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公開番号2025082042
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-05-28
出願番号2023195255
出願日2023-11-16
発明の名称磁気ディスク基板用研磨液
出願人花王株式会社
代理人弁理士法人池内アンドパートナーズ
主分類G11B 5/84 20060101AFI20250521BHJP(情報記憶)
要約【課題】研磨速度の向上とうねり低減とを両立させる磁気ディスク基板用研磨液を提供する
【解決手段】シリカ粒子Aと塩Bと水とを含む磁気ディスク基板用研磨液であって、シリカ粒子Aと塩Bが、下記ピーク面積Iの下記ピーク面積IIに対する比[ピーク面積I/ピーク面積II]が0.7以下となるシリカ分散液Iにおけるシリカ粒子Aと塩Bの組み合わせと同一である。
<ピーク面積I>シリカ粒子A及び塩B及び水からなるシリカ分散液Iを所定条件にて昇温、降温し-100℃～0℃までの吸熱ピークの面積をピーク面積Iとする。
<ピーク面積II>シリカ分散液Iにおけるシリカ粒子Aと同濃度となるようにシリカ粒子Aの濃度を調整したシリカ粒子A及び水からなるシリカ分散液IIを同条件で昇温、降温し-100℃～0℃までの吸熱ピークの面積をピーク面積IIとする。
【選択図】なし
特許請求の範囲【請求項１】
シリカ粒子Ａ、塩Ｂ、及び水を含む磁気ディスク基板用研磨液であって、
該磁気ディスク基板用研磨液におけるシリカ粒子Ａと塩Ｂが、下記ピーク面積Ｉの下記ピーク面積ＩＩに対する比［ピーク面積Ｉ／ピーク面積ＩＩ］が０．７以下となるシリカ分散液Ｉにおけるシリカ粒子Ａと塩Ｂの組み合わせと同一である、磁気ディスク基板用研磨液。
＜ピーク面積Ｉ＞
（１）シリカ粒子Ａ、塩Ｂ及び水からなるシリカ分散液Ｉを密閉セルにて示差走査熱量計で５０℃／分の昇温速度で２５℃から２００℃まで昇温し、２００℃で５分間保持する。
（２）（１）の後、５℃／分の降温速度で－１００℃まで降温し、－１００℃で５分間保持する。
（３）（２）の後、５℃／分の昇温速度で１００℃まで昇温したときの、－１００℃～０℃までの吸熱ピークの面積をピーク面積Ｉとする。
＜ピーク面積ＩＩ＞
（１'）前記シリカ分散液Ｉにおけるシリカ粒子Ａと同濃度となるようにシリカ粒子Ａの濃度を調整したシリカ粒子Ａ及び水からなるシリカ分散液ＩＩを密閉セルにて示差走査熱量計で５０℃／分の昇温速度で２５℃から２００℃まで昇温し、２００℃で５分間保持する。
（２'）（１'）の後、５℃／分の降温速度で－１００℃まで降温し、－１００℃で５分間保持する。
（３'）（２'）の後、５℃／分の昇温速度で１００℃まで昇温したときの、－１００℃～０℃までの吸熱ピークの面積をピーク面積ＩＩとする。
続きを表示（約 590 文字）【請求項２】
前記磁気ディスク基板用研磨液中の前記塩Ｂの含有量が、０．０１質量％以上１０質量％以下である、請求項１に記載の磁気ディスク基板用研磨液。
【請求項３】
前記磁気ディスク基板用研磨液中のシリカ粒子Ａの含有量が、０．５質量％以上６．５質量％以下である、請求項１又は２に記載の磁気ディスク基板用研磨液。
【請求項４】
前記磁気ディスク基板用研磨液中のシリカ粒子Ａの含有量の塩Ｂの含有量に対する質量比（シリカ粒子Ａ／塩Ｂ）が、０．５以上１，０００以下である、請求項１から３のいずれかに記載の磁気ディスク基板用研磨液。
【請求項５】
２５℃におけるｐＨが１以上６以下である、請求項１から４のいずれかに記載の磁気ディスク基板用研磨液。
【請求項６】
前記シリカ粒子Ａがコロイダルシリカである、請求項１から５のいずれかに記載の磁気ディスク基板用研磨液。
【請求項７】
前記塩Ｂが硫酸アンモニウム、及び塩化アンモニウムから選ばれる１種以上である請求項１から６のいずれかに記載の磁気ディスク基板用研磨液。
【請求項８】
請求項１から７のいずれかに記載の磁気ディスク基板用研磨液を被研磨基板と研磨パッドとの間に供給し、被研磨基板を研磨する工程を含む、磁気ディスク基板の製造方法。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本開示は、磁気ディスク基板用研磨液、及びこれを用いた磁気ディスク基板の製造方法に関する。
続きを表示（約 2,100 文字）【背景技術】
【０００２】
近年、磁気ディスクドライブは小型化・大容量化が進み、そして更なる高記録密度化が求められている。これを実現するために、単位記録面積の縮小が進められているが、それにより弱くなる磁気信号の検出感度向上を企図して、磁気ヘッドの浮上高さをより低くする技術開発が進められている。そこで、磁気ディスク基板には、磁気ヘッドの低浮上化と記録面積の確保に対応するため、表面粗さ、うねり、端面ダレ（ロールオフ）の低減に代表される平滑性・平坦性の向上とスクラッチ、突起、ピット等の低減に代表される欠陥低減に対する要求が厳しくなっている。
【０００３】
このような要求に対して、例えば、特許文献１には、一次粒子の平均粒径が２００ｎｍ以下の研磨材、酸化剤、ｐＫａ１が２以下の酸及び／又はその塩、及び水を含有する研磨液組成物であって、該研磨液組成物の酸価（Ｙ）が２０ｍｇＫＯＨ／ｇ以下、０．２ｍｇＫＯＨ／ｇ以上である、研磨液組成物が提案されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
特開２００３－１５５４７１号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
磁気ディスクドライブの大容量化に伴い、基板の表面品質に対する要求特性はさらに厳しくなっており、研磨速度の向上（生産性）とともに、基板表面のうねりの低減（基板品質）を実現可能な研磨液が求められている。一般的に、研磨速度とうねりとは互いにトレードオフの関係にあり、例えば、研磨速度を向上させると、研磨後の基板表面のうねりが悪化するという問題がある。
さらに、研磨液には、研磨後のスクラッチを抑制できることも求められている。
【０００６】
そこで、本開示は、一態様において、スクラッチを低減しつつ、研磨速度向上とうねり低減とを両立可能な磁気ディスク基板用研磨液を提供する。また、本開示は、一態様において、研磨速度の向上とうねり低減とを両立できる磁気ディスク基板用研磨液を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本開示は、一態様において、シリカ粒子Ａ、塩Ｂ、及び水を含む磁気ディスク基板用研磨液であって、該磁気ディスク基板用研磨液におけるシリカ粒子Ａと塩Ｂが、下記ピーク面積Ｉの下記ピーク面積ＩＩに対する比［ピーク面積Ｉ／ピーク面積ＩＩ］が０．７以下となるシリカ分散液Ｉにおけるシリカ粒子Ａと塩Ｂの組み合わせと同一である、磁気ディスク基板用研磨液に関する。
＜ピーク面積Ｉ＞
（１）シリカ粒子Ａ、塩Ｂ及び水からなるシリカ分散液Ｉを密閉セルにて示差走査熱量計で５０℃／分の昇温速度で２５℃から２００℃まで昇温し、２００℃で５分間保持する。
（２）（１）の後、５℃／分の降温速度で－１００℃まで降温し、－１００℃で５分間保持する。
（３）（２）の後、５℃／分の昇温速度で１００℃まで昇温したときの、－１００℃～０℃までの吸熱ピークの面積をピーク面積Ｉとする。
＜ピーク面積ＩＩ＞
（１'）前記シリカ分散液Ｉにおけるシリカ粒子Ａと同濃度となるようにシリカ粒子Ａの濃度を調整したシリカ粒子Ａ及び水からなるシリカ分散液ＩＩを密閉セルにて示差走査熱量計で５０℃／分の昇温速度で２５℃から２００℃まで昇温し、２００℃で５分間保持する。
（２'）（１'）の後、５℃／分の降温速度で－１００℃まで降温し、－１００℃で５分間保持する。
（３'）（２'）の後、５℃／分の昇温速度で１００℃まで昇温したときの、－１００℃～０℃までの吸熱ピークの面積をピーク面積ＩＩとする。
【０００８】
本開示は、一態様において、本開示の磁気ディスク基板用研磨液を被研磨基板と研磨パッドとの間に供給し、被研磨基板を研磨する研磨工程を含む、磁気ディスク基板の製造方法に関する。
【発明の効果】
【０００９】
本開示によれば、一又は複数の実施形態において、スクラッチを低減しつつ研磨速度向上とうねり低減とを両立可能な磁気ディスク基板用研磨液を提供できる。また、本開示によれば、一又は複数の実施形態において、研磨速度の向上とうねり低減とを両立可能な磁気ディスク基板用研磨液を提供できる。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
本開示は、一態様において、シリカ粒子と塩と水からなるシリカ分散液の吸熱挙動が特定となるようなシリカ粒子と塩の組み合わせと同一になるように磁気ディスク基板用研磨液にシリカ粒子と塩を含有させることで、該磁気ディスク基板用研磨液で磁気ディスク基板を研磨した際、スクラッチを低減しつつ研磨速度を向上でき、かつ、研磨後の基板表面のうねりを低減できるという知見に基づく。また、本開示は、一態様において、研磨速度向上とうねり低減との両立が可能であるという知見に基づく。
（【００１１】以降は省略されています）

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