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公開番号2025112261
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-07-31
出願番号2024190567
出願日2024-10-30
発明の名称基板処理装置、及び物品の製造方法
出願人キヤノン株式会社
代理人弁理士法人近島国際特許事務所
主分類F26B 21/00 20060101AFI20250724BHJP(乾燥)
要約【課題】乾燥速度の均一性を向上させるのに有利な技術を提供する。
【解決手段】基板処理装置は、排気口を有し、基板が配置される内部空間を画定する容器と、容器の内部に配置された基板の主面に対向するよう、容器の内部に配置されたカバーと、を備える。カバーは、第1空間および第2空間を連通させる第1流路と、第1流路より排気口から遠くに位置し、第1空間および第2空間を連通させる第2流路と、を有する。第1流路は、第1空間の側の第1流路端及び第2空間の側の第2流路端を含む。第2流路は、第1空間の側の第3流路端及び第2空間の側の第4流路端を含む。
【選択図】図1
特許請求の範囲【請求項１】
排気口を有し、基板が配置される内部空間を画定する容器と、
前記容器の内部に配置された前記基板の主面に対向するよう、前記容器の内部に配置されたカバーと、を備え、
前記カバーは、
前記カバーに対して前記基板の側の第１空間、および前記カバーに対して前記基板とは反対の側の第２空間を連通させる第１流路と、
前記第１流路より前記排気口から遠くに位置し、前記第１空間および前記第２空間を連通させる第２流路と、を有し、
前記第１流路は、前記第１空間の側の第１流路端及び前記第２空間の側の第２流路端を含み、
前記第２流路は、前記第１空間の側の第３流路端及び前記第２空間の側の第４流路端を含む、
ことを特徴とする基板処理装置。
続きを表示（約 1,100 文字）【請求項２】
前記第１流路に沿って前記第２流路端から前記第２空間に直線状に延長した第１領域と、前記第２流路に沿って前記第４流路端から前記第２空間に直線状に延長した第２領域とが交差する、
ことを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項３】
前記第１流路に沿って前記第２流路端から前記第２空間に向かう第１方向、及び前記第２流路に沿って前記第４流路端から前記第２空間に向かう第２方向の少なくとも一方が、前記主面に直交する方向に対して傾斜している、
ことを特徴とする請求項２に記載の基板処理装置。
【請求項４】
前記第１流路に沿って前記第２流路端から前記第２空間に向かう第１方向の下流側、及び前記第２流路に沿って前記第４流路端から前記第２空間に向かう第２方向の下流側が互いに近づく方向に向かうように、前記第１方向及び前記第２方向の少なくとも一方が、前記主面に直交する方向に対して傾斜している、
ことを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項５】
前記第１方向は、前記第１方向の下流側が前記排気口から遠ざかる方向に向かうように、前記主面に直交する方向に対して傾斜している、
ことを特徴とする請求項３に記載の基板処理装置。
【請求項６】
前記第１流路は、前記第１流路端を含む第１部分流路と、前記第２流路端を含む第２部分流路と、を含み、
前記第１方向は、前記第２部分流路に沿う方向である、
ことを特徴とする請求項５に記載の基板処理装置。
【請求項７】
前記第２方向は、前記第２方向の下流側が前記排気口に近づく方向に向かうように、前記主面に直交する方向に対して傾斜している、
ことを特徴とする請求項３に記載の基板処理装置。
【請求項８】
前記第２流路は、前記第３流路端を含む第３部分流路と、前記第４流路端を含む第４部分流路と、を含み、
前記第２方向は、前記第４部分流路に沿う方向である、
ことを特徴とする請求項７に記載の基板処理装置。
【請求項９】
前記主面に直交する方向において、前記主面に対する前記第２流路端の高さは、前記主面に対する前記第４流路端の高さより高い、
ことを特徴とする請求項２に記載の基板処理装置。
【請求項１０】
前記カバーは、前記第２流路より前記排気口から遠くに位置し、前記第１空間および前記第２空間を連通させる第３流路を有し、
前記第３流路は、前記第１空間の側の第５流路端及び前記第２空間の側の第６流路端を含む、
ことを特徴とする請求項２に記載の基板処理装置。
（【請求項１１】以降は省略されています）
発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本開示は、基板処理に関する。
続きを表示（約 2,000 文字）【背景技術】
【０００２】
有機ＥＬ（ＥｌｅｃｔｒｏＬｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）素子であるＯＬＥＤ（ＯｒｇａｎｉｃＬｉｇｈｔＥｍｉｔｔｉｎｇＤｉｏｄｅ）を有するパネル（有機ＥＬパネル）などの物品を製造する際に、基板の上の所望の箇所にインクジェット装置を用いて溶液膜を塗布する方法が知られている。溶液膜は、溶質と溶媒とを含む溶液で構成される膜である。基板の上に塗布された溶液膜を乾燥させることで、基板の上に膜（層）が形成される。溶液膜の乾燥には、基板処理装置である減圧乾燥装置が用いられる。
【０００３】
特許文献１には、複数の蒸気透過領域と、複数の蒸気バリア領域とを有するマスクを備える乾燥室が開示されている。複数の蒸気透過領域の各々は、例えば開口である。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
特表２０２１－５３２５４１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
膜厚の均一性の観点から、基板の主面に配置される溶媒には、基板の主面に沿う面内方向において乾燥速度が均一であることが要求される。乾燥速度は、開口などの溶媒蒸気の流路に対する容器の排気口の位置も影響する。
【０００６】
そこで、本開示は、乾燥速度の均一性を向上させるのに有利な技術を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本開示の一態様は、排気口を有し、基板が配置される内部空間を画定する容器と、前記容器の内部に配置された前記基板の主面に対向するよう、前記容器の内部に配置されたカバーと、を備え、前記カバーは、前記カバーに対して前記基板の側の第１空間、および前記カバーに対して前記基板とは反対の側の第２空間を連通させる第１流路と、前記第１流路より前記排気口から遠くに位置し、前記第１空間および前記第２空間を連通させる第２流路と、を有し、前記第１流路は、前記第１空間の側の第１流路端及び前記第２空間の側の第２流路端を含み、前記第２流路は、前記第１空間の側の第３流路端及び前記第２空間の側の第４流路端を含む、ことを特徴とする基板処理装置である。
【発明の効果】
【０００８】
本開示によれば、乾燥速度の均一性を向上させるのに有利な技術が提供される。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
第１実施形態に係る基板処理装置の一例である減圧乾燥装置の構成を示す模式的な断面図である。
第１実施形態に係る基板処理装置の一例である減圧乾燥装置の構成を示す模式的な断面図である。
第１実施形態に係る物品の製造方法のフローチャートである。
第１実施形態に係る乾燥処理における圧力制御の例を示すグラフである。
第１実施形態に係るカバーの流路と容器の排気口との位置関係を示す模式的な断面図である。
（ａ）は第１実施形態の変形例の説明図である。（ｂ）は第１実施形態の別の変形例の説明図である。
第２実施形態に係る減圧乾燥装置の一部の構成の模式的な断面図である。
第２実施形態に係るカバーの流路と容器の排気口との位置関係を示す模式的な断面図である。
第３実施形態に係る減圧乾燥装置の一部の構成の模式的な断面図である。
第３実施形態に係るカバーの流路と容器の排気口との位置関係を示す模式的な断面図である。
比較例１に係るカバーの流路と容器の排気口との位置関係を示す模式的な断面図である。
第４実施形態に係る基板処理装置の一例である減圧乾燥装置の構成を示す模式的な断面図である。
（ａ）は第４実施形態に係る減圧乾燥装置の一部の構成の模式的な平面図である。（ｂ）は第４実施形態に係る減圧乾燥装置の一部の構成の模式的な断面図である。
（ａ）は比較例２に係る減圧乾燥装置の一部の模式図である。（ｂ）は第４実施形態に係る減圧乾燥装置の一部の模式図である。
第４実施形態の変形例に係る基板処理装置の一例である減圧乾燥装置の構成を示す模式的な断面図である。
第５実施形態に係る基板処理装置の一例である減圧乾燥装置の構成を示す模式的な断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下、本開示の例示的な実施形態について、図面を参照しながら詳細に説明する。なお、各図において、同一の部材については同一の参照番号を付し、重複する説明は省略する。以下の実施形態において、方向は直交座標系であるＸＹＺ座標系によって示される。ＸＹＺ座標系において、ＸＹ平面は水平面であり、Ｚ方向は上下方向であり、Ｚ軸のマイナス方向は鉛直方向（重力方向）である。
（【００１１】以降は省略されています）

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