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公開番号2025080002
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-05-23
出願番号2023192939
出願日2023-11-13
発明の名称半導体洗浄用組成物および洗浄方法
出願人JSR株式会社
代理人個人,個人,個人,個人
主分類H01L 21/304 20060101AFI20250516BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】被処理体における腐食などのダメージを低減し、被処理体の表面から汚染を効率的に除去できる半導体洗浄用組成物、およびそれを用いた洗浄方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る半導体洗浄用組成物は、アミノ基およびその塩よりなる群から選ばれる少なくとも1種の基と、スルホ基およびその塩よりなる群から選ばれる少なくとも1種の基と、炭素数4～12の環状構造を有する基と、を有する化合物(A)と、アルカノールアミン(B)と、液状媒体と、を含有し、pHが3.0以上9.0以下である。
【選択図】なし
特許請求の範囲【請求項１】
アミノ基およびその塩よりなる群から選ばれる少なくとも１種の基と、スルホ基およびその塩よりなる群から選ばれる少なくとも１種の基と、炭素数４～１２の環状構造を有する基と、を有する化合物（Ａ）と、
アルカノールアミン（Ｂ）と、
液状媒体と、
を含有し、
ｐＨが３．０以上９．０以下である、半導体洗浄用組成物。
続きを表示（約 420 文字）【請求項２】
さらに、水溶性高分子（Ｃ）を含有する、請求項１に記載の半導体洗浄用組成物。
【請求項３】
さらに、界面活性剤（Ｄ）を含有する、請求項１に記載の半導体洗浄用組成物。
【請求項４】
前記界面活性剤（Ｄ）が、下記一般式（１）または（２）で表される官能基と、炭素数８～１８のアルキル基と、を有する化合物である、請求項３に記載の半導体洗浄用組成物。
－ＳＯ
３
－
Ｍ
＋
・・・・・（１）
－ＣＯＯ
－
Ｍ
＋
・・・・・（２）
（上記式（１）および（２）中、Ｍ
＋
は１価のカチオンを表す。）
【請求項５】
請求項１ないし請求項４のいずれか一項に記載の半導体洗浄用組成物を用いて、窒化シリコン膜とポリシリコン膜とを有する配線層を処理する工程を含む、洗浄方法。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体洗浄用組成物およびそれを用いた洗浄方法に関する。
続きを表示（約 1,300 文字）【背景技術】
【０００２】
半導体装置の製造に活用されるＣＭＰ（ＣｈｅｍｉｃａｌＭｅｃｈａｎｉｃａｌＰｏｌｉｓｈｉｎｇ）に用いられるＣＭＰスラリーには、研磨砥粒の他、エッチング剤やｐＨ調整剤等の化学薬品が含有されている。さらに、ＣＭＰにより研磨屑が発生するが、これらのＣＭＰスラリーに含有される成分や研磨屑が被処理体に残留すると、致命的な装置欠陥となる場合がある。このため、ＣＭＰ後、被処理体を洗浄する工程が必須となる。
【０００３】
ＣＭＰ後の被処理体の表面には、銅やタングステン等の金属配線材、酸化シリコン等の絶縁材、窒化タンタル、窒化チタン、窒化シリコン等のバリアメタル材、ポリシリコン等のゲート電極材が露出している。このような異種材料が被処理体の表面に共存する場合、被処理体の表面から汚染だけを除去し、腐食などのダメージを与えずに処理する必要がある。例えば特許文献１や特許文献２には、酸性の半導体洗浄用組成物を用いて金属配線材とバリアメタル材が露出した被処理体の表面の腐食を低減する技術が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
特開２０１０－２５８０１４号公報
国際公開第２０１９／２６４７８号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
近年の更なる回路構造の微細化に伴い、被処理体のダメージを更に低減し、被処理体の表面から汚染を効率的に除去できる処理技術が要求されている。
【０００６】
例えば、窒化シリコン膜やポリシリコン膜を含む配線層が設けられた被処理体のＣＭＰでは、窒化シリコン膜とポリシリコン膜は物性が大きく異なる材料であるため、被処理体は腐食などのダメージを受けやすく、その表面には汚染が残留しやすい。そのため、被処理体の腐食によるダメージを可能な限り低減し、被処理体の表面から汚染を効率的に除去できる処理技術が要求されている。
【０００７】
本発明に係る幾つかの態様は、被処理体の表面における腐食などのダメージを低減し、被処理体の表面から汚染を効率的に除去できる半導体洗浄用組成物、およびそれを用いた洗浄方法を提供するものである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明は上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下のいずれかの態様として実現することができる。
【０００９】
本発明に係る半導体洗浄用組成物の一態様は、
アミノ基およびその塩よりなる群から選ばれる少なくとも１種の基と、スルホ基およびその塩よりなる群から選ばれる少なくとも１種の基と、炭素数４～１２の環状構造を有する基と、を有する化合物（Ａ）と、
アルカノールアミン（Ｂ）と、
液状媒体と、
を含有し、
ｐＨが３．０以上９．０以下である。
【００１０】
前記半導体洗浄用組成物の一態様において、
さらに、水溶性高分子（Ｃ）を含有してもよい。
（【００１１】以降は省略されています）

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