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公開番号2025097829
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-07-01
出願番号2023214266
出願日2023-12-19
発明の名称半導体製造装置、半導体装置の製造方法
出願人キオクシア株式会社
代理人個人,個人,個人
主分類H01L 21/60 20060101AFI20250624BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】より適切に対象物に半導体チップを接続することが可能な半導体製造装置が提供される。
【解決手段】半導体製造装置は、対象物に半導体チップを接続するための半導体製造装置であって、コレットと、ホルダと、を備える。コレットは、弾性材料により形成されており、半導体チップと接触する。ホルダは、コレットを保持する。ホルダの表面には、コレットが挿入される凹部が形成されている。凹部の底面の中央部には、凹部の底面の他の部分と比較して凹部の底面からの突出量が最も大きい突出部が形成されている。
【選択図】図3
特許請求の範囲【請求項１】
対象物に半導体チップを接続するための半導体製造装置であって、
弾性材料により形成されており、前記半導体チップと接触するコレットと、
前記コレットを保持するホルダと、を備え、
前記ホルダの表面には、前記コレットが挿入される凹部が形成され、
前記凹部の底面の中央部には、前記凹部の底面の他の部分と比較して前記凹部の底面からの突出量が最も大きい突出部が形成されている
半導体製造装置。
続きを表示（約 1,100 文字）【請求項２】
前記突出部の周囲には、前記凹部の底面からの突出量が前記突出部の突出量よりも小さい段差部が形成されている
請求項１に記載の半導体製造装置。
【請求項３】
前記突出部の周囲には、前記段差部が複数形成されており、
前記複数の段差部は、前記突出部から外側に向かうほど前記凹部の底面からの突出量が段階的に小さくなるように形成されている
請求項２に記載の半導体製造装置。
【請求項４】
前記ホルダには、前記凹部の底面に開口する通気孔が前記段差部にのみ形成されており、
前記コレットには、前記半導体チップと接触する表面から、前記ホルダの前記凹部の底面に対向する背面に貫通する貫通孔が形成されており、
前記ホルダの前記通気孔及び前記コレットの前記貫通孔を通じて真空引きされることにより、前記半導体チップを前記コレットに接触した状態で保持可能である
請求項２に記載の半導体製造装置。
【請求項５】
前記コレットは、直方体状に形成されており、
前記ホルダの前記凹部は、前記コレットに対応した直方体状に形成されており、
前記段差部は、直方体状に形成されている
請求項２に記載の半導体製造装置。
【請求項６】
前記段差部の角部は、前記ホルダの前記凹部の角部に向かって延びるように変形している
請求項５に記載の半導体製造装置。
【請求項７】
前記凹部の底面には、長穴状の複数の溝部が形成されており、
前記ホルダには、前記複数の溝部の底面に開口する通気孔が形成されており、
前記コレットには、前記半導体チップと接触する表面から、前記複数の溝部に対向する背面に貫通する貫通孔が形成されており、
前記ホルダの前記通気孔及び前記コレットの前記貫通孔を通じて真空引きされることにより、前記半導体チップを前記コレットに接触した状態で保持可能である
請求項１に記載の半導体製造装置。
【請求項８】
前記突出部は、前記複数の溝部のうち、隣り合う２つの所定の溝部の間に形成されるとともに、前記２つの所定の溝部に沿って細長状に延びるように形成されている
請求項７に記載の半導体製造装置。
【請求項９】
前記コレットは、ショアＡ硬さＨａ５０以上であって、且つショアＡ硬さＨａ１００以下の硬度を有している
請求項１に記載の半導体製造装置。
【請求項１０】
前記コレットは、硬度の異なる２種類以上の材料により形成されている
請求項１に記載の半導体製造装置。
（【請求項１１】以降は省略されています）
発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、半導体製造装置、及び半導体装置の製造方法に関する。
続きを表示（約 1,800 文字）【背景技術】
【０００２】
基板に半導体チップを接続するための半導体製造装置が知られている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
特開２０１５－１６４２３１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
開示された実施形態によれば、より適切に対象物に半導体チップを接続することが可能な半導体製造装置、及び半導体装置の製造方法が提供される。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
実施形態の半導体製造装置は、対象物に半導体チップを接続するための半導体製造装置であって、コレットと、ホルダと、を備える。コレットは、弾性材料により形成されており、半導体チップと接触する。ホルダは、コレットを保持する。ホルダの表面には、コレットが挿入される凹部が形成されている。凹部の底面の中央部には、凹部の底面の他の部分と比較して凹部の底面からの突出量が最も大きい突出部が形成されている。
【０００６】
実施形態の半導体装置の製造方法は、対象物に半導体チップを接続するための半導体装置の製造方法であって、上記の半導体製造装置を用いて、コレットに接触している半導体チップを対象物に接続する。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
第１実施形態の半導体製造装置の正面構造を示す正面図。
第１実施形態の半導体製造装置の斜視構造を示す斜視図。
第１実施形態のホルダの斜視構造を示す斜視図。
第１実施形態のホルダの平面構造を示す平面図。
図４のＶ－Ｖ線に沿った断面構造を示す断面図。
図２のＶＩ－ＶＩ線に沿った断面構造を示す断面図。
（Ａ），（Ｂ）は、第１実施形態の半導体製造装置の動作例をそれぞれ示す正面図及び断面図。
（Ａ），（Ｂ）は、第１実施形態の半導体製造装置の動作例をそれぞれ示す断面図。
（Ａ），（Ｂ）は、第１実施形態の半導体製造装置の動作例をそれぞれ示す断面図。
（Ａ）～（Ｄ）は、第１実施形態の半導体チップに付与される圧力の推移を模式的に示す図。
第１実施形態の半導体製造装置の断面構造を示す断面図。
（Ａ）～（Ｄ）は、第１実施形態の半導体チップに付与される圧力の推移を模式的に示す図。
比較例のホルダの平面構造を示す平面図。
（Ａ）～（Ｄ）は、比較例の半導体チップに付与される圧力の推移を模式的に示す図。
比較例のコレット及び半導体チップＣのそれぞれの正面構造を示す正面図。
第１実施形態の変形例の半導体製造装置の斜視構造を示す斜視図。
第２実施形態のホルダの斜視構造を示す斜視図。
第２実施形態のホルダの平面構造を示す平面図。
第２実施形態の半導体製造装置の斜視構造を示す斜視図。
図１９のＸＸ－ＸＸ線に沿った断面構造を示す断面図。
（Ａ），（Ｂ）は、第２実施形態の半導体製造装置の動作例をそれぞれ示す断面図。
（Ａ），（Ｂ）は、他の実施形態のコレットの正面構造を示す正面図。
他の実施形態のコレットの底面構造を示す底面図。
他の実施形態のコレットの正面構造を示す正面図。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
以下、実施形態について図面を参照しながら説明する。説明の理解を容易にするため、各図面において同一の構成要素に対しては可能な限り同一の符号を付して、重複する説明は省略する。
【０００９】
１第１実施形態
第１実施形態の半導体製造装置、及び半導体装置の製造方法について説明する。
【００１０】
１．１半導体製造装置の概要
図１は、本実施形態の半導体製造装置１０の正面構造を示す正面図である。本実施形態の半導体製造装置１０は、半導体チップＣを基板Ｍ上に接続する装置である。半導体チップＣは、パッケージングされていないベアチップである。半導体製造装置１０は、所定のウェハ上に形成された半導体チップＣをピックアップした後、その半導体チップＣを反転させて基板Ｍにボンディングする、いわゆるフリップチップボンディング装置である。
（【００１１】以降は省略されています）

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