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公開番号2025082632
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-05-29
出願番号2023196091
出願日2023-11-17
発明の名称気相成長装置
出願人大陽日酸株式会社
代理人弁理士法人志賀国際特許事務所
主分類H01L 21/365 20060101AFI20250522BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】コスト低減を図り、さらに生産性を上げることができる気相成長装置を提供する。
【解決手段】気相成長装置1は、フローチャンネル10と、仕切り板12と、を備える。フローチャンネル10は、原料ガスを案内するガス通路14を有し、ガス通路14に基板2が配置され、ガス通路14を通して原料ガスを基板面2aに案内する。仕切り板12は、基板面2aの上流側においてガス通路14(第1ガス通路17)を3数層に仕切り、基板面2a側の先端部が傾斜面31に形成されている。
【選択図】図3
特許請求の範囲【請求項１】
原料ガスを案内するガス通路を有し、前記ガス通路に基板が配置され、前記ガス通路を通して原料ガスを前記基板の表面に案内するフローチャンネルと、
前記基板の前記表面の上流側において前記ガス通路を複数層に仕切り、前記基板の前記表面側の先端部が傾斜面に形成されている仕切り板と、を備える気相成長装置。
続きを表示（約 230 文字）【請求項２】
前記傾斜面は、
前記基板の前記表面に対して離れる方向に傾斜されている、請求項１に記載の気相成長装置。
【請求項３】
前記複数層は３層である、請求項２に記載の気相成長装置。
【請求項４】
前記複数層を３層に仕切る前記仕切り板は同じ長さである、請求項３に記載の気相成長装置。
【請求項５】
前記基板の前記表面は、下向きに配置されている、請求項１から４のいずれか１項に記載の気相成長装置。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は、気相成長装置に関する。
続きを表示（約 1,100 文字）【背景技術】
【０００２】
例えば、気相成長装置として、フローチャンネルに基板を配置し、フローチャンネルに導入した原料ガスを基板の表面に沿って流すとともに原料ガスを加熱することにより基板の表面に半導体薄膜を成長させるものが知られている。この気相成長装置によれば、基板の表面に半導体薄膜を成長させることが可能である（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
特許第４４７４１４９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
気相成長装置において半導体薄膜を形成する成膜過程では、投入された全ての原料が基板上の成膜に使用されることが理想である。
しかしながら、半導体成膜の原料ガスは、半導体成膜の成長に必要な加熱によって基板に到達するまでに分解される。このことで、基板周辺の部材において、半導体成膜の成長へ寄与しない堆積物が発生する。この堆積物は、部材の輻射率変化に伴う環境温度の変化、堆積物由来の異常成膜、周辺部材への腐食等、半導体成膜の品質に様々な影響を及ぼす。更に、原料の全てが基板上の成膜に用いられないことから、コストが増大する課題があった。
また、特に、基板上流部の堆積物は、成膜過程時のパーティクル要因となることから、定期的にその堆積物の除去が必要である。堆積物の除去に要する時間によって、生産性が低下する課題があった。
【０００５】
上記事情に鑑み、本発明は、コスト低減を図り、さらに生産性を上げることができる気相成長装置の提供を目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の一態様は、原料ガスを案内するガス通路を有し、前記ガス通路に基板が配置され、前記ガス通路を通して原料ガスを前記基板の表面に案内するフローチャンネルと、前記基板の前記表面の上流側において前記ガス通路を複数層に仕切り、前記基板の前記表面側の先端部が傾斜面に形成されている仕切り板と、を備える気相成長装置である。
【０００７】
本発明の一態様は、前記傾斜面は、前記基板の前記表面に対して離れる方向に傾斜されている。
【０００８】
本発明の一態様は、前記複数層は３層である。
【０００９】
本発明の一態様は、前記複数層を３層に仕切る前記仕切り板は同じ長さである。
【００１０】
本発明の一態様は、前記基板の前記表面は、下向きに配置されている。
【発明の効果】
（【００１１】以降は省略されています）

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