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公開番号2025117816
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-08-13
出願番号2024012746
出願日2024-01-31
発明の名称研磨パッド及び被加工物の加工方法
出願人株式会社ディスコ
代理人個人,個人,個人,個人,個人,個人
主分類B24D 11/00 20060101AFI20250805BHJP(研削;研磨)
要約【課題】被加工物における金属の残存を抑制することが可能な研磨パッドを提供する。
【解決手段】被加工物の研磨に用いられる研磨パッドであって、円盤状の基台と、基台に固定され被加工物に接触して被加工物を研磨する研磨層と、を有し、研磨層には、金属を吸着する金属吸着粒子が含有されている。
【選択図】図8
特許請求の範囲【請求項１】
被加工物の研磨に用いられる研磨パッドであって、
円盤状の基台と、該基台に固定され該被加工物に接触して該被加工物を研磨する研磨層と、を有し、
該研磨層には、金属を吸着する金属吸着粒子が含有されていることを特徴とする研磨パッド。
続きを表示（約 610 文字）【請求項２】
該金属吸着粒子は、該金属を吸着する官能基を備えるシリカ粒子であることを特徴とする、請求項１に記載の研磨パッド。
【請求項３】
該金属吸着粒子の平均粒径は、２５μｍ以上１５０μｍ以下であることを特徴とする、請求項１又は２に記載の研磨パッド。
【請求項４】
該金属吸着粒子は、該研磨層で該被加工物を研磨する際に供給される研磨液に含まれる該金属を吸着することを特徴とする、請求項１又は２に記載の研磨パッド。
【請求項５】
該研磨層には砥粒が含有されていることを特徴とする、請求項１又は２に記載の研磨パッド。
【請求項６】
研磨パッドを用いて被加工物を研磨する被加工物の加工方法であって、
該研磨パッドは、円盤状の基台と、該基台に固定され該被加工物に接触して該被加工物を研磨する研磨層と、を有し、
該被加工物をチャックテーブルで保持する保持工程と、
該被加工物に金属を含む研磨液を供給しながら該研磨層を該被加工物に接触させ、該被加工物を研磨する研磨工程と、を含み、
該研磨層には、該金属を吸着する金属吸着粒子が含有されていることを特徴とする被加工物の加工方法。
【請求項７】
該研磨層には砥粒が含有され、
該研磨液には砥粒が含有されていないことを特徴とする、請求項６に記載の被加工物の加工方法。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は、被加工物の研磨に用いられる研磨パッド、及び、該研磨パッドを用いて被加工物を研磨する被加工物の加工方法に関する。
続きを表示（約 1,600 文字）【背景技術】
【０００２】
デバイスチップの製造プロセスでは、格子状に配列された複数のストリート（分割予定ライン）によって区画された複数の領域にそれぞれ半導体デバイスが形成されたウェーハが用いられる。このウェーハをストリートに沿って分割することにより、半導体デバイスを備えるデバイスチップが得られる。デバイスチップは、携帯電話、パーソナルコンピュータ等の様々な電子機器に組み込まれる。
【０００３】
ウェーハに半導体デバイスを形成する前には、ウェーハのデバイスが形成される面（デバイス面）に研磨加工を施すことによってデバイス面を平坦化する処理が施されることがある。例えば、単結晶ＳｉＣウェーハにパワーデバイスを形成するプロセスにおいては、単結晶ＳｉＣウェーハに研磨液を供給しつつ単結晶ＳｉＣウェーハのデバイス面を研磨パッドで研磨するＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishing）が実施される（特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
特開２０１６－９２２４６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ウェーハ等の被加工物に研磨液を供給しつつ研磨パッドで被加工物を研磨すると、研磨液に含まれる成分に由来する金属が被加工物の研磨された面（被研磨面）側に残存することがある。例えば、研磨液に酸化剤として機能する過マンガン酸塩が含有されている場合には、研磨加工中にマンガンが被研磨面に付着する。そして、被加工物の被研磨面に付着したマンガンが酸化し、研磨加工後の被加工物にマンガン酸化物がパーティクルとして残存する。
【０００６】
上記のように被加工物に残存する金属は、被加工物の品質に悪影響を及ぼす。例えば、単結晶ＳｉＣウェーハには、半導体デバイスを構成する結晶性の薄膜（エピタキシャル層）がエピタキシャル成長によって形成される。しかしながら、単結晶ＳｉＣウェーハのデバイス面に上記の金属が残存していると、エピタキシャル成長が阻害され、良質なエピタキシャル層が形成されにくくなる。また、残存する金属が半導体デバイスを汚染し、半導体デバイスの信頼性低下や動作不良を引き起こすおそれがある。
【０００７】
本発明は、かかる問題に鑑みてなされたものであり、被加工物における金属の残存を抑制することが可能な研磨パッド及び被加工物の加工方法の提供を目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の一態様によれば、被加工物の研磨に用いられる研磨パッドであって、円盤状の基台と、該基台に固定され該被加工物に接触して該被加工物を研磨する研磨層と、を有し、該研磨層には、金属を吸着する金属吸着粒子が含有されている研磨パッドが提供される。
【０００９】
なお、好ましくは、該金属吸着粒子は、該金属を吸着する官能基を備えるシリカ粒子である。また、好ましくは、該金属吸着粒子の平均粒径は、２５μｍ以上１５０μｍ以下である。また、好ましくは、該金属吸着粒子は、該研磨層で該被加工物を研磨する際に供給される研磨液に含まれる該金属を吸着する。また、好ましくは、該研磨層には砥粒が含有されている。
【００１０】
また、本発明の他の一態様によれば、研磨パッドを用いて被加工物を研磨する被加工物の加工方法であって、該研磨パッドは、円盤状の基台と、該基台に固定され該被加工物に接触して該被加工物を研磨する研磨層と、を有し、該被加工物をチャックテーブルで保持する保持工程と、該被加工物に金属を含む研磨液を供給しながら該研磨層を該被加工物に接触させ、該被加工物を研磨する研磨工程と、を含み、該研磨層には、該金属を吸着する金属吸着粒子が含有されている被加工物の加工方法が提供される。
（【００１１】以降は省略されています）

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