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公開番号2024084070
公報種別公開特許公報(A)
公開日2024-06-24
出願番号2022198249
出願日2022-12-12
発明の名称半導体装置
出願人富士電機株式会社
代理人弁理士法人RYUKA国際特許事務所
主分類H01L 29/78 20060101AFI20240617BHJP(基本的電気素子)
要約【解決手段】トランジスタ部とダイオード部とを備える半導体装置であって、前記ダイオード部は、半導体基板に設けられた複数のトレンチ部と、前記半導体基板に設けられた第1導電型のドリフト領域と、前記ドリフト領域の上方に設けられた第2導電型のアノード領域と、前記アノード領域の上方において前記半導体基板のおもて面に設けられ、前記アノード領域よりもドーピング濃度の高い第2導電型の第2コンタクト領域と、前記第2コンタクト領域の下方に設けられ、前記ドリフト領域よりもドーピング濃度の高い第1導電型のキャリアストップ領域と、を有し、前記キャリアストップ領域は、トレンチ延伸方向において離散的に設けられている半導体装置を提供する。
【選択図】図1C
特許請求の範囲【請求項１】
トランジスタ部とダイオード部とを備える半導体装置であって、
前記ダイオード部は、
半導体基板に設けられた複数のトレンチ部と、
前記半導体基板に設けられた第１導電型のドリフト領域と、
前記ドリフト領域の上方に設けられた第２導電型のアノード領域と、
前記アノード領域の上方において前記半導体基板のおもて面に設けられ、前記アノード領域よりもドーピング濃度の高い第２導電型の第２コンタクト領域と、
前記第２コンタクト領域の下方に設けられ、前記ドリフト領域よりもドーピング濃度の高い第１導電型のキャリアストップ領域と、
を有し、
前記キャリアストップ領域は、トレンチ延伸方向において離散的に設けられている
半導体装置。
続きを表示（約 870 文字）【請求項２】
前記キャリアストップ領域の下端は、前記アノード領域の下端よりも前記半導体基板のおもて面側に位置する
請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記キャリアストップ領域のピークドーピング濃度は、前記アノード領域の深さ方向中央よりも前記半導体基板のおもて面側に位置する
請求項１に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記キャリアストップ領域の上端は、前記第２コンタクト領域の下端と接している
請求項１に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記第２コンタクト領域は、トレンチ延伸方向において離散的に設けられており、
前記キャリアストップ領域は、前記第２コンタクト領域の下方に設けられている
請求項４に記載の半導体装置。
【請求項６】
トレンチ延伸方向において、前記キャリアストップ領域のピッチは、０．４μｍ以上、前記第２コンタクト領域のピッチ以下である
請求項５に記載の半導体装置。
【請求項７】
トレンチ配列方向において、前記キャリアストップ領域の幅は、前記第２コンタクト領域の幅よりも大きい
請求項５に記載の半導体装置。
【請求項８】
前記キャリアストップ領域は、トレンチ配列方向において、トレンチ部の側壁から離間して設けられている
請求項７に記載の半導体装置。
【請求項９】
前記第２コンタクト領域および前記キャリアストップ領域は、トレンチ配列方向において、トレンチ部の側壁から隣接するトレンチ部の側壁まで延伸して設けられている
請求項５に記載の半導体装置。
【請求項１０】
前記第２コンタクト領域は、トレンチ延伸方向に延伸して設けられており、
延伸した前記第２コンタクト領域の下方において、前記キャリアストップ領域は離散的に設けられている
請求項４に記載の半導体装置。
（【請求項１１】以降は省略されています）
発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置に関する。
続きを表示（約 1,000 文字）【背景技術】
【０００２】
特許文献１には、同一の半導体基板にＩＧＢＴ領域とダイオード領域とが設けられた半導体装置が記載されている。
［先行技術文献］
［特許文献］
［特許文献１］特開２０１３－２６５３４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
同一の半導体基板にＩＧＢＴ領域とＦＷＤ領域とが設けられた半導体装置において、ダイオードの逆回復損失を低減した半導体装置を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
本発明の第１の態様においては、トランジスタ部とダイオード部とを備える半導体装置であって、前記ダイオード部は、半導体基板に設けられた複数のトレンチ部と、前記半導体基板に設けられた第１導電型のドリフト領域と、前記ドリフト領域の上方に設けられた第２導電型のアノード領域と、前記アノード領域の上方において前記半導体基板のおもて面に設けられ、前記アノード領域よりもドーピング濃度の高い第２導電型の第２コンタクト領域と、前記第２コンタクト領域の下方に設けられ、前記ドリフト領域よりもドーピング濃度の高い第１導電型のキャリアストップ領域と、を有し、前記キャリアストップ領域は、トレンチ延伸方向において離散的に設けられている半導体装置を提供する。
【０００５】
前記キャリアストップ領域の下端は、前記アノード領域の下端よりも前記半導体基板のおもて面側に位置してよい。
【０００６】
前記キャリアストップ領域のピークドーピング濃度は、前記アノード領域の深さ方向中央よりも前記半導体基板のおもて面側に位置してよい。
【０００７】
前記キャリアストップ領域の上端は、前記第２コンタクト領域の下端と接してよい。
【０００８】
前記第２コンタクト領域は、トレンチ延伸方向において離散的に設けられてよく、前記キャリアストップ領域は、前記第２コンタクト領域の下方に設けられてよい。
【０００９】
トレンチ延伸方向において、前記キャリアストップ領域のピッチは、０．４μｍ以上、前記第２コンタクト領域のピッチ以下であってよい。
【００１０】
トレンチ配列方向において、前記キャリアストップ領域の幅は、前記第２コンタクト領域の幅よりも大きくてよい。
（【００１１】以降は省略されています）

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