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公開番号2025086301
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-06-06
出願番号2024008773
出願日2024-01-24
発明の名称静電チャック
出願人TOTO株式会社
代理人個人,個人,個人,個人
主分類H01L 21/683 20060101AFI20250530BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】処理中における基板の面内温度分布を適切に保つことのできる静電チャック、を提供する。
【解決手段】静電チャック10は、誘電体基板100と、誘電体基板100を支持するベースプレート200と、誘電体基板100とベースプレート200との間を接合する接合層300と、を備える。接合層300の温度が20℃のときにおける接合層300の誘電正接の値、のことを基準値とする。静電チャック10では、接合層300の温度が20℃から-60℃まで変化したときに、接合層300の誘電正接の値が変動する範囲が、基準値の50%から200%までの範囲内に収まる。
【選択図】図2
特許請求の範囲【請求項１】
誘電体基板と、
前記誘電体基板を支持するベースプレートと、
前記誘電体基板と前記ベースプレートとの間を接合する接合層と、を備え、
前記接合層の温度が２０℃のときにおける前記接合層の誘電正接の値、のことを基準値としたときに、
前記接合層の温度が２０℃から－６０℃まで変化したときに、前記接合層の誘電正接の値が変動する範囲が、前記基準値の５０％から２００％までの範囲内に収まることを特徴とする静電チャック。
続きを表示（約 210 文字）【請求項２】
前記接合層の温度が２０℃から－６０℃まで変化したときに、前記接合層の誘電正接の値が変動する範囲が、前記基準値の９０％から１１０％までの範囲内に収まることを特徴とする、請求項１に記載の静電チャック。
【請求項３】
前記接合層の温度が２０℃から－６０℃までの範囲内であるときには、前記接合層の誘電正接の値が０.０００８よりも小さいことを特徴とする、請求項１に記載の静電チャック。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は静電チャックに関する。
続きを表示（約 1,500 文字）【背景技術】
【０００２】
例えばエッチング装置等の半導体製造装置には、処理の対象となるシリコンウェハ等の基板を吸着し保持するための装置として、静電チャックが設けられる。下記特許文献１に記載されているように、静電チャックは、吸着電極が設けられた誘電体基板（基材）と、誘電体基板を支持するベースプレート（ベース部）と、を備え、これらが互いに接合された構成を有する。吸着電極に電圧が印加されると静電力が生じ、誘電体基板上に載置された基板が吸着され保持される。
【０００３】
エッチング等の処理中においては、基板の各部の温度を適温に保つ必要がある。処理中における基板の面内温度分布が適切なものとなるように、例えば、ベースプレートの内部に形成される冷媒流路の引き回しや、基板の裏面側にガスを供給するためのガス穴の配置等、静電チャックの各部の構成が適切に設計されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
特開２０１５－１６２４９０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
半導体製造装置においてプラズマを発生させる際には、一対の電極間に高周波電圧が印可される。これにより、静電チャックの各部には交流電場が加えられることとなる。上記特許文献１には、静電チャックの一部（例えばベースプレート）を、上記電極の一方として用いる場合の構成例が示されている。特にこのような構成においては、静電チャックの各部に加えられる交流電場が大きくなる。
【０００６】
本発明者らは、半導体製造装置の運転条件等に応じて接合層の温度が変化すると、それに伴い、接合層の誘電正接の値も変化するという新たな知見を得た。誘電正接の値が変化すると、交流電場が加えられたことによる接合層の発熱量も変化するので、基板の面内温度分布はその影響を受けてしまう。
【０００７】
先に述べたように、静電チャックでは、処理中における基板の面内温度分布が適切なものとなるように、冷媒流路の引き回し等が適切に設計されている。しかしながら、運転条件の変更等に伴って接合層の発熱量が大きく変化してしまうと、設計の前提が崩れるため、基板の面内温度分布を適切に保てなくなってしまう場合も生じ得る。
【０００８】
本発明はこのような課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、処理中における基板の面内温度分布を適切に保つことのできる静電チャック、を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記課題を解決するために、本発明に係る静電チャックは、誘電体基板と、誘電体基板を支持するベースプレートと、誘電体基板とベースプレートとの間を接合する接合層と、を備える。接合層の温度が２０℃のときにおける接合層の誘電正接の値、のことを基準値としたときに、この静電チャックでは、接合層の温度が２０℃から－６０℃まで変化したときに、接合層の誘電正接の値が変動する範囲が、基準値の５０％から２００％までの範囲内に収まる。
【００１０】
このような構成の静電チャックでは、接合層の温度が２０℃から－６０℃まで変化しても、その間における誘電正接の値の変動が、準値の５０％から２００％までの範囲内に収まるように構成されている。接合層の温度が変化した場合であっても、接合層の発熱量の変動は従来よりも小さく抑えられるので、基板の面内温度分布を引き続き適切に保つことができる。
【発明の効果】
（【００１１】以降は省略されています）

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