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公開番号2025100458
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-07-03
出願番号2024221762
出願日2024-12-18
発明の名称マルチゾーン制御を有する基材支持体用の装置
出願人エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー
代理人個人,個人,個人
主分類H01L 21/683 20060101AFI20250626BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】マルチゾーン制御を有する基材支持体のための装置に関する。
【解決手段】本技術の様々な実施形態は、第1の温度プロファイルを有する第1の領域、第2の温度プロファイルを有する第2の領域、および第3の温度プロファイルを有する第3の領域を有する表面を有する基材支持装置を提供し得る。また、基材支持装置は、本体内に埋め込まれ、第1の領域と第2の領域との間に配置される第1のチャネルと、第2の領域と第3の領域との間に配置される第2のチャネルとを有してもよい。
【選択図】図3
特許請求の範囲【請求項１】
基材支持装置であって、
第１の表面および対向する第２の表面を備え、セラミック材料から形成されている本体であって、前記第１の表面が、
第１の接触抵抗および第１の温度プロファイルを有する第１の領域と、
第２の接触抵抗および第２の温度プロファイルを有する第２の領域と、
第３の接触抵抗および第３の温度プロファイルを有する第３の領域と、を備える本体と、
前記第２の表面に連結されたペデスタルと、
前記本体内に埋め込まれた複数のチャネルであって、
前記第１の領域と前記第２の領域との間に配置されている第１のチャネルと、
前記第２の領域と前記第３の領域との間に配置されている第２のチャネルと、を備えた複数のチャネルと、
前記本体内に埋め込まれている複数の発熱体と、を備える基材支持装置。
続きを表示（約 1,000 文字）【請求項２】
前記第１の領域、第２の領域、および第３の領域が同心である、請求項１に記載の基材支持装置。
【請求項３】
前記第１の領域が前記本体の幾何中心に位置し、前記第２の領域が前記第１の領域から半径方向外側にあり、前記第３の領域が前記第２の領域から半径方向外側にある、請求項１に記載の基材支持装置。
【請求項４】
請求項１に記載の基材支持装置であって、
前記第１の領域が、第１の表面積を有し、第１の放熱率を有する第１の材料から形成されており、
前記第２の領域が、第２の表面積を有し、第２の放熱率を有する第２の材料であって、前記第１の材料とは異なる前記第２の材料から形成されており、
前記第３の領域が、第３の表面積を有し、第３の放熱率を有する第３の材料であって、前記第２の材料とは異なる前記第３の材料から形成されている、基材支持装置。
【請求項５】
前記本体内に埋め込まれ、前記複数の発熱体の上方に位置する複数の電極をさらに備え、前記本体が、ＡｌＮ、ＳｉＣ、ＳｉＮ、ＡｌＯｘ、およびＢｅＣのうちの１つを含むセラミック材料から形成されている、請求項１に記載の基材支持装置。
【請求項６】
前記複数のチャネルが同心である、請求項１に記載の基材支持装置。
【請求項７】
前記複数のチャネルが、空気およびヘリウムのうちの少なくとも１つを収容することができる、請求項１に記載の基材支持装置。
【請求項８】
基材支持装置であって、
第１の表面および対向する第２の表面を有するセラミック材料から形成されている本体であって、前記第１の表面が、
第１の温度プロファイルを有する第１の領域と、
第２の温度プロファイルを有する第２の領域と、
第３の温度プロファイルを有する第３の領域と、を備える本体と、
前記第２の表面に連結されたペデスタルと、
前記本体内に埋め込まれた複数の発熱体と、を備える、基材支持装置。
【請求項９】
前記第１の領域、第２の領域、および第３の領域が同心である、請求項８に記載の基材支持装置。
【請求項１０】
前記第１の領域が前記本体の幾何中心に位置し、前記第２の領域が前記第１の領域から半径方向外側にあり、前記第３の領域が前記第２の領域から半径方向外側に位置する、請求項８に記載の基材支持装置。
（【請求項１１】以降は省略されています）
発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本開示は概して、マルチゾーン制御を有する基材支持体のための装置に関する。より具体的には、本開示は、複数の温度プロファイルを有する基材支持体に関する。
続きを表示（約 1,300 文字）【背景技術】
【０００２】
半導体製造で使用される一部の反応チャンバは、処理中にウエハなどの基材を保持するために基材支持装置を利用している。また、基材支持装置は、ウエハを所望の温度に加熱するために使用される場合がある。従来の基材支持体は、特定のプロセスに対して所望の温度プロファイルを提供しない場合がある。したがって、マルチゾーン温度制御を有する基材支持体を有することが望ましい場合がある。
【発明の概要】
【０００３】
本技術の様々な実施形態は、第１の温度プロファイルを有する第１の領域、第２の温度プロファイルを有する第２の領域、および第３の温度プロファイルを有する第３の領域を有する表面を有する基材支持装置を提供し得る。また、基材支持装置は、本体内に埋め込まれ、第１の領域と第２の領域との間に配置されている第１のチャネルと、第２の領域と第３の領域との間に配置されている第２のチャネルとを有してもよい。
【０００４】
一態様によれば、基材支持装置であって、第１の表面および対向する第２の表面を有する、セラミック材料から形成されている本体であって、第１の表面が、第１の接触抵抗および第１の温度プロファイルを有する第１の領域と、第２の接触抵抗および第２の温度プロファイルを有する第２の領域と、第３の接触抵抗および第３の温度プロファイルを有する第３の領域と、を有する本体と、第２の表面に連結されたペデスタルと、本体内に埋め込まれた複数の発熱体であって、第１の領域と第２の領域との間に配置されている第１のチャネルと、第２の領域と第３の領域との間に配置されている第２のチャネルと、を備えた本体内に埋め込まれた複数の発熱体と、を備える。
【０００５】
一実施形態では、第１、第２、および第３の領域は同心である。
【０００６】
一実施形態では、第１の領域は本体の幾何中心に位置し、第２の領域は第１の領域から半径方向外側にあり、第３の領域は第２の領域から半径方向外側にある。
【０００７】
一実施形態では、第１の領域は第１の表面積を有し、第１の放熱率を有する第１の材料から形成されており、第２の領域は第２の表面積を有し、第２の放熱率を有する第２の材料から形成されており、第２の材料は第１の材料とは異なり、第３の領域は、第３の表面積を有し、第３の放熱率を有する第３の材料であって、第２の材料とは異なる第３の材料から形成されている。
【０００８】
一実施形態では、装置は、本体内に埋め込まれ、複数の発熱体の上方に位置する複数の電極をさらに備え、本体は、ＡｌＮ、ＳｉＣ、ＳｉＮ、ＡｌＯｘ、およびＢｅＣのうちの１つを含むセラミック材料から形成されている。
【０００９】
一実施形態では、複数のチャネルは同心である。
【００１０】
一実施形態では、複数のチャネルは、空気およびヘリウムのうちの少なくとも１つを収容することができる。
（【００１１】以降は省略されています）

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