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公開番号2024152111
公報種別公開特許公報(A)
公開日2024-10-25
出願番号2023066093
出願日2023-04-14
発明の名称焼結体基板、発光装置及びそれらの製造方法
出願人日亜化学工業株式会社
代理人弁理士法人磯野国際特許商標事務所
主分類H05K 3/40 20060101AFI20241018BHJP(他に分類されない電気技術)
要約【課題】放熱性の高い焼結体基板、発光装置及びそれらの製造方法を提供する。
【解決手段】焼結体基板の製造方法は、第1面及び前記第1面の反対側となる第2面を持ち、前記第1面と前記第2面とを繋ぐように貫通する貫通孔を有するセラミックス基板を準備することと、前記貫通孔内に活性金属粉体を含む導電ペーストを配置することと、前記導電ペースト上に金属箔を配置することと、前記金属箔を配置した前記導電ペーストを焼成することと、を含み、前記金属箔を配置することにおいて、前記金属箔は、融点が前記導電ペーストの焼成温度よりも高く、かつ、酸素含有率が200質量ppm未満である。
【選択図】図3
特許請求の範囲【請求項1】
第1面及び前記第1面の反対側となる第2面を持ち、前記第1面と前記第2面とを繋ぐように貫通する貫通孔を有するセラミックス基板を準備することと、
前記貫通孔内に活性金属粉体を含む導電ペーストを配置することと、
前記導電ペースト上に金属箔を配置することと、
前記金属箔を配置した前記導電ペーストを焼成することと、を含み、
前記金属箔を配置することにおいて、前記金属箔は、融点が前記導電ペーストの焼成温度よりも高く、かつ、酸素含有率が200質量ppm未満である、焼結体基板の製造方法。
続きを表示(約 1,000 文字)【請求項2】
前記セラミックス基板を準備することにおいて、前記第1面及び前記第2面の少なくとも一方に配置する凹部を備え、前記凹部の位置に前記貫通孔を備える請求項1に記載の焼結体基板の製造方法。
【請求項3】
前記セラミックス基板を準備することにおいて、前記凹部及び前記貫通孔は、レーザ加工により形成される請求項1又は請求項2に記載の焼結体基板の製造方法。
【請求項4】
前記導電ペーストを焼成した後、前記金属箔を除去することを含む請求項1又は請求項2に記載の焼結体基板の製造方法。
【請求項5】
前記セラミックス基板を準備することにおいて、
前記セラミックス基板の前記第1面及び前記第2面のうち前記凹部が形成される面にドライフィルムを貼り合わせることと、
前記ドライフィルムにマスクを介して露光及び現像を行うことと、
前記露光及び現像を行うことにより所定のパターンに形成された前記ドライフィルムを介して、前記セラミックス基板をエッチング又はブラストすることにより、前記セラミックス基板の平面部よりも凹んだ前記凹部を形成することと、
前記セラミックス基板から前記ドライフィルムを剥離することと、
前記凹部を介して前記第1面と前記第2面とを繋ぐ前記貫通孔を形成することと、を含む請求項2に記載の焼結体基板の製造方法。
【請求項6】
前記導電ペーストを配置することにおいて、前記導電ペーストは、さらに金属粉体と、有機溶剤と、を含む請求項1に記載の焼結体基板の製造方法。
【請求項7】
前記導電ペーストを配置することにおいて、前記活性金属粉体の含有量は、1重量部以上5重量部以下である請求項6に記載の焼結体基板の製造方法。
【請求項8】
前記導電ペーストを配置することにおいて、前記金属粉体は、Ag、Al、Zn、Sn、及び、Ag-Cu合金粉末の少なくともいずれか1種を含む請求項6に記載の焼結体基板の製造方法。
【請求項9】
前記導電ペーストを配置することにおいて、前記金属粉体は、さらにCu、Cr、及び、Niの少なくともいずれか1種を含む請求項6に記載の焼結体基板の製造方法。
【請求項10】
前記導電ペーストを配置することにおいて、前記活性金属粉体は、TiH2、CeH2、ZrH2、及び、MgH2の少なくともいずれか1種を含む請求項6に記載の焼結体基板の製造方法。
(【請求項11】以降は省略されています)

発明の詳細な説明【技術分野】
【0001】
本開示は、焼結体基板、発光装置及びそれらの製造方法に関する。
続きを表示(約 3,500 文字)【背景技術】
【0002】
従来、Si



基板等の高熱伝導性に優れたセラミックス基板では、活性金属ろう材がビア材や配線に使用されている。セラミックス基板では、焼成後に活性金属ろう材の表面に石垣状の隙間(泡状の多数の孔)や表面の凹凸が形成されて実装性が悪く、除去するために研磨量が増加している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
特許第5693940号公報
特許第6541530号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
本開示に係る実施形態は、実装性が良い焼結体基板、発光装置及びそれらの製造方法を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【0005】
実施形態に開示される焼結体基板の製造方法は、第1面及び前記第1面の反対側となる第2面を持ち、前記第1面と前記第2面とを繋ぐように貫通する貫通孔を有するセラミックス基板を準備することと、前記貫通孔内に活性金属粉体を含む導電ペーストを配置することと、前記導電ペースト上に金属箔を配置することと、前記金属箔を配置した前記導電ペーストを焼成することと、を含み、前記金属箔を配置することにおいて、前記金属箔は、融点が前記導電ペーストの焼成温度よりも高く、かつ、酸素含有率が200質量ppm未満である。
【0006】
実施形態に開示される発光装置の製造方法は、前記した焼結体基板の製造方法による焼結体基板を準備することと、前記導電ペーストを焼成した後の金属部材に発光素子を配置することと、を含み、前記発光素子を配置することにおいて、前記金属部材と、前記発光素子と、を直接又は間接に電気的に接続する。
【発明の効果】
【0007】
本開示の実施形態によれば、実装性が良い焼結体基板、発光装置及びそれらの製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【0008】
実施形態に係る焼結体基板を模式的に示す平面図である。
図1のII-II線における斜視断面図である。
実施形態に係る焼結体基板の製造方法を例示するフローチャートである。
実施形態に係る焼結体基板の製造方法において、セラミックス基板を模式的に示す断面図である。
実施形態に係る焼結体基板の製造方法において、セラミックス基板に凹部を形成した状態を模式的に示す断面図である。
実施形態に係る焼結体基板の製造方法において、セラミックス基板の凹部に貫通孔を形成した状態を模式的に示す断面図である。
実施形態に係る焼結体基板の製造方法において、セラミックス基板の凹部及び貫通孔に配置する導電ペーストを準備した状態を模式的に示す断面図である。
実施形態に係る焼結体基板の製造方法において、導電ペーストを配置した状態を模式的に示す断面図である。
実施形態に係る焼結体基板の製造方法において、導電ペーストに金属箔を貼付した状態を模式的に示す断面図である。
実施形態に係る焼結体基板の製造方法において、金属箔を貼付した導電ペーストを乾燥させた状態を模式的に示す断面図である。
実施形態に係る焼結体基板の製造方法において、乾燥させた金属箔を貼付した導電ペーストを焼成した状態を模式的に示す断面図である。
実施形態に係る焼結体基板の製造方法において、導電ペーストを配置して焼成した導電部から金属箔を除いた状態を模式的に示す断面図である。
実施形態に係る焼結体基板の製造方法において、導電部に接合部材を配置した状態を模式的に示す断面図である。
実施形態に係る焼結体基板の導電部の端面を模式的に示す平面図である。
図6Aと比較する従来の導電部の一部を拡大して例示する平面写真画像である。
実施形態に係る焼結体基板の製造方法において、セラミックス基板を準備することの変形例を示すフローチャートである。
実施形態の応用例に係る焼結体基板の製造方法において、セラミックス基板にドライフィルムを配置した状態を模式的に示す断面図である。
実施形態の応用例に係る焼結体基板の製造方法において、ドライフィルムにマスクを配置した状態を模式的に示す断面図である。
実施形態の応用例に係る焼結体基板の製造方法において、マスクのパターンでドライフィルムを現像した状態を模式的に示す断面図である。
実施形態の応用例に係る焼結体基板の製造方法において、セラミックス基板に凹部を形成した状態を模式的に示す断面図である。
実施形態の応用例に係る焼結体基板の製造方法において、セラミックス基板からマスクを除去した状態を模式的に示す断面図である。
実施形態の応用例に係る焼結体基板の製造方法において、セラミックス基板の凹部に貫通孔を形成した状態を模式的に示す断面図である。
実施形態に係る発光装置を模式的に示す断面図である。
実施形態に係る発光装置の製造方法を例示するフローチャートである。
実施形態に係る発光装置の製造方法において、焼結体基板に接合部材を配置した状態を例示する断面図である。
実施形態に係る発光装置の製造方法において、発光素子を配置した状態を示す断面図である。
実施形態の応用例に係る発光装置の製造方法において、光反射部材を配置した状態を例示する断面図である。
他の実施形態に係る焼結体基板を模式的に示す断面図である。
他の実施形態に係る焼結体基板の製造方法を例示するフローチャートである。
他の実施形態に係る焼結体基板の製造方法において、貫通孔を形成したセラミックス基板を模式的に示す断面図である。
他の実施形態に係る焼結体基板の製造方法において、貫通孔に第1導電ペーストを配置した状態を模式的に示す断面図である。
他の実施形態に係る焼結体基板の製造方法において、第1導電ペーストに接するように第2導電ペーストを配置した状態を模式的に示す断面図である。
他の実施形態に係る焼結体基板の製造方法において、第2導電ペーストに金属箔を貼り合わせた状態を模式的に示す断面図である。
他の実施形態に係る焼結体基板の製造方法において、金属箔を除去した状態を模式的に示す断面図である。
他の実施形態に係る焼結体基板を用いた発光装置を模式的に示す断面図である。
実施例1の金属箔の状態を示す平面写真画像である。
実施例2の金属箔の状態を示す平面写真画像である。
実施例3の金属箔の状態を示す平面写真画像である。
実施例4の金属箔の状態を示す平面写真画像である。
参考例の金属箔の状態を示す平面写真画像である。
【発明を実施するための形態】
【0009】
以下、本開示に係る実施形態について図面を参照しながら説明する。ただし、以下に説明する実施形態は、本開示に係る技術的思想を具体化するためのものであって、特定的な記載がない限り、発明を以下のものに限定しない。一つの実施形態において説明する内容は、他の実施形態及び変形例にも適用可能である。また、図面は実施形態を概略的に示すものであり、説明を明確にするため、各部材のスケールや間隔、位置関係等を誇張し、あるいは、部材の一部の図示を省略している場合がある。各図において示す方向は、構成要素間の相対的な位置を示し、絶対的な位置を示すことを意図したものではない。また、説明の便宜上、断面と表記している場合でも端面の場合があり、その逆もあり得る。なお、同一の名称、符号については、原則として、同一もしくは同質の部材を示しており、詳細説明を適宜省略する。また、実施形態について、「覆う」とは直接接する場合に限らず、間接的に、例えば他の部材を介して覆う場合も含む。また、「配置する」とは直接接する場合に限らず、間接的に、例えば他の部材を介して配置する場合も含む。
【0010】
[焼結体基板]
実施形態に係る焼結体基板10を、図1及び図2を参照しながら説明する。なお、図1は、実施形態に係る焼結体基板を模式的に示す平面図である。図2は、図1のII-II線における斜視断面図である。
(【0011】以降は省略されています)

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