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公開番号2025107248
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-07-17
出願番号2025073902,2023150027
出願日2025-04-28,2010-11-05
発明の名称半導体装置
出願人株式会社半導体エネルギー研究所
代理人
主分類H10D 30/67 20250101AFI20250710BHJP()
要約【課題】良好な特性を備えた、新たな構造の半導体装置を提供することを目的の一とする
。
【解決手段】酸化物半導体層と、酸化物半導体層と電気的に接続するソース電極およびド
レイン電極と、酸化物半導体層、ソース電極およびドレイン電極を覆うゲート絶縁層と、
ゲート絶縁層上のゲート電極と、を有し、ソース電極およびドレイン電極は、その側面が
酸化された酸化領域を有する半導体装置である。なお、ソース電極およびドレイン電極の
酸化領域は、300MHz以上300GHz以下の高周波電力、および、酸素とアルゴン
の混合ガスを用いたプラズマ処理により形成されたものであることが望ましい。
【選択図】図1
特許請求の範囲【請求項１】
酸化物半導体層と、
前記酸化物半導体層と電気的に接続された、ソース電極およびドレイン電極と、
前記酸化物半導体層、前記ソース電極、および前記ドレイン電極を覆う領域を有するゲート絶縁層と、
前記ゲート絶縁層上のゲート電極と、を有し、
前記ソース電極および前記ドレイン電極の各々は、その側面が酸化された酸化領域を有する、半導体装置。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
発明の技術分野は、半導体装置及びその作製方法に関する。ここで、半導体装置とは、半
導体特性を利用することで機能する素子および装置全般を指すものである。
続きを表示（約 2,300 文字）【背景技術】
【０００２】
金属酸化物は多様に存在し、さまざまな用途に用いられている。酸化インジウムはよく知
られた材料であり、液晶表示装置などに必要とされる透明電極の材料として用いられてい
る。
【０００３】
金属酸化物の中には半導体特性を示すものがある。半導体特性を示す金属酸化物としては
、例えば、酸化タングステン、酸化錫、酸化インジウム、酸化亜鉛などがあり、このよう
な金属酸化物をチャネル形成領域に用いた薄膜トランジスタが既に知られている（例えば
、特許文献１乃至特許文献４、非特許文献１等参照）。
【０００４】
ところで、金属酸化物には、多元系酸化物も知られている。例えば、ホモロガス相を有す
るＩｎＧａＯ
３
（ＺｎＯ）
ｍ
（ｍ：自然数）は、Ｉｎ、ＧａおよびＺｎを有する多元系酸
化物半導体として知られている（例えば、非特許文献２乃至非特許文献４等参照）。
【０００５】
そして、上記のようなＩｎ－Ｇａ－Ｚｎ系酸化物で構成される酸化物半導体も、薄膜トラ
ンジスタのチャネル形成領域に適用可能であることが確認されている（例えば、特許文献
５、非特許文献５および非特許文献６等参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
特開昭６０－１９８８６１号公報
特開平８－２６４７９４号公報
特表平１１－５０５３７７号公報
特開２０００－１５０９００号公報
特開２００４－１０３９５７号公報
【非特許文献】
【０００７】
Ｍ．Ｗ．Ｐｒｉｎｓ，Ｋ．Ｏ．Ｇｒｏｓｓｅ－Ｈｏｌｚ，Ｇ．Ｍｕｌｌｅｒ，Ｊ．Ｆ．Ｍ．Ｃｉｌｌｅｓｓｅｎ，Ｊ．Ｂ．Ｇｉｅｓｂｅｒｓ，Ｒ．Ｐ．Ｗｅｅｎｉｎｇ，ａｎｄＲ．Ｍ．Ｗｏｌｆ、「Ａｆｅｒｒｏｅｌｅｃｔｒｉｃｔｒａｎｓｐａｒｅｎｔｔｈｉｎ－ｆｉｌｍｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ」、Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．、１７Ｊｕｎｅ１９９６、Ｖｏｌ．６８ｐ．３６５０－３６５２
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【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
ところで、現状の酸化物半導体を用いたトランジスタは、実用に十分な特性を有している
とは言い難く、Ｓ値やオンオフ比、信頼性などのトランジスタの諸特性に関して、より優
れたものが求められている。
【０００９】
そこで、開示する発明の一態様は、良好な特性を備えた、新たな構造の半導体装置を提供
することを目的の一とする。
【００１０】
または、新たな構造の半導体装置の作製方法を提供することを目的の一とする。
【課題を解決するための手段】
（【００１１】以降は省略されています）

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