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公開番号2025066983
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-04-24
出願番号2023176594
出願日2023-10-12
発明の名称光電気複合基板およびフィルム
出願人住友ベークライト株式会社
代理人個人
主分類G02B 6/12 20060101AFI20250417BHJP(光学)
要約【課題】反り量を抑制することが可能な光電気複合基板および得られる光電気複合基板の反り量を抑制することが可能なフィルムを提供する。
【解決手段】基板10と、第1のクラッド層20と、コア層30と、第2のクラッド層40と、ポリイミド基材50とをこの順に備える光電気複合基板100であって、ポリイミド基材50の50℃から100℃の平均線熱膨張係数が-10.0ppm/℃以上10.0ppm/℃以下である、光電気複合基板100。
【選択図】図1
特許請求の範囲【請求項１】
基板と、第１のクラッド層と、コア層と、第２のクラッド層と、ポリイミド基材とをこの順に備える光電気複合基板であって、
前記ポリイミド基材の５０℃から１００℃の平均線熱膨張係数が－１０．０ｐｐｍ／℃以上１０．０ｐｐｍ／℃以下である、光電気複合基板。
続きを表示（約 900 文字）【請求項２】
前記ポリイミド基材の厚みは１０μｍ以上５０μｍ以下である、請求項１に記載の光電気複合基板。
【請求項３】
前記ポリイミド基材の３０℃における貯蔵弾性率Ｅ’が、４．０ＧＰａ以上１０．０ＧＰａ以下である、請求項１または２に記載の光電気複合基板。
【請求項４】
前記基板が銅張積層板またはポリイミド基板である、請求項１または２に記載の光電気複合基板。
【請求項５】
前記基板が銅張積層板である、請求項４に記載の光電気複合基板。
【請求項６】
前記基板の５０℃から１００℃の平均線熱膨張係数が前記ポリイミド基材の５０℃から１００℃の平均線熱膨張係数よりも大きい、請求項１または２に記載の光電気複合基板。
【請求項７】
前記基板の５０℃から１００℃の平均線熱膨張係数から前記ポリイミド基材の５０℃から１００℃の平均線熱膨張係数を減じた値が、３．０ｐｐｍ／℃以上である、請求項６に記載の光電気複合基板。
【請求項８】
下記方法１による反り量が４０ｍｍ以下である、請求項１または２に記載の光電気複合基板。
（方法１）
幅８０ｍｍ、長さ１２０ｍｍの前記光電気複合基板を反り量評価用サンプルとして、前記ポリイミド基材側の面を上にして、前記反り量評価用サンプルを水平な台の上に置き、反り量評価用サンプルの頂点と台との垂直方向の距離を測定する。前記反り量評価用サンプルの４つの頂点において、台との垂直方向の距離をそれぞれ測定し、その平均値を反り量とする。
【請求項９】
光導波路のクラッド層を形成することが可能なフィルムであって、
ポリイミド基材と、樹脂層とを備え、
前記ポリイミド基材の５０℃から１００℃の平均線熱膨張係数が－１０．０ｐｐｍ／℃以上１０．０ｐｐｍ／℃以下である、フィルム。
【請求項１０】
前記ポリイミド基材の厚みは１０μｍ以上５０μｍ以下である、請求項９に記載のフィルム。
（【請求項１１】以降は省略されています）
発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は光電気複合基板およびフィルムに関する。
続きを表示（約 2,300 文字）【背景技術】
【０００２】
近年、情報通信機器において、情報の大容量化、情報通信速度の高速化等の、より高度な情報通信を実現できる部材が求められており、そのような部材の一つとして光電気複合基板が検討されている。
【０００３】
光電気複合基板は、例えば、基板上に光導波路が設けられたものが挙げられる。光導波路に関する技術としては、例えば、特許文献１に記載の技術が挙げられる。
【０００４】
特許文献１には、仮基板上に高分子材料で構成される下部クラッド層を形成する工程と、該下部クラッド層の上に高分子材料で構成されるコア層を形成する工程と、前記仮基板を除去する工程とを含む高分子フィルム光導波路を製造する方法であって、前記仮基板が４×１０
－５
／℃以上、１．２×１０
－４
／℃以下の熱膨張係数を有することを特徴とする高分子フィルム光導波路の製造方法が記載されている。
特許文献１に記載の高分子フィルム光導波路の製造方法によれば、応力緩和のための後熱処理を行わずに、光損失が小さい高分子フィルム光導波路を簡便に歩留まり良く製造できると記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
特開２００４－１９１４１４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明者らの検討によれば、光電気複合基板において反りが生じる場合があることを見出した（以下、光電気複合基板の反りが大きいことを反り量が大きいともいう）。
【０００７】
本発明は、反り量を抑制することが可能な光電気複合基板および得られる光電気複合基板の反り量を抑制することが可能なフィルムを提供するものである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明によれば、以下に示す光電気複合基板およびフィルムが提供される。
【０００９】
［１］
基板と、第１のクラッド層と、コア層と、第２のクラッド層と、ポリイミド基材とをこの順に備える光電気複合基板であって、
前記ポリイミド基材の５０℃から１００℃の平均線熱膨張係数が－１０．０ｐｐｍ／℃以上１０．０ｐｐｍ／℃以下である、光電気複合基板。
［２］
前記ポリイミド基材の厚みは１０μｍ以上５０μｍ以下である、前記［１］に記載の光電気複合基板。
［３］
前記ポリイミド基材の３０℃における貯蔵弾性率Ｅ’が、４．０ＧＰａ以上１０．０ＧＰａ以下である、前記［１］または［２］に記載の光電気複合基板。
［４］
前記基板が銅張積層板またはポリイミド基板である、前記［１］～［３］のいずれかに記載の光電気複合基板。
［５］
前記基板が銅張積層板である、前記［４］に記載の光電気複合基板。
［６］
前記基板の５０℃から１００℃の平均線熱膨張係数が前記ポリイミド基材の５０℃から１００℃の平均線熱膨張係数よりも大きい、前記［１］～［５］のいずれかに記載の光電気複合基板。
［７］
前記基板の５０℃から１００℃の平均線熱膨張係数から前記ポリイミド基材の５０℃から１００℃の平均線熱膨張係数を減じた値が、３．０ｐｐｍ／℃以上である、前記［６］に記載の光電気複合基板。
［８］
下記方法１による反り量が４０ｍｍ以下である、前記［１］～［７］のいずれかに記載の光電気複合基板。
（方法１）
幅８０ｍｍ、長さ１２０ｍｍの前記光電気複合基板を反り量評価用サンプルとして、前記ポリイミド基材側の面を上にして、前記反り量評価用サンプルを水平な台の上に置き、反り量評価用サンプルの頂点と台との垂直方向の距離を測定する。前記反り量評価用サンプルの４つの頂点において、台との垂直方向の距離をそれぞれ測定し、その平均値を反り量とする。
［９］
光導波路のクラッド層を形成することが可能なフィルムであって、
ポリイミド基材と、樹脂層とを備え、
前記ポリイミド基材の５０℃から１００℃の平均線熱膨張係数が－１０．０ｐｐｍ／℃以上１０．０ｐｐｍ／℃以下である、フィルム。
［１０］
前記ポリイミド基材の厚みは１０μｍ以上５０μｍ以下である、前記［９］に記載のフィルム。
［１１］
前記ポリイミド基材の３０℃における貯蔵弾性率Ｅ’が、４．０ＧＰａ以上１０．０ＧＰａ以下である、前記［９］または［１０］に記載のフィルム。
［１２］
前記樹脂層は、クラッド層を形成するための樹脂組成物からなる樹脂層である、前記［９］～［１１］のいずれかに記載のフィルム。
［１３］
前記樹脂層は、前記［１］～［８］のいずれかに記載の光電気複合基板における第２のクラッド層を形成するための樹脂組成物からなる樹脂層であり、
前記ポリイミド基材は、前記［１］～［８］のいずれかに記載の光電気複合基板におけるポリイミド基材を形成するための基材である、前記［９］～［１２］のいずれかに記載のフィルム。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、反り量を抑制することが可能な光電気複合基板および得られる光電気複合基板の反り量を抑制することが可能なフィルムを提供できる。
【図面の簡単な説明】
（【００１１】以降は省略されています）

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