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公開番号2024038313
公報種別公開特許公報(A)
公開日2024-03-19
出願番号2024002053,2020532458
出願日2024-01-10,2019-07-25
発明の名称SiCウエハの製造方法
出願人東洋炭素株式会社
代理人個人
主分類C30B 29/36 20060101AFI20240312BHJP(結晶成長)
要約【課題】少ないエッチング量で加工変質層を十分に除去することができるSiCウエハの製造方法を提供する。
【解決手段】SiCウエハ(40)の製造方法では、SiCウエハ(40)の表面及びその内部に生じた加工変質層を除去する加工変質層除去工程を行って、当該加工変質層の少なくとも一部が除去されたSiCウエハ(40)を製造する。加工変質層除去工程では、酸化剤を用いてSiCウエハ(40)に反応生成物を生成させつつ、砥粒を用いて当該反応生成物を除去された研磨工程後のSiCウエハ(40)に対して、Si蒸気圧下の加熱によるエッチング量が10μm以下のエッチングを行うことで加工変質層が除去される。研磨工程後のSiCウエハ(40)には、加工変質層に起因して当該加工変質層よりも内部に内部応力が生じており、加工変質層除去工程で当該加工変質層を除去することでSiCウエハ(40)の内部応力が低減される。
【選択図】図2
特許請求の範囲【請求項１】
ＳｉＣウエハの表面及びその内部に生じた加工変質層を除去する加工変質層除去工程を行って、当該加工変質層の少なくとも一部が除去されたＳｉＣウエハを製造する方法において、
前記加工変質層除去工程では、酸化剤を用いて前記ＳｉＣウエハに反応生成物を生成させつつ、砥粒を用いて当該反応生成物を除去することにより表面が研磨された研磨後ウエハに対して、Ｓｉ蒸気圧下の加熱によるエッチング量が１０μｍ以下のエッチングを行うことで前記加工変質層が除去され、
前記研磨後ウエハには、前記加工変質層に起因して当該加工変質層よりも内部に応力が生じており、前記加工変質層除去工程で当該加工変質層を除去することで前記ＳｉＣウエハの内部応力が低減されることを特徴とする加工変質層が除去されたＳｉＣウエハの製造方法。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は、主として、加工変質層が除去されたＳｉＣウエハを製造する方法に関する。
続きを表示（約 1,600 文字）【背景技術】
【０００２】
特許文献１には、ＳｉＣウエハに例えば機械研磨を行うことで、ＳｉＣウエハの表面に研磨傷が生じるとともに、その内部に潜傷が生じることが記載されている。また、特許文献１では、Ｓｉ蒸気圧下で加熱を行ってＳｉＣウエハの表面をエッチングすることで、潜傷を除去する方法が記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
国際公開第２０１５／１５１４１３号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ここで、潜傷等の加工変質層を特許文献１のようにエッチングによって除去する場合、少ないエッチング量で加工変質層を除去することが好ましい。なぜなら、エッチング量を少なくすることで、加工変質層の除去に必要な時間が低減されるとともに、素材としての単結晶ＳｉＣを効率良く利用でき、更に、エッチングを行うための処理装置の劣化を軽減できるからである。
【０００５】
本発明は以上の事情に鑑みてされたものであり、その主要な目的は、少ないエッチング量で加工変質層を十分に除去することができるＳｉＣウエハの製造方法を提供することにある。
【発明の概要】
課題を解決するための手段及び効果
【０００６】
本発明の解決しようとする課題は以上の如くであり、次にこの課題を解決するための手段とその効果を説明する。
【０００７】
本発明の観点によれば、以下のＳｉＣウエハの製造方法が提供される。即ち、このＳｉＣウエハの製造方法では、ＳｉＣウエハの表面及びその内部に生じた加工変質層を除去する加工変質層除去工程を行って、当該加工変質層の少なくとも一部が除去されたＳｉＣウエハを製造する。前記加工変質層除去工程では、酸化剤を用いて前記ＳｉＣウエハに反応生成物を生成させつつ、砥粒を用いて当該反応生成物を除去することにより表面が研磨された研磨後ウエハに対して、Ｓｉ蒸気圧下の加熱によるエッチング量が１０μｍ以下のエッチングを行うことで前記加工変質層が除去される。前記研磨後ウエハには、前記加工変質層に起因して当該加工変質層よりも内部に応力が生じており、前記加工変質層除去工程で当該加工変質層を除去することでＳｉＣウエハの内部応力が低減される。
【０００８】
酸化剤を用いて生成した比較的軟らかい反応生成物を砥粒を用いて除去するため、他の方法で研磨を行う場合と比較して、加工変質層が生じにくくなる。そのため、エッチング量が１０μｍ以下であっても加工変質層を十分に除去することができる。また、従来と比較してエッチング量が少なくなるため、処理に必要な時間を低減できるとともに、処理装置への負荷も低減できる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
本発明の一実施形態に係るＳｉ蒸気圧エッチングで用いる高温真空炉の概要を説明する図。
本実施形態のＳｉＣウエハの製造工程を模式的に示す図。
研磨工程で使用される研磨装置の構成を示す斜視図。
研磨工程後のＳｉＣウエハに生じている加工変質層及び応力層が加工変質層除去工程により除去されることを説明する図。
研磨工程後のＳｉＣウエハと加工変質層除去工程後のＳｉＣウエハのスクラッチマップを示す図。
加工変質層除去工程でのエッチング量が異なるそれぞれのＳｉＣウエハについてのスクラッチマップを示す図。
研磨工程後のＳｉＣウエハの表面粗さと加工変質層除去工程後のスクラッチの量とを比較する図。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
次に、図面を参照して本発明の実施形態を説明する。初めに、図１を参照して、本実施形態のＳｉＣウエハの製造方法等で用いる高温真空炉１０について説明する。
（【００１１】以降は省略されています）

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