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公開番号2024034556
公報種別公開特許公報(A)
公開日2024-03-13
出願番号2022138866
出願日2022-08-31
発明の名称多層膜および多層膜の製造方法
出願人株式会社FLOSFIA
代理人
主分類C30B 29/16 20060101AFI20240306BHJP(結晶成長)
要約【課題】厚さ方向に沿って延びる転位が低減された多層膜およびこのような多層膜の比較的歩留まりに優れた製造方法を提供する
【課題解決手段】多層膜は、ストライプ状の凹凸を主面に有し、前記凹凸がa軸方向に配列されている第1結晶層と、前記第1結晶層上に位置し、前記凹凸と接する第2結晶層と、を備える。前記第1結晶層および前記第2結晶層は、コランダム構造を有し、ガリウムを含む結晶性酸化物を含む。
【選択図】図2
特許請求の範囲【請求項１】
ストライプ状の凹凸を主面に有し、前記凹凸がａ軸方向に配列されている第１結晶層と、
前記第１結晶層上に位置し、前記凹凸と接する第２結晶層と、を備え、
前記第１結晶層および前記第２結晶層は、コランダム構造を有し、ガリウムを含む結晶性酸化物を含む多層膜。
続きを表示（約 800 文字）【請求項２】
ストライプ状の凹凸を主面に有し、前記凹凸がｃ軸方向に配列されている第１結晶層と、
前記第１結晶層上に位置し、前記凹凸と接する第２結晶層と、を備え、
前記第１結晶層および前記第２結晶層は、同じ導電型であり、コランダム構造を有し、ガリウムを含む結晶性酸化物を含む多層膜。
【請求項３】
ストライプ状の凹凸を主面に有し、前記凹凸が凹部と凸部とを含む第１結晶層と、
前記第１結晶層上に位置し、前記凹凸と接する第２結晶層と、を備え、
前記第１結晶層および前記第２結晶層は、コランダム構造を有し、ガリウムを含む結晶性酸化物を含み、
前記凹部の幅の半分の長さを前記凹部の深さで割った値は、４より小さい多層膜。
【請求項４】
前記凹凸の凹部の深さは、前記凹部の幅に対する比が０．１２以上２．０未満である請求項１から３のいずれかに記載の多層膜。
【請求項５】
前記凹凸の凹部の幅は、相互に隣り合う前記凹部の間の距離に対する比が１以上である請求項１から３のいずれかに記載の多層膜。
【請求項６】
前記凹凸の凹部の底面は、ｍ面である請求項１から３のいずれかに記載の多層膜。
【請求項７】
前記凹凸の凹部の側面は、ａ面である請求項１または３に記載の多層膜。
【請求項８】
前記凹凸の凹部の側面は、ｃ面である請求項２または３に記載の多層膜。
【請求項９】
前記凹凸の凹部の側面は、前記凹凸の凸部の上面との角度が６０度以上である請求項１から３のいずれかに記載の多層膜。
【請求項１０】
前記第１結晶層および前記第２結晶層は、エピタキシャル成長膜である請求項１から３のいずれかに記載の多層膜。
（【請求項１１】以降は省略されています）
発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本開示は、多層膜および多層膜の製造方法に関する。
続きを表示（約 1,200 文字）【背景技術】
【０００２】
特許文献１には、結晶基板の結晶成長面上に、直接または他の層を介して、凹部または凸部からなる凹凸部が形成されており、前記凹凸部上に、エピタキシャル層が形成されている結晶性積層構造体であって、前記エピタキシャル層が、コランダム構造を有する結晶性半導体を主成分として含む結晶性積層構造体が開示されている。
【０００３】
特許文献２には、ａ軸方向に伸びているストライプ状のＥＬＯマスクを基板表面に配列したｍ面サファイア基板を用いて、供給律速にしてＥＬＯ成膜をすることが開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
特許第６９４５１１９号
国際公開第２０２０－００４２５０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
コランダム構造を有し、ガリウムを含む結晶性酸化物を基板上にヘテロエピタキシャル成長させると、得られた膜中に、厚さ方向に沿って延びる転位が複数生じるおそれがあった。このような転位を有する膜の上に、ホモエピタキシャル成長させて多層膜とすると、当該膜中にも厚さ方向に沿って延びる転位が複数生じるおそれがあった。
【０００６】
一方、ＥＬＯマスクを用いた場合、当該ＥＬＯマスクが得られた膜に埋め込まれている状態となり、得られた膜の下端の一部と共に除去する必要があった。
【０００７】
本開示は、厚さ方向に沿って延びる転位が低減された多層膜およびこのような多層膜の比較的歩留まりに優れた製造方法を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記課題を解決するために、本開示の一態様においては、多層膜は、ストライプ状の凹凸を主面に有し、前記凹凸がａ軸方向に配列されている第１結晶層と、前記第１結晶層上に位置し、前記凹凸と接する第２結晶層と、を備える。前記第１結晶層および前記第２結晶層は、コランダム構造を有し、ガリウムを含む結晶性酸化物を含む。
【０００９】
上記課題を解決するために、本開示の一態様においては、多層膜は、ストライプ状の凹凸を主面に有し、前記凹凸がｃ軸方向に配列されている第１結晶層と、前記第１結晶層上に位置し、前記凹凸と接する第２結晶層と、を備える。前記第１結晶層および前記第２結晶層は、同じ導電型であり、コランダム構造を有し、ガリウムを含む結晶性酸化物を含む。
【００１０】
上記課題を解決するために、本開示の一態様においては、多層膜は、ストライプ状の凹凸を主面に有し、前記凹凸が凹部と凸部とを含む第１結晶層と、前記第１結晶層上に位置し、前記凹凸と接する第２結晶層と、を備える。前記第１結晶層および前記第２結晶層は、コランダム構造を有し、ガリウムを含む結晶性酸化物を含み、前記凹部の幅の半分の長さを前記凹部の深さで割った値は、４より小さい。
（【００１１】以降は省略されています）

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