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公開番号2025107139
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-07-17
出願番号2024193843
出願日2024-11-05
発明の名称基板処理装置、基板処理方法及びフィルタ
出願人東京エレクトロン株式会社
代理人弁理士法人弥生特許事務所
主分類H01L 21/027 20060101AFI20250710BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】金属含有レジスト膜について、安定したパターニングを行うこと。
【解決手段】本開示の基板処理装置は、基板に形成した金属含有レジスト膜を露光して現像することで行われるパターニングに用いられる基板処理装置において、前記基板処理装置内にガスを供給する流路にて下流側に向けて並んで前記ガス中の異なる物質を各々除去する複数のフィルタ部からなるケミカルフィルタが設けられ、前記複数のフィルタ部には、酸性物質を除去するための酸フィルタ部と、塩基性物質を除去するための塩基フィルタ部と、が含まれる。
【選択図】図4
特許請求の範囲【請求項１】
基板に形成した金属含有レジスト膜を露光して現像することで行われるパターニングに用いられる基板処理装置において、
前記基板処理装置内にガスを供給する流路にて下流側に向けて並んで前記ガス中の異なる物質を各々除去する複数のフィルタ部からなるケミカルフィルタが設けられ、
前記複数のフィルタ部には、酸性物質を除去するための酸フィルタ部と、塩基性物質を除去するための塩基フィルタ部と、が含まれる基板処理装置。
続きを表示（約 1,200 文字）【請求項２】
前記酸フィルタ部は前記塩基フィルタ部の下流側に設けられる請求項１記載の基板処理装置。
【請求項３】
前記複数のフィルタ部には、前記ガス中の有機物を除去する有機フィルタ部が含まれ、
前記有機フィルタ部は、前記流路において前記塩基フィルタ部の上流側に設けられる請求項２記載の基板処理装置。
【請求項４】
前記複数のフィルタ部には、前記ガス中の有機物を除去する有機フィルタ部が含まれ、
前記酸フィルタ部、前記有機フィルタ部、前記塩基フィルタ部の順で下流側に向けて設けられる請求項１記載の基板処理装置。
【請求項５】
前記ケミカルフィルタとして、前記基板処理装置内の異なる空間に前記ガスを供給する第１流路、第２流路に夫々設けられる第１ケミカルフィルタ及び第２ケミカルフィルタが設けられ、
前記第１ケミカルフィルタと前記第２ケミカルフィルタとでは、
前記ガス中の有機物を除去するための有機フィルタ部の有無、前記フィルタ部の並ぶ順番、除去対象が同じフィルタ部の厚さのうちの少なくともいずれかが異なる請求項１記載の基板処理装置。
【請求項６】
前記第１ケミカルフィルタ及び前記第２ケミカルフィルタのうち第１ケミカルフィルタのみに前記有機フィルタ部が含まれ、
前記酸フィルタ部または前記塩基フィルタ部について、前記第２ケミカルフィルタにおける厚さの方が、前記第１ケミカルフィルタにおける厚さよりも大きい請求項５記載の基板処理装置。
【請求項７】
前記複数のフィルタ部のうちの一のフィルタ部と、前記流路を下流側に見て前記一のフィルタ部の次に設けられる他のフィルタ部との間には、隙間が設けられる請求項１記載の基板処理装置。
【請求項８】
基板に形成した金属含有レジスト膜を露光して現像することでパターニングする基板処理方法において、
流路にて下流側に向けて並んで前記ガス中の異なる物質を各々除去する複数のフィルタ部からなるケミカルフィルタを通過したガスを、前記パターニングを行うための基板処理装置内に供給する工程を備え、
前記複数のフィルタ部には、酸性物質を除去するための酸フィルタ部と、塩基性物質を除去するための塩基フィルタ部と、が含まれる基板処理方法。
【請求項９】
基板に形成した金属含有レジスト膜を露光して現像するパターニングを行う基板処理装置に用いられるケミカルフィルタにおいて、
前記基板処理装置内にガスを供給する流路にて下流側に向けて並んで前記ガス中の異なる物質を各々除去する複数のフィルタ部からなり、
前記複数のフィルタ部には、酸性物質を除去するための酸フィルタ部と、塩基性物質を除去するための塩基フィルタ部と、が含まれるケミカルフィルタ。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本開示は、基板処理装置、基板処理方法及びフィルタに関する。
続きを表示（約 2,100 文字）【背景技術】
【０００２】
半導体デバイスの製造工程においては、基板である半導体ウエハ（以下、ウエハと記載する）をシステム内で搬送することで、各種の処理が行われる。例えば特許文献１に示されるように、システム内にはフィルタを通過して清浄化されたガスが供給され、ウエハが搬送及び処理される雰囲気がクリーンに保たれる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
特開２０２１－１５０３７２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本開示は、金属含有レジスト膜について、安定したパターニングを行うことができる技術を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本開示の基板処理装置は、基板に形成した金属含有レジスト膜を露光して現像することで行われるパターニングに用いられる基板処理装置において、
前記基板処理装置内にガスを供給する流路にて下流側に向けて並んで前記ガス中の異なる物質を各々除去する複数のフィルタ部からなるケミカルフィルタが設けられ、
前記複数のフィルタ部には、酸性物質を除去するための酸フィルタ部と、塩基性物質を除去するための塩基フィルタ部と、が含まれる。
【発明の効果】
【０００６】
本開示は、金属含有レジスト膜について、安定したパターニングを行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
ケミカルフィルタが適用されるウエハ処理システムの平面図である。
前記ウエハ処理システムの縦断正面図である。
前記ウエハ処理システムの概略図である。
第１実施例の前記ケミカルフィルタの縦断側面図である
前記ケミカルフィルタの作用を説明する模式図である。
前記ケミカルフィルタの作用を説明する模式図である。
前記ケミカルフィルタの作用を説明する模式図である。
前記ケミカルフィルタの作用を説明する模式図である。
第２実施例の前記ケミカルフィルタの縦断側面図である。
第３実施例の前記ケミカルフィルタの縦断側面図である。
前記ウエハ処理システムの一部を示す縦断側面図である。
前記ウエハ処理システムの他の構成例を示す縦断側面図である。
第４実施例の前記ケミカルフィルタの縦断側面図である。
第４実施例の他の前記ケミカルフィルタの縦断側面図である。
第５実施例の前記ケミカルフィルタの縦断側面図である。
第６実施例の前記ケミカルフィルタの縦断側面図である。
第７実施例の前記ケミカルフィルタの縦断側面図である。
第８実施例の前記ケミカルフィルタの縦断側面図である。
前記ウエハ処理システムの他の構成例を示す縦断側面図である。
前記ウエハ処理システムの他の構成例を示す縦断側面図である。
前記ウエハ処理システムの他の構成例を示す縦断側面図である。
前記ウエハ処理システムのさらに他の構成例を示す平面図である。
前記ウエハ処理システムをなすカセットステーションの縦断正面図である。
前記カセットステーションの横断平面図である。
前記ウエハ処理システムをなすインターフェイスステーションの縦断正面図である。
ケミカルフィルタを含む筒体の縦断側面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
以下、本実施形態にかかる基板処理装置としてのウエハ処理システムについて、図面を参照しながら説明する。なお、本明細書において、実質的に同一の機能構成を有する要素においては、同一の符号を付することにより重複説明を省略する。
【０００９】
＜ウエハ処理システム＞
先ず、本実施形態にかかるウエハ処理システムの構成について説明する。図１、２は、それぞれウエハ処理システム１の構成の概略を模式的に示す平面図、正面図である。本実施形態においては、ウエハ処理システム１が円形の基板であるウエハＷに対してレジスト膜の形成処理および現像処理を行うフォトリソグラフィー処理システムである場合を一例として説明する。
【００１０】
ウエハ処理システム１は、図１に示すように複数枚のウエハＷを収容したカセットＣが搬入出されるカセットステーション２と、ウエハＷに所定の処理を施す複数の各種処理装置を備えた処理ステーション３と、を有する。そしてウエハ処理システム１は、カセットステーション２と、処理ステーション３と処理ステーション３とは反対側に隣接する露光装置（図示せず）との間でウエハＷの受け渡しを行うインターフェイスステーション４とを一体に接続した構成を有している。なお、処理ステーション３は図１に示すようにカセットステーション２とインターフェイスステーション４の間に２基設置されているが、１基でもよく３基以上設置されてもよい。
（【００１１】以降は省略されています）

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