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公開番号2025068047
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-04-24
出願番号2025024840,2022078984
出願日2025-02-19,2021-06-11
発明の名称複合基板および複合基板の製造方法
出願人日本碍子株式会社
代理人個人,個人
主分類H03H 9/25 20060101AFI20250417BHJP(基本電子回路)
要約【課題】SAWフィルタの高性能化に寄与し得る複合基板を提供すること。
【解決手段】本発明の実施形態による複合基板は、支持基板と、前記支持基板の片側に配置される圧電層と、を有し、前記支持基板の形状の空間周波数0.045cyc/mmを超えるうねりの振幅は10nm以下である。
【選択図】図1
特許請求の範囲【請求項１】
互いに対向する上面および下面を有する支持基板と、
前記支持基板の上面側に配置される圧電層と、
前記支持基板と前記圧電層との間に配置される中間層と、を有し、
前記支持基板の上面は湾曲面で、前記支持基板の下面は平坦面であり、
前記圧電層の任意の第一地点における厚みＴ１と任意の第二地点における厚みＴ２との差の絶対値は、１００ｎｍ以下である、
複合基板。
続きを表示（約 880 文字）【請求項２】
前記支持基板の形状の空間周波数０．０４５ｃｙｃ／ｍｍを超えるうねりの振幅は１０ｎｍ以下である、請求項１に記載の複合基板。
【請求項３】
前記中間層を構成する材料は、酸化ケイ素、酸化ハフニウム、酸化タンタル、酸化ジルコニウムおよび酸化アルミニウムから選択される、請求項１に記載の複合基板。
【請求項４】
前記中間層の厚みは０．１μｍ～２μｍである、請求項１に記載の複合基板。
【請求項５】
前記圧電層の厚みは５μｍ以下である、請求項１に記載の複合基板。
【請求項６】
前記支持基板を構成する材料の熱膨張係数は、前記圧電層を構成する材料の熱膨張係数よりも小さい、請求項１に記載の複合基板。
【請求項７】
前記支持基板と前記中間層との間に配置される接合層を有する、請求項１に記載の複合基板。
【請求項８】
支持基板と中間層と圧電基板とを有する複合基板の製造方法であって、
前記支持基板の互いに対向する両主面を研磨すること、
前記圧電基板または前記支持基板に前記中間層を成膜すること、
互いに対向する第一主面および第二主面を有する前記圧電基板の前記第一主面側に、前記支持基板を接合すること、および、
前記圧電基板の第二主面側の表面を研磨すること、を含み、
前記支持基板の互いに対向する両主面を研磨することにより、前記圧電基板が接合される側の前記支持基板の上面を湾曲面とし、前記支持基板の下面を平坦面とし、
前記圧電基板を研磨して得られる圧電層の任意の第一地点における厚みＴ１と任意の第二地点における厚みＴ２との差の絶対値は、１００ｎｍ以下である、
複合基板の製造方法。
【請求項９】
前記支持基板の互いに対向する両主面を研磨することにより、前記支持基板の形状の空間周波数０．０４５ｃｙｃ／ｍｍを超えるうねりの振幅を１０ｎｍ以下とする、請求項８に記載の複合基板の製造方法。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は、複合基板および複合基板の製造方法に関する。
続きを表示（約 1,600 文字）【背景技術】
【０００２】
携帯電話等の通信機器には、任意の周波数の電気信号を取り出すため、例えば、弾性表面波を利用したフィルタ（ＳＡＷフィルタ）が用いられている。このＳＡＷフィルタは、圧電層を有する複合基板上に電極等が形成された構造を有する（例えば、特許文献１を参照）。
【０００３】
近年、情報通信機器の分野では、例えば、通信量が急激に増加しており、上記ＳＡＷフィルタの高性能化が求められている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
特開２０２０－１５０４８８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明の主たる目的は、ＳＡＷフィルタの高性能化に寄与し得る複合基板を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の実施形態による複合基板は、支持基板と、前記支持基板の片側に配置される圧電層と、を有し、前記支持基板の形状の空間周波数０．０４５ｃｙｃ／ｍｍを超えるうねりの振幅は１０ｎｍ以下である。
１つの実施形態においては、上記圧電層の第一地点における厚みＴ１と第二地点における厚みＴ２との差の絶対値は、１００ｎｍ以下である。
１つの実施形態においては、上記圧電層の厚みは５μｍ以下である。
本発明の別の実施形態による弾性表面波素子は、上記複合基板を有する。
【０００７】
本発明の別の実施形態による複合基板の製造方法は、互いに対向する第一主面および第二主面を有する圧電基板の前記第一主面側に、支持基板を接合すること、および、前記圧電基板の第二主面側の表面を研磨すること、を含み、前記支持基板の形状の空間周波数０．０４５ｃｙｃ／ｍｍを超えるうねりの振幅は１０ｎｍ以下である。
１つの実施形態においては、上記圧電基板を研磨して得られる圧電層の第一地点における厚みＴ１と第二地点における厚みＴ２との差の絶対値は、１００ｎｍ以下である。
１つの実施形態においては、上記圧電基板を研磨して得られる圧電層の厚みは５μｍ以下である。
【発明の効果】
【０００８】
本発明の実施形態によれば、例えば、ＳＡＷフィルタの高性能化に寄与し得る。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
本発明の１つの実施形態に係る複合基板の概略の構成を示す模式的な断面図である。
複合基板の外観の一例を示す図である。
支持基板の形状と圧電層の形状の概要の一例を示す図である。
支持基板の形状と圧電層の形状の概要の別の一例を示す図である。
１つの実施形態に係る複合基板の製造工程例を示す図である。
図４Ａに続く図である。
図４Ｂに続く図である。
図４Ｃに続く図である。
実施例のシリコン基板の形状を示す図である。
実施例のＬＴ層の膜厚分布を示す図である。
実施例のシリコン基板の形状およびＬＴ層の膜厚分布のＦＦＴ解析結果を示す図である。
図５Ｃの縦軸および横軸を拡大して示す図である。
比較例のシリコン基板の形状を示す図である。
比較例のＬＴ層の膜厚分布を示す図である。
比較例のシリコン基板の形状およびＬＴ層の膜厚分布のＦＦＴ解析結果を示す図である。
図６Ｃの縦軸および横軸を拡大して示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下、本発明の実施形態について図面を参照しつつ説明するが、本発明はこれらの実施形態には限定されない。また、図面は説明をより明確にするため、実施の形態に比べ、各部の幅、厚み、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。
（【００１１】以降は省略されています）

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