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公開番号2025087273
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-06-10
出願番号2023201810
出願日2023-11-29
発明の名称パターン形成方法及びレジスト組成物
出願人株式会社日本触媒,ユニベルシテイトファンアムステルダム
代理人個人,個人
主分類G03F 7/027 20060101AFI20250603BHJP(写真;映画;光波以外の波を使用する類似技術;電子写真;ホログラフイ)
要約【課題】極端紫外線(EUV)又は電子線によるリソグラフィにおける低露光量でのパターン形成に適したパターン形成方法及びレジスト組成物を提供する。
【解決手段】提供されるパターン形成方法は、レジスト組成物を基板上に塗布する工程と、極端紫外線又は電子線で露光する工程と、現像液を用いて現像する工程と、を含む。レジスト組成物は、以下の式(1)により表される化合物Aと、溶媒とを含む。式(1)のR¹は、水素原子又はメチル基である。
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【選択図】図1
特許請求の範囲【請求項１】
レジスト組成物を基板上に塗布する工程と、極端紫外線又は電子線で露光する工程と、現像液を用いて現像する工程と、を含み、
前記レジスト組成物は、以下の式（１）により表される化合物Ａと、溶媒とを含み、
前記式（１）のＲ
1
は、水素原子又はメチル基である、
パターン形成方法。
TIFF
2025087273000011.tif
40
170
続きを表示（約 810 文字）【請求項２】
前記極端紫外線の露光量が２０ｍＪ／ｃｍ
2
以下である、請求項１に記載のパターン形成方法。
【請求項３】
前記基板が、シリコン、ＳｉＣ、窒化物半導体、ＧａＡｓ及びＡｌＧａＡｓからなる群から選択される少なくとも１種を含む、請求項１に記載のパターン形成方法。
【請求項４】
前記基板が絶縁膜を有し、
前記絶縁膜上に前記レジスト組成物を塗布する、請求項１に記載のパターン形成方法。
【請求項５】
前記基板が、前記絶縁膜上に形成された有機膜をさらに有し、
前記有機膜上に前記レジスト組成物を塗布する、請求項４に記載のパターン形成方法。
【請求項６】
前記レジスト組成物における前記化合物Ａの含有率が０．１質量％以上１０質量％以下である、請求項１に記載のパターン形成方法。
【請求項７】
前記レジスト組成物は、１質量％未満の含有率で樹脂を含む、請求項１に記載のパターン形成方法。
【請求項８】
前記溶媒は、グリコールエーテル類を含む、請求項１に記載のパターン形成方法。
【請求項９】
前記現像液は、４－メチル－２－ペンタノール、１－ブタノール、イソプロパノール、乳酸エチル、テトラヒドロフラン、ジオキサン、アニソール、又は、テトラメチルアンモニウムヒドロキシドを１０質量％以上の含有率で含む、請求項１に記載のパターン形成方法。
【請求項１０】
以下の式（１）により表される化合物Ａと、溶媒とを含み、
前記式（１）のＲ
1
は、水素原子又はメチル基である、
レジスト組成物。
TIFF
2025087273000012.tif
40
170
（【請求項１１】以降は省略されています）
発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は、パターン形成方法及びレジスト組成物に関する。
続きを表示（約 1,400 文字）【背景技術】
【０００２】
極端紫外線（Extreme Ultraviolet；以下、「ＥＵＶ」と記載）又は電子線によるリソグラフィは、半導体デバイスの製造における高解像度の微細加工法として有望視されている。特許文献１には、上記リソグラフィへの適用によって、良好な膜質及び基板との密着性を有するレジストパターンの形成が可能なレジスト組成物と、当該レジスト組成物を用いたパターン形成方法とが開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
国際公開第２０２２／２０９９５０号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明者らの検討によれば、特許文献１のレジスト組成物及びパターン形成方法は、ＥＵＶ及び電子線に対する露光感度の観点から改善の余地がある。本発明は、ＥＵＶ又は電子線によるリソグラフィにおける低露光量でのパターン形成に適したパターン形成方法及びレジスト組成物の提供を目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明者らは、露光感度の改善に（メタ）アクリル酸亜鉛が適していることを見出し、これに基づいて本発明を完成させた。
【０００６】
本発明は、
レジスト組成物を基板上に塗布する工程と、ＥＵＶ又は電子線で露光する工程と、現像液を用いて現像する工程と、を含み、
前記レジスト組成物は、以下の式（１）により表される化合物Ａと、溶媒とを含み、
前記式（１）のＲ
1
は、水素原子又はメチル基である、
パターン形成方法、を提供する。
TIFF
2025087273000002.tif
40
170
【０００７】
さらに本発明は、
以下の式（１）により表される化合物Ａと、溶媒とを含み、
前記式（１）のＲ
1
は、水素原子又はメチル基である、
レジスト組成物、を提供する。
TIFF
2025087273000003.tif
40
170
【発明の効果】
【０００８】
本発明の技術は、ＥＵＶ又は電子線によるリソグラフィにおける低露光量でのパターン形成に適している。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
図１は、本発明のパターン形成方法の一例を示す工程図である。
図２は、実施例で評価した、露光量とレジスト組成物の硬化の程度との関係を示すグラフである。
図３は、実施例におけるパターニング評価の結果を示す、ＡＦＭによる観察像である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
本発明の第１態様に係るパターン形成方法は、
レジスト組成物を基板上に塗布する工程と、ＥＵＶ又は電子線で露光する工程と、現像液を用いて現像する工程と、を含み、
前記レジスト組成物は、以下の式（１）により表される化合物Ａと、溶媒とを含み、
前記式（１）のＲ
1
は、水素原子又はメチル基である。
TIFF
2025087273000004.tif
40
170
（【００１１】以降は省略されています）

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