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公開番号2024159251
公報種別公開特許公報(A)
公開日2024-11-08
出願番号2023075114
出願日2023-04-28
発明の名称厚膜抵抗体
出願人住友金属鉱山株式会社
代理人個人,個人
主分類H01C 7/00 20060101AFI20241031BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】抵抗温度係数を0に近づけることができ、かつ低温抵抗温度係数と、高温抵抗温度係数の差を小さくすることが可能な厚膜抵抗体を提供することを目的とする。
【解決手段】酸化ルテニウムと、ガラスと、を含み、
前記酸化ルテニウムは、ルチル型結晶構造を有し、
X線回折法により測定したa軸の格子定数をLa、c軸の格子定数をLcとした場合にLc/Laが0.6885以上であり、
結晶子径が10nm以上80nm以下である厚膜抵抗体。
【選択図】なし
特許請求の範囲【請求項１】
酸化ルテニウムと、ガラスと、を含み、
前記酸化ルテニウムは、ルチル型結晶構造を有し、
Ｘ線回折法により測定したａ軸の格子定数をＬａ、ｃ軸の格子定数をＬｃとした場合にＬｃ／Ｌａが０．６８８５以上であり、
結晶子径が１０ｎｍ以上８０ｎｍ以下である厚膜抵抗体。
続きを表示（約 380 文字）【請求項２】
前記酸化ルテニウムと前記ガラスの合計質量を１００％とした場合に、
前記酸化ルテニウムの質量割合が５％以上６０％以下である請求項１に記載の厚膜抵抗体。
【請求項３】
前記ガラスは、ＳｉＯ
２
とＢ
２
Ｏ
３
とＲＯ（ＲはＣａ、Ｓｒ、Ｂａから選択される１種以上のアルカリ土類金属元素を示す）を含み、
ＳｉＯ
２
とＢ
２
Ｏ
３
とＲＯの合計を１００質量部とした場合に、ＳｉＯ
２
を１８質量部以上５０質量部以下、Ｂ
２
Ｏ
３
を１０質量部以上３０質量部以下、ＲＯを３５質量部以上７０質量部以下の割合で含有する請求項１または請求項２に記載の厚膜抵抗体。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は、厚膜抵抗体に関する。
続きを表示（約 1,400 文字）【背景技術】
【０００２】
チップ抵抗器、ハイブリットＩＣ、または抵抗ネットワーク等の抵抗器には、セラミック基板に厚膜抵抗体用ペーストを塗布し、焼成することによって形成された厚膜抵抗体が一般的に用いられている。
【０００３】
厚膜抵抗体用の組成物としては、導電粒子として酸化ルテニウム粉末を代表とするルテニウム系導電粉末とガラス粉末を主な成分として含むものが広く用いられている。
【０００４】
ルテニウム系導電粉末とガラス粉末が厚膜抵抗体に用いられる理由は、空気中での焼成ができ、抵抗温度係数（ＴＣＲ：ＴｅｍｐｅｒａｔｕｒｅＣｏｆｆｉｃｉｅｎｔｏｆＲｅｓｉｓｔａｎｃｅ）を０に近づけられることに加え、広い領域の抵抗値の抵抗体が形成可能であることなどが挙げられる。
【０００５】
ルテニウム系導電粉末とガラス粉末とを含む厚膜抵抗体用組成物では、その配合比によって厚膜抵抗体の抵抗値が変わる。具体的には、ルテニウム系導電粉末の配合比を多くすると厚膜抵抗体の抵抗値が下がり、ルテニウム系導電粉末の配合比を少なくすると厚膜抵抗体の抵抗値が上がる。このことを利用して、厚膜抵抗体では、ルテニウム系導電粉末とガラス粉末の配合比を調整して所望の抵抗値を出現させている。
【０００６】
近年、電気・電子機器における抵抗器の搭載点数は増加しており、抵抗器一つ一つの抵抗値精度が高く、抵抗温度係数（ＴＣＲ）が０に近いことが望まれている。
【０００７】
上述のように、ルテニウム系導電粉末とガラス粉末とを含む厚膜抵抗体用組成物では、低い抵抗値が望まれる場合にはルテニウム系導電粉末を多く、ガラス粉末を少なく配合している。また、高い抵抗値が望まれる場合にはルテニウム系導電粉末を少なく、ガラス粉末を多く配合して抵抗値を調整している。
【０００８】
しかし、ルテニウム系導電粉末を多く配合する低い抵抗値領域では抵抗温度係数（ＴＣＲ）がプラスになりやすく、ルテニウム系導電粉末の配合が少ない高い抵抗値領域では抵抗温度係数（ＴＣＲ）がマイナスになりやすい特徴がある。抵抗温度係数（ＴＣＲ）は温度変化による抵抗値の変化を表したもので、厚膜抵抗体の重要な特性の一つである。抵抗温度係数は調整剤と呼ばれる主に金属酸化物を組成物に加えることで調整が可能である。抵抗温度係数をマイナスに調整することは比較的容易であり、調整剤としてはマンガン酸化物、ニオブ酸化物、タンタル酸化物、チタン酸化物等が挙げられる。しかし、抵抗温度係数をプラスに調整することは困難である。したがって、厚膜抵抗体用の導電粒子は、厚膜抵抗体に適用した場合に、抵抗温度係数が０近傍、もしくはプラスに大きくなるものが望ましい。
【０００９】
厚膜抵抗体の抵抗温度係数（ＴＣＲ）は、常温を基準として、低温側の低温抵抗温度係数（ＣＯＬＤ－ＴＣＲ）と高温側の高温抵抗温度係数（ＨＯＴ－ＴＣＲ）とで評価される。
【００１０】
近年では、電子部品の高精度化への要求が高まっており、低温抵抗温度係数（ＣＯＬＤ－ＴＣＲ）、高温抵抗温度係数（ＨＯＴ－ＴＣＲ）とも０に近いことが求められている。
（【００１１】以降は省略されています）

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