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公開番号2025070922
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-05-02
出願番号2024012689
出願日2024-01-31
発明の名称半導体基板の処理方法
出願人國立中央大學
代理人弁理士法人旺知国際特許事務所
主分類H01L 21/02 20060101AFI20250424BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】半導体基板の処理方法を提供する。
【解決手段】相対する未処理側と接合側を有する未処理基板を提供し、正孔供給基板を提供し、ウエハ接合プロセスを経て、正孔供給基板を未処理基板の接合側に接合することで基板ペアを得る、材料プロセスを行うことが含まれる、半導体基板の処理方法。この半導体基板の処理方法は、高速な電気化学エッチングを実現することができる。
【選択図】図2
特許請求の範囲【請求項１】
相対する未処理側と接合側とを有する未処理基板を提供し、
正孔供給基板を提供し、
ウエハ接合プロセスを経て、前記正孔供給基板を前記未処理基板の前記接合側に接合することで基板ペアを得る、材料プロセスを行うことが含まれる、半導体基板の処理方法。
続きを表示（約 1,000 文字）【請求項２】
前記未処理基板はＮ型半導体基板であり、前記正孔供給基板はＰ型半導体基板である、請求項１に記載された半導体基板の処理方法。
【請求項３】
前記未処理基板は真性半導体基板であり、前記正孔供給基板はＰ型半導体基板である、請求項１に記載された半導体基板の処理方法。
【請求項４】
前記未処理基板は低濃度にドープされたＰ型半導体基板であり、前記正孔供給基板は高濃度にドープされたＰ型半導体基板である、請求項１に記載された半導体基板の処理方法。
【請求項５】
前記ウエハ接合プロセスにより、前記正孔供給基板を前記未処理基板に貼り合わせることを特徴とする、請求項１に記載された半導体基板の処理方法。
【請求項６】
前記材料プロセスは、前記基板ペアを電解液中に配置し、電気化学プロセスを行い、前記未処理側は前記電解液と接触する固液接触面を有し、前記正孔供給基板は前記固液接触面に正孔を提供して陽極酸化反応を完了させ、前記未処理側に反応層を形成することを含む、請求項１に記載された半導体基板の処理方法。
【請求項７】
前記反応層の形成後に、前記正孔供給基板を前記基板ペアから分離することを更に含む、請求項６に記載された半導体基板の処理方法。
【請求項８】
前記反応層の形成後に、前記反応層を除去することを更に含む、請求項６に記載された半導体基板の処理方法。
【請求項９】
前記電解液がフッ化水素酸を含むことを特徴とする、請求項６に記載された半導体基板の処理方法。
【請求項１０】
前記材料プロセスにおいて、半導体基板処理装置は前記基板ペアに対して、電気化学プロセスを行うのに適しており、前記半導体基板処理装置は、
内部に電解液が充填された電解槽と、
前記電解槽の内部の対向する両側にそれぞれ設置される正電極板と負電極板と、を備え、前記基板ペアは前記電解液中に設置されるのに適したものであり、且つ前記正電極板と前記負電極板の間に位置し、前記未処理基板は前記負電極板に対向し、前記正孔供給基板は前記正電極板に対向し、前記基板ペアは前記電解液中で前記電気化学プロセスを行い、前記未処理基板は前記電解液と接触する固液接触面を有し、前記正孔供給基板は前記固液接触面に正孔を提供して陽極酸化反応を行うことを特徴とする、請求項１に記載された半導体基板の処理方法。
（【請求項１１】以降は省略されています）
発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板処理方法に関するものであり、特に半導体の基板処理方法に関する。
続きを表示（約 970 文字）【背景技術】
【０００２】
通常のＮ型半導体基板の主要なキャリアは電子である。電解液と電気化学反応を引き起こすためには、強光を照射したり、横電界を印加したり、ホール効果を応用したりするなどの方法によって、電子を移動させる必要があり、正孔をＮ型半導体基板と電解液の間の界面に露出させ、電気化学エッチングプロセスを行う。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
しかし、これらの方法は距離や強度などの環境変数がエッチングの信頼性に影響を与えてしまうため、光源を印加せず、電磁場によって偏向される電気化学エッチング技術を開発することが現在の産業技術のトレンドとなっている。
【０００４】
本発明は、高速な電気化学エッチングを実現するための半導体基板の処理方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明が提供する半導体基板の処理方法には、相対する未処理側と接合側を有する未処理基板を提供し、正孔供給基板を提供し、ウエハ接合プロセスを経て、正孔供給基板を未処理基板の接合側に接合することで基板ペアを得る、材料プロセスを行うことが含まれる。
【０００６】
本発明の一実施例において、前記未処理基板はＮ型半導体基板であり、正孔供給基板はＰ型半導体基板である。
【０００７】
本発明の一実施例において、前記未処理基板は真性半導体基板であり、正孔供給基板はＰ型半導体基板である。
【０００８】
本発明の一実施例において、前記未処理基板は低濃度にドープされたＰ型半導体基板であり、正孔供給基板は高濃度にドープされたＰ型半導体基板である。
【０００９】
本発明の一実施例において、前記ウエハ接合プロセスにより、正孔供給基板を未処理基板に貼り合わせる。
【００１０】
本発明の一実施例において、前記材料プロセスは、基板ペアを電解液中に配置し、電気化学プロセスを行い、未処理側は電解液と接触する固液接触面を有し、前記正孔供給基板は固液接触面に正孔を提供して陽極酸化反応を完了させ、未処理側に反応層を形成する。
（【００１１】以降は省略されています）

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