TOP
|
特許
|
意匠
|
商標
特許ウォッチ
Twitter
他の特許を見る
公開番号
2025119323
公報種別
公開特許公報(A)
公開日
2025-08-14
出願番号
2024014163
出願日
2024-02-01
発明の名称
石英ルツボの評価方法
出願人
信越半導体株式会社
代理人
個人
,
個人
,
個人
主分類
G01N
21/65 20060101AFI20250806BHJP(測定;試験)
要約
【課題】評価対象の石英ルツボから切り出したサンプルをラマン分光法によって評価する際に、サンプルから発生する蛍光を抑制し、サンプルの結晶化度を正確かつ簡便に短時間で算出できる石英ルツボの評価方法を提供する。
【解決手段】ラマン分光法による石英ルツボの評価方法であって、評価対象の石英ルツボからサンプルを切り出すサンプル切り出し工程と、切り出したサンプルに対して熱処理を行う熱処理工程と、ラマン分光法により、熱処理後のサンプルの複数箇所でラマンスペクトルを取得するラマンマッピング工程と、ラマンマッピング工程で取得した複数のラマンスペクトルから、サンプルの結晶化度を算出する工程と、を含み、熱処理工程における熱処理の条件を、ラマンマッピング工程でラマンスペクトルを取得する際にサンプルから発生する蛍光を減少させる条件とすることを特徴とする石英ルツボの評価方法。
【選択図】図1
特許請求の範囲
【請求項1】
ラマン分光法による石英ルツボの評価方法であって、
評価対象の石英ルツボからサンプルを切り出すサンプル切り出し工程と、
前記切り出したサンプルに対して熱処理を行う熱処理工程と、
ラマン分光法により、前記熱処理後のサンプルの複数箇所でラマンスペクトルを取得するラマンマッピング工程と、
前記ラマンマッピング工程で取得した複数のラマンスペクトルから、前記サンプルの結晶化度を算出する工程と、
を含み、
前記熱処理工程における熱処理の条件を、前記ラマンマッピング工程でラマンスペクトルを取得する際に前記サンプルから発生する蛍光を減少させる条件とすることを特徴とする石英ルツボの評価方法。
続きを表示(約 470 文字)
【請求項2】
前記測定対象のサンプルを、シリコン単結晶の製造を行った後の石英ルツボから切り出したものとすることを特徴とする請求項1に記載の石英ルツボの評価方法。
【請求項3】
前記熱処理工程は、前記サンプルのラマンスペクトルを取得する複数箇所に対して、300℃~1000℃で、20分以上の熱処理を行うことを特徴とする請求項1または2に記載の石英ルツボの評価方法。
【請求項4】
前記結晶化度を算出する工程は、前記ラマンマッピング工程で取得した複数のラマンスペクトルを解析、画像化し、前記画像化によって得られた画像中のクリストバライト領域の面積率から結晶化度を算出することを特徴とする請求項1または2に記載の石英ルツボの評価方法。
【請求項5】
前記結晶化度を算出する工程は、前記ラマンマッピング工程で取得した複数のラマンスペクトルを解析、画像化し、前記画像化によって得られた画像中のクリストバライト領域の面積率から結晶化度を算出することを特徴とする請求項3に記載の石英ルツボの評価方法。
発明の詳細な説明
【技術分野】
【0001】
本発明は、ラマン分光法による石英ルツボの評価方法に関する。
続きを表示(約 1,400 文字)
【背景技術】
【0002】
チョクラルスキー法によるシリコン単結晶の製造では、一般的に、内表面がアモルファスSiO
2
から構成される石英ルツボにシリコン融液を収容する。石英ルツボはシリコン単結晶製造時にシリコン融液と反応し、シリコン融液と接する石英ルツボの内表面に結晶質SiO
2
であるクリストバライト結晶層が形成される。このクリストバライト結晶層は、シリコン単結晶の引き上げ中に時間が経つにつれて石英ルツボ内表面上で広がるとともに、内部の方向にも成長して、褐色のリング状の斑点であるブラウンリングを生成する。
【0003】
形成されたクリストバライト結晶層は石英ルツボ内表面から剥離しやすく、シリコン単結晶引き上げ中に剥離したクリストバライト結晶層は、石英ルツボからシリコン融液中に遊離して引き上げ中のシリコン単結晶成長界面に到達し、シリコン単結晶の有転位化を引き起こす場合がある。そのため、石英ルツボ内表面におけるクリストバライト結晶層の含有率を算出できる評価技術は重要である。この含有率は、石英ルツボ内表面の結晶化の度合いを示すので、以下では結晶化度とも言う。
【0004】
特許文献1では、単結晶引上げ前後で石英ルツボのラマンスペクトルを取得し、シリコン単結晶の引き上げ時に転位の発生を抑制することができるシリカガラスルツボの良否を判定する評価技術が開示されている。
【0005】
また、特許文献2では、ラマンスペクトルにおける結晶構造に由来するピーク強度の和をアモルファス構造に由来するピークの和で割った値を算出し、結晶構造とアモルファス構造を所定の割合で含む石英ルツボを使用し、シリコン単結晶を有転位化させずに引き上げることができる石英ルツボおよびシリコン単結晶の製造方法が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0006】
特開2019-119619号公報
特開2013-142047号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0007】
しかしながら、特許文献1には、クリストバライト結晶層の含有率(結晶化度)を算出する方法は記載されていない。
【0008】
また、特許文献2に記載の方法では、レーザー光照射領域内の平均化されたラマンスペクトルを取得するため、クリストバライト結晶層の含有率(結晶化度)を算出することはできず、石英ルツボ内表面の結晶化領域の分布を算出することもできない。
【0009】
ここで、クリストバライト結晶層(以下単にクリストバライトという場合がある)は平面方向だけでなく、厚み方向にも成長するため、石英ルツボの内表面の結晶化状態を正確に把握するためには、石英ルツボ表面の結晶化領域を可視化できる方法が求められる。
【0010】
そのような評価法の一つにラマン顕微鏡による多点測定(ラマンマッピング)がある。
通常、ラマン測定は前処理を施さずに測定を行うのが一般的である。しかし、ラマン測定時にはレーザー光照射による励起により評価用サンプルから蛍光が発生し、目的物質のラマン散乱光を妨げてしまう場合がある。
(【0011】以降は省略されています)
この特許をJ-PlatPat(特許庁公式サイト)で参照する
関連特許
信越半導体株式会社
石英ルツボの評価方法
1か月前
信越半導体株式会社
シリコン基板の評価方法
20日前
信越半導体株式会社
シリコン単結晶の抵抗率測定方法
1か月前
信越半導体株式会社
ウェーハの両面加工方法及び両面加工装置
4日前
信越半導体株式会社
シリコンエピタキシャル基板及びシリコン基板の熱処理方法
26日前
個人
計量スプーン
6日前
個人
微小振動検出装置
17日前
ユニパルス株式会社
力変換器
1か月前
株式会社イシダ
X線検査装置
17日前
横浜ゴム株式会社
音響窓
1か月前
三菱電機株式会社
計測器
1か月前
日置電機株式会社
測定装置
1か月前
株式会社辰巳菱機
システム
26日前
個人
センサーを備えた装置
1か月前
IPU株式会社
距離検出装置
1か月前
日本精機株式会社
施工管理システム
1か月前
株式会社FRPカジ
FRP装置
28日前
アンリツ株式会社
分光器
12日前
アンリツ株式会社
分光器
12日前
株式会社東芝
センサ
1か月前
株式会社東芝
センサ
17日前
ダイハツ工業株式会社
測定用具
10日前
大和製衡株式会社
組合せ計量装置
28日前
学校法人立命館
液面レベルセンサ
25日前
株式会社カワタ
サンプリング装置
21日前
TDK株式会社
ガスセンサ
20日前
株式会社精工技研
光電圧プローブ
18日前
TDK株式会社
磁気センサ
13日前
日本精工株式会社
分注装置
24日前
富士レビオ株式会社
嵌合システム
1か月前
TDK株式会社
磁気センサ
6日前
株式会社ヨコオ
コンタクタ
10日前
アズビル株式会社
火炎状態判定装置
1か月前
日本碍子株式会社
ガスセンサ
7日前
富士電機株式会社
半導体パッケージ
1か月前
株式会社熊平製作所
刃物類判別装置
1か月前
続きを見る
他の特許を見る