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公開番号
2025078770
公報種別
公開特許公報(A)
公開日
2025-05-20
出願番号
2025034511,2024511545
出願日
2025-03-05,2023-03-02
発明の名称
仮固定基板
出願人
日本碍子株式会社
代理人
個人
,
個人
,
個人
,
個人
主分類
H01L
23/12 20060101AFI20250513BHJP(基本的電気素子)
要約
【課題】仮固定基板の外周部におけるチッピングの発生を抑制する。
【解決手段】一方主面において所定の固定対象物が仮固定される、仮固定基板において、側端部の算術平均粗さが前記一方主面の算術平均粗さよりも大きく、5μm以下であるようにした。
【選択図】図2
特許請求の範囲
【請求項1】
一方主面において所定の固定対象物が仮固定される、仮固定基板であって、
側端部の算術平均粗さが前記一方主面の算術平均粗さよりも大きく、5μm以下である、
ことを特徴とする、仮固定基板。
続きを表示(約 560 文字)
【請求項2】
請求項1に記載の仮固定基板であって、
前記一方主面および他方主面のそれぞれの外周全体に亘る端部に面取り領域を備え、
少なくとも前記一方主面側の前記面取り領域の算術平均粗さが0.1μm~10μmであり、かつ、前記一方主面の算術平均粗さよりも大きい、
ことを特徴とする、仮固定基板。
【請求項3】
請求項2に記載の仮固定基板であって、
前記面取り領域が、前記一方主面に対する傾斜角度が相異なる第1面取り部と第2面取り部とを備える、
ことを特徴とする、仮固定基板。
【請求項4】
請求項2または請求項3に記載の仮固定基板であって、
前記一方主面および前記他方主面の算術平均粗さが100nm以下である、
ことを特徴とする、仮固定基板。
【請求項5】
請求項1ないし請求項3のいずれかに記載の仮固定基板であって、
前記側端部の算術平均粗さが2μm以下である、
ことを特徴とする、仮固定基板。
【請求項6】
請求項1ないし請求項3のいずれかに記載の仮固定基板であって、
前記所定の固定対象物が、複数の電子部品または半導体基板である、
ことを特徴とする、仮固定基板。
発明の詳細な説明
【技術分野】
【0001】
本発明は、半導体パッケージの製造プロセスに用いられる仮固定基板に関する。
続きを表示(約 1,200 文字)
【背景技術】
【0002】
半導体パッケージの製造技術として、FOWLP(Fan-out Wafer Level Package)技術が知られている。FOWLP技術は、概略、半導体チップが接着剤にて仮固定された仮固定基板上に樹脂モールドを行う工程と、樹脂モールドを研削して半導体チップの電極端を露出させる工程と、電極端が露出する面に薄膜の再配線層(多層配線)および半田ボールを形成する工程と、個々のパッケージの個片化および仮固定基板からの剥離を行う工程とにより、従来よりも低背な半導体パッケージを得るものである。
【0003】
係るFOWLP技術におけるチップの仮固定基板として、透光性セラミックス基板を用いる態様が、すでに公知である(例えば特許文献1および特許文献2参照)。透光性セラミックス基板は、電極端露出のために必要な高平坦性と、多層配線形成時の反り抑制のために必要な高剛性および逆反り形状と、接着剤を硬化させるためのレーザー光を透過可能な透光性と、使用後に洗浄して再利用するための耐薬品性という、仮固定基板に求められる要件を全て具備している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0004】
特許第6430081号公報
特許第6420023号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0005】
しかしながら、従来の仮固定基板には、外周部でチッピング(欠け)が生じることにより歩留まりが低下するという問題があった。
【0006】
また、従来の仮固定基板には、外周部で樹脂部分が剥離する剥離不良が発生し、歩留まりが低下するという問題もあった。
【0007】
本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、仮固定基板の外周部におけるチッピングの発生を抑制することを目的とする。
【0008】
また、本発明は、剥離不良を抑制し、従来よりも高い歩留まりにて半導体パッケージを得ることが可能な仮固定基板を提供することを、第2の目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0009】
上記課題を解決するため、本発明の第1の態様は、一方主面において所定の固定対象物が仮固定される、仮固定基板であって、側端部の算術平均粗さが前記一方主面の算術平均粗さよりも大きく、5μm以下である、ことを特徴とする。
【0010】
本発明の第2の態様は、第1の態様に係る仮固定基板であって、前記一方主面および他方主面のそれぞれの外周全体に亘る端部に面取り領域を備え、少なくとも前記一方主面側の前記面取り領域の算術平均粗さが0.1μm~10μmであり、かつ、前記一方主面の算術平均粗さよりも大きい、ことを特徴とする。
(【0011】以降は省略されています)
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