特許ウォッチ

公開番号2023177668
公報種別公開特許公報(A)
公開日2023-12-14
出願番号2022090460
出願日2022-06-02
発明の名称SiC基板及びSiCインゴット
出願人株式会社レゾナック・ホールディングス
代理人個人,個人,個人
主分類C30B 29/36 20060101AFI20231207BHJP(結晶成長)
要約【課題】レーザー加工時に加工しやすい、SiC基板及びSiCインゴットを提供することを目的とする。
【解決手段】本実施形態にかかるSiC基板は、中心及び前記中心から[11-20]方向又は[-1-120]方向に10mmずつ離れた複数の測定点を含む複数の第1測定点のうちの隣接する任意の2つの測定点において、波長が1064nmの光に対する吸収係数の差が0.25cm^-1以下である。
【選択図】図1
特許請求の範囲【請求項１】
中心及び前記中心から［１１－２０］方向又は［－１－１２０］方向に１０ｍｍずつ離れた複数の測定点を含む複数の第１測定点のうちの隣接する任意の２つの測定点において、波長が１０６４ｎｍの光に対する吸収係数の差が０．２５ｃｍ
－１
以下である、ＳｉＣ基板。
続きを表示（約 700 文字）【請求項２】
前記複数の第１測定点のそれぞれから［１－１００］方向又は［－１１００］方向に１０ｍｍずつ離れた複数の第２測定点をさらに有し、
前記複数の第１測定点及び前記複数の第２測定点のうち任意の隣接する２つの測定点において、波長が１０６４ｎｍの光に対する吸収係数の差が０．２５ｃｍ
－１
以下である、請求項１に記載のＳｉＣ基板。
【請求項３】
１０ｍｍ離れた任意の２つの測定点において、波長が１０６４ｎｍの光に対する吸収係数の差が０．２５ｃｍ
－１
以下である、請求項１に記載のＳｉＣ基板。
【請求項４】
直径が１４９ｍｍ以上である、請求項１に記載のＳｉＣ基板。
【請求項５】
直径が１９９ｍｍ以上である、請求項１に記載のＳｉＣ基板。
【請求項６】
波長が１０６４ｎｍの光に対する吸収係数の最大値が３．００ｃｍ
－１
以下である、請求項１に記載のＳｉＣ基板。
【請求項７】
波長が１０６４ｎｍの光に対する吸収係数の最大値が２．７５ｃｍ
－１
以下である、請求項１に記載のＳｉＣ基板。
【請求項８】
ＳｉＣ基板を切り出し、その切断面を評価した際に、中心及び前記中心から［１１－２０］方向又は［－１－１２０］方向に１０ｍｍずつ離れた複数の測定点を含む複数の第１測定点のうちの任意の隣接する２つの測定点において、波長が１０６４ｎｍの光に対する吸収係数の差が０．２５ｃｍ
－１
以下である、ＳｉＣインゴット。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＳｉＣ基板及びＳｉＣインゴットに関する。
続きを表示（約 1,300 文字）【背景技術】
【０００２】
炭化珪素（ＳｉＣ）は、シリコン（Ｓｉ）に比べて絶縁破壊電界が１桁大きく、バンドギャップが３倍大きい。また、炭化珪素（ＳｉＣ）は、シリコン（Ｓｉ）に比べて熱伝導率が３倍程度高い等の特性を有する。そのため炭化珪素（ＳｉＣ）は、パワーデバイス、高周波デバイス、高温動作デバイス等への応用が期待されている。このため、近年、上記のような半導体デバイスにＳｉＣエピタキシャルウェハが用いられるようになっている。
【０００３】
ＳｉＣエピタキシャルウェハは、ＳｉＣ基板の表面にＳｉＣエピタキシャル層を積層することで得られる。以下、ＳｉＣエピタキシャル層を積層前の基板をＳｉＣ基板と称し、ＳｉＣエピタキシャル層を積層後の基板をＳｉＣエピタキシャルウェハと称する。ＳｉＣ基板は、ＳｉＣインゴットから切り出される。
【０００４】
特許文献１には、結晶成長中の結晶欠陥を避けるために、周辺領域と内側領域との間の平均吸収係数の差を１０ｃｍ
－１
以下としたＳｉＣ基板が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
特表２０２０－５１１３９１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
近年、ＳｉＣ単結晶をレーザーで加工することが行われている。例えば、レーザーでＳｉＣ単結晶にクラックを入れることで、ＳｉＣ単結晶を分割できる。例えば、ＳｉＣインゴットからＳｉＣ基板を切り出す際、ＳｉＣ基板からさらに薄い基板を切り出す際、ＳｉＣ基板をチップ化する際に、レーザー加工が用いられている。レーザー加工は、ワイヤーソーを用いた加工より切削損失が少ないという利点を有するが、切断面の粗さが粗くなる場合や予期せぬ割れが生じる場合がある。
【０００７】
本発明は上記問題に鑑みてなされたものであり、レーザー加工時に加工しやすい、ＳｉＣ基板及びＳｉＣインゴットを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明者らは、レーザー光に対する吸収係数が局所的に大きく変化することのないＳｉＣ基板及びＳｉＣインゴットを作製し、これを用いることで加工成功率が高まることを見出した。本発明は、上記課題を解決するため、以下の手段を提供する。
【０００９】
（１）第１の態様にかかるＳｉＣ基板は、中心及び前記中心から［１１－２０］方向又は［－１－１２０］方向に１０ｍｍずつ離れた複数の測定点を含む複数の第１測定点のうちの隣接する任意の２つの測定点において、波長が１０６４ｎｍの光に対する吸収係数の差が０．２５ｃｍ
－１
以下である。
【００１０】
（２）上記態様にかかるＳｉＣ基板は、前記複数の第１測定点のそれぞれから［－１１００］方向又は［１－１００］方向に１０ｍｍずつ離れた複数の第２測定点をさらに有し、前記複数の第１測定点及び前記複数の第２測定点のうち隣接する任意の２つの測定点において、波長が１０６４ｎｍの光に対する吸収係数の差が０．２５ｃｍ
－１
以下でもよい。
（【００１１】以降は省略されています）

関連特許