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公開番号2025106519
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-07-15
出願番号2025065776,2020166105
出願日2025-04-11,2020-09-30
発明の名称膜形成方法、および物品の製造方法
出願人キヤノン株式会社
代理人弁理士法人大塚国際特許事務所
主分類H01L 21/027 20060101AFI20250708BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】基板上に精度よく膜を形成するために有利な技術を提供する。
【解決手段】基板上に平坦化膜を形成する膜形成方法は、前記基板は、第1凹部と第2凹部とを含む領域を有し、前記第1凹部は、前記第2凹部より幅が広く、前記膜形成方法は、前記第1凹部の内部に対して選択的に第1材料を供給し、前記第1材料を成形する第1工程と、前記第2凹部が第2材料で充填され、且つ前記領域の全域にわたって前記第2材料の平坦化膜が形成されるように、前記領域上に前記第2材料を供給し、前記第2材料とスーパーストレートとを接触させて前記第2材料を成形する第2工程と、を含む。
【選択図】図5
特許請求の範囲【請求項１】
基板上に平坦化膜を形成する膜形成方法であって、
前記基板は、第１凹部と第２凹部とを含む領域を有し、
前記第１凹部は、前記第２凹部より幅が広く、
前記膜形成方法は、
前記第１凹部の内部に対して選択的に第１材料を供給し、前記第１材料を成形する第１工程と、
前記第２凹部が第２材料で充填され、且つ前記領域の全域にわたって前記第２材料の平坦化膜が形成されるように、前記領域上に前記第２材料を供給し、前記第２材料とスーパーストレートとを接触させて前記第２材料を成形する第２工程と、
を含むことを特徴とする膜形成方法。
続きを表示（約 1,000 文字）【請求項２】
前記第１工程では、前記第１凹部の位置および容積の少なくとも一方に関する情報に基づいて、前記第１凹部の内部に対して選択的に前記第１材料を供給する、ことを特徴とする請求項１に記載の膜形成方法。
【請求項３】
前記第１工程の前に、前記第１凹部の位置および容積の少なくとも一方を計測して前記情報を得る計測工程を更に含む、ことを特徴とする請求項２に記載の膜形成方法。
【請求項４】
前記第１材料は、成形前後で体積が変化する材料であり、
前記第１工程では、成形後における前記第１材料の体積が前記第１凹部の容積に近づくように、前記第１材料を前記第１凹部の内部に供給する、ことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の膜形成方法。
【請求項５】
前記第１材料は、成形前後で体積が変化する材料であり、
前記第１工程では、成形後における前記第１材料の厚さが前記第１凹部の深さの±２０％の範囲内に収まるように、前記第１材料を前記第１凹部の内部に供給する、ことを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の膜形成方法。
【請求項６】
前記第１材料は、成形前より成形後の方が体積が減少する材料であり、
前記第１工程では、前記第１凹部の容積より多い量の前記第１材料を前記第１凹部の内部に供給する、ことを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の膜形成方法。
【請求項７】
前記第１工程における前記第１材料の成形は、前記第１凹部に内部に供給された前記第１材料を固体化することを含む、ことを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載の膜形成方法。
【請求項８】
前記第１工程では、前記第１凹部の内部に供給された前記第１材料が前記第１凹部に充填されるまで待機することにより前記第１材料を成形する、ことを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項に記載の膜形成方法。
【請求項９】
前記第１凹部は、前記第２凹部より容積が大きい、ことを特徴とする請求項１乃至８のいずれか１項に記載の膜形成方法。
【請求項１０】
前記第１凹部および前記第２凹部はそれぞれ、矩形形状である縁を少なくとも１つ含む、ことを特徴とする請求項１乃至９のいずれか１項に記載の膜形成方法。
（【請求項１１】以降は省略されています）
発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は、膜形成方法、および物品の製造方法に関する。
続きを表示（約 1,600 文字）【背景技術】
【０００２】
ウエハ等の基板の表面上に平坦な膜を形成する技術は、多層配線が必要な半導体製造工程において重要な技術の１つである。特許文献１には、表面に複数の凹凸形状の加工部を有する基板上に平坦化膜を形成する方法が提案されている。また、特許文献２には、トポグラフィを有する基板上に平坦化膜を形成する方法が提案されている。特許文献１，２に記載の方法では、基板上にレジストを滴下し、当該レジストにブランクテンプレートを押し当てた状態で当該レジストを硬化させ、その後、当該レジストからブランクテンプレートを剥離することで、基板上に平坦なレジスト膜を形成している。また、特許文献２には、基板のトポグラフィのばらつきに応じて、基板上に供給する材料（レジスト）の体積を変化させることも開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
特表２００５－５３２５７６号公報
特開２０１６－２１９６７９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
基板によっては、比較的大きな凹部（以下、バスタブ部と呼ぶことがある）が表面に形成されていることがある。バスタブ部では、基板上に形成される膜において、他の部分より大きな段差・窪みが生じ易い。つまり、当該バスタブ部を有する基板では、その表面上に精度よく膜（例えば平坦化膜）を形成することが困難になりうる。
【０００５】
そこで、本発明は、基板上に精度よく膜を形成するために有利な技術を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記目的を達成するために、本発明の一側面としての膜形成方法は、基板上に平坦化膜を形成する膜形成方法であって、前記基板は、第１凹部と第２凹部とを含む領域を有し、前記第１凹部は、前記第２凹部より幅が広く、前記膜形成方法は、前記第１凹部の内部に対して選択的に第１材料を供給し、前記第１材料を成形する第１工程と、前記第２凹部が第２材料で充填され、且つ前記領域の全域にわたって前記第２材料の平坦化膜が形成されるように、前記領域上に前記第２材料を供給し、前記第２材料とスーパーストレートとを接触させて前記第２材料を成形する第２工程と、を含むことを特徴とする。
【０００７】
本発明の更なる目的又はその他の側面は、以下、添付図面を参照して説明される好ましい実施形態によって明らかにされるであろう。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、例えば、基板上に精度よく膜を形成するために有利な技術を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
従来技術の課題を説明するための図
従来技術の課題を説明するための図
本発明に係る膜形成装置の構成例を示すブロック図
本発明に係る膜形成装置の各機構の構成例を示す概略図
本発明に係る膜形成方法を示すフローチャート
本発明に係る膜形成方法の具体例を示す図
本発明に係る膜形成方法の具体例を示す図
本発明に係る膜形成方法の具体例を示す図
本発明に係る膜形成方法の変形例を示すフローチャート
物品の製造方法を説明するための図
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下、添付図面を参照して実施形態を詳しく説明する。なお、以下の実施形態は特許請求の範囲に係る発明を限定するものではない。実施形態には複数の特徴が記載されているが、これらの複数の特徴の全てが発明に必須のものとは限らず、また、複数の特徴は任意に組み合わせられてもよい。さらに、添付図面においては、同一若しくは同様の構成に同一の参照番号を付し、重複した説明は省略する。
（【００１１】以降は省略されています）

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