成する工程と、
前記半導体基板を回転させて前記現像液を除去する工程と、
を備える、請求項１に記載の製造方法。
【請求項３】
前記補強部が、前記凹部（１２４）であり、
前記凹部の底面に、前記半導体基板が露出している、
請求項１に記載の製造方法。
【請求項４】
イオンを注入する前記工程における阻止能が、前記下地層で前記レジストパターンよりも低い、請求項１に記載の製造方法。
【請求項５】
前記半導体基板は、シリコンとは異なる素材によって構成されており、
前記下地層は、シリコンによって構成されており、
イオンを注入する前記工程では、前記下地層でチャネリングが生じる角度でイオンを注入する、請求項４に記載の製造方法。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本明細書が開示する技術は、半導体装置の製造方法に関する。
続きを表示（約 1,800 文字）【背景技術】
【０００２】
特許文献１には、半導体装置の製造方法が開示されている。この製造方法では、半導体基板上にレジストパターンを形成する。レジストパターンは、ラインパターンと、島状に複数設けられた倒れ防止パターンと、を有する。ラインパターンは、イオン注入の際にマスクとして使用される。倒れ防止パターンは、ラインパターンの隣に配置されており、ラインパターンが倒れることを防止する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
特開２０１８－１９８２９５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
特許文献１の技術では、ラインパターンの隣に倒れ防止パターンを形成するための領域を確保する必要がある。従って、半導体基板上に倒れ防止パターンが形成されない場合と比較して、１個の半導体基板から製造可能な半導体素子の数が少なくなる。即ち、半導体装置の製造コストが上昇する。本明細書では、レジストパターンが倒れることを防止しつつ、半導体装置の製造コストの上昇を抑制するための技術を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本明細書は、半導体装置の製造方法を開示する。製造方法は、半導体基板（１０）の上に下地層（２０，１２０，２２０，３２０，４２０）を形成する工程と、前記下地層（２０）に凹部（２４，１２４，２２４，３２４，４２４）と凸部（２２，１２２，２２２，３２２，４２２）が交互に繰り返すように複数の凹部と凸部を形成する工程と、マスク部（３７）と開口部（３８）を有するレジストパターン（３６）を形成する工程であって、前記凹部と前記凸部のいずれか一方である補強部に沿って前記マスク部が伸びるとともに前記マスク部が前記補強部を覆うように前記レジストパターンを形成する工程と、前記レジストパターンを介して前記半導体基板にイオンを注入する工程を備える。
【０００６】
上記の構成によると、補強部に沿ってマスク部が伸びるとともにマスク部が補強部を覆うようにレジストパターンが形成される。このために、補強部によってマスク部の基礎部分が補強されるので、マスク部が倒れることが防止される。また、マスク部が補強部に重なるので、補強部を形成するための領域をマスク部の隣に確保する必要がない。このために、半導体装置の製造コストの上昇が抑制される。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
下地層形成工程を説明するための図である。
凹凸形成工程を説明するための図である。
レジスト層形成工程を説明するための図である。
露光工程を説明するための図である。
露光部除去工程を説明するための図である。
実施例１のレジストパターンが形成された状態の上面図を示す。
現像液除去工程を説明するための図である。
イオン注入工程を説明するための図である。
下地層除去工程を説明するための図である。
下地層酸化工程を説明するための図である。
実施例２のレジストパターンが形成された半導体基板の断面図を示す。
実施例２のレジストパターンが形成された状態の上面図を示す。
実施例３のレジストパターンが形成された状態の上面図を示す。
実施例４のレジストパターンが形成された状態の上面図を示す。
実施例５のレジストパターンが形成された状態の上面図を示す。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
本明細書が開示する一例の製造方法では、前記レジストパターンを形成する前記工程は、前記下地層の上にレジスト層（３０）を形成する工程と、前記レジスト層の一部に光を照射して露光部（３４）を形成する工程と、前記レジスト層に現像液（５０）を塗布して前記露光部を除去することによって前記開口部を形成する工程と、前記半導体基板を回転させて前記現像液を除去する工程を備えてもよい。
【０００９】
この構成によれば、半導体基板を回転させる際にマスク部に遠心力が作用しても、補強部によってマスク部の倒れを抑制することができる。
【００１０】
本明細書が開示する一例の製造方法では、前記補強部が、前記凹部（１２４）であり、前記凹部の底面に、前記半導体基板が露出していてもよい。
（【００１１】以降は省略されています）

関連特許