TOP
|
特許
|
意匠
|
商標
特許ウォッチ
Twitter
他の特許を見る
公開番号
2025007239
公報種別
公開特許公報(A)
公開日
2025-01-17
出願番号
2023108511
出願日
2023-06-30
発明の名称
光電変換素子
出願人
日本電信電話株式会社
,
国立大学法人 宮崎大学
代理人
弁理士法人ITOH
,
個人
,
個人
,
個人
主分類
H10F
10/142 20250101AFI20250109BHJP()
要約
【課題】多接合化された光電変換素子における光電変換効率を向上させる。
【解決手段】光電変換素子において、第1共振器ミラー層と、第2共振器ミラー層と、前記第1共振器ミラー層と前記第2共振器ミラー層との間に備えられた多接合型光吸収層とを備え、前記第1共振器ミラー層に単一波長の光が入射した場合に前記多接合型光吸収層において生じる定在波の節の位置に基づいて、前記多接合型光吸収層における各トンネル接合層の位置が定められている。
【選択図】図1
特許請求の範囲
【請求項1】
第1共振器ミラー層と、
第2共振器ミラー層と、
前記第1共振器ミラー層と前記第2共振器ミラー層との間に備えられた多接合型光吸収層とを備え、
前記第1共振器ミラー層に単一波長の光が入射した場合に前記多接合型光吸収層において生じる定在波の節の位置に基づいて、前記多接合型光吸収層における各トンネル接合層の位置が定められている
光電変換素子。
続きを表示(約 290 文字)
【請求項2】
前記定在波の節の位置に、前記多接合型光吸収層におけるトンネル接合層が存在するように構成された請求項1に記載の光電変換素子。
【請求項3】
前記光の波長をλとし、前記多接合型光吸収層を構成する光吸収層の屈折率をnとし、mを整数とし、各トンネル接合層が光吸収層より十分に薄い、あるいは、各トンネル接合層の屈折率が光吸収層の屈折率と同等の屈折率である場合において、前記第1共振器ミラー層と前記多接合型光吸収層との境界を基準に、各トンネル接合層の深さがλm/2nとなるように、各光吸収層の厚さが定められている
請求項1又は2に記載の光電変換素子。
発明の詳細な説明
【技術分野】
【0001】
本発明は、光電変換の技術に関連するものである。
続きを表示(約 1,200 文字)
【背景技術】
【0002】
無線給電技術の1つとして、例えば非特許文献2に開示された光無線給電技術が知られている。光無線給電では、レーザから出力されたビーム(単色光)が光電変換素子に入射され、光電変換素子が光を電気に変換する。
【0003】
上記のようなレーザを用いた光無線給電において、光電変換素子における光電変換の効率向上が望まれている。
【0004】
光電変換素子の高効率化の手法として、光吸収層を多段に積層することで、単層の場合よりも高い電圧を取り出せるようにした多接合化が知られている(非特許文献1)。多接合化において、2つの光吸収層の間には、電流損失の少ない低抵抗なトンネル接合層(以下、TJ層 :Tunnel Junction)が用いられる。
【先行技術文献】
【非特許文献】
【0005】
秋山英文, "多接合太陽電池の診断・設計と発光絶対値・発光量子効率の評価", 応用物理, 第84巻, 第4号(2015)、https://www.jstage.jst.go.jp/article/oubutsu/84/4/84_319/_pdf/-char/ja、令和5年6月2日検索
宮本智之, "光ビームで実現する光無線給電" (2021)、https://www.jsap.or.jp/columns/gx/e1-8、令和5年6月2日検索
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0006】
光電変換素子の多接合化の際、上述したTJ層には電流損失を低減するために高濃度ドープされた材料を用いる必要がある。
【0007】
しかし、入射光が光電変換素子の内部を通る(=光電変換が行われる)際には、TJ層の高濃度ドープの影響で一部の光が吸収されることから損失が発生し、これが光電変換効率低下の原因となる。
【0008】
本発明は上記の点に鑑みてなされたものであり、多接合化された光電変換素子における光電変換効率を向上させるための技術を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0009】
開示の技術によれば、第1共振器ミラー層と、
第2共振器ミラー層と、
前記第1共振器ミラー層と前記第2共振器ミラー層との間に備えられた多接合型光吸収層とを備え、
前記第1共振器ミラー層に単一波長の光が入射した場合に前記多接合型光吸収層において生じる定在波の節の位置に基づいて、前記多接合型光吸収層における各トンネル接合層の位置が定められている
光電変換素子が提供される。
【発明の効果】
【0010】
開示の技術によれば、多接合化された光電変換素子における光電変換効率を向上させるための技術が提供される。
【図面の簡単な説明】
(【0011】以降は省略されています)
この特許をJ-PlatPat(特許庁公式サイト)で参照する
関連特許
東日本電信電話株式会社
ノイズ源推定装置、ノイズ源推定方法、及びノイズ源推定プログラム
3か月前
個人
半導体装置
1か月前
個人
積和演算用集積回路
11日前
サンケン電気株式会社
半導体装置
10日前
東レ株式会社
太陽電池モジュール
1か月前
エイブリック株式会社
縦型ホール素子
1か月前
エイブリック株式会社
縦型ホール素子
1か月前
旭化成株式会社
発光素子
20日前
日機装株式会社
半導体発光装置
5日前
ローム株式会社
抵抗チップ
25日前
ローム株式会社
半導体装置
1か月前
富士通株式会社
半導体装置
1か月前
株式会社半導体エネルギー研究所
表示装置
1か月前
富士電機株式会社
半導体装置
1か月前
三菱電機株式会社
半導体装置
1か月前
三菱電機株式会社
半導体装置
19日前
TDK株式会社
圧電素子
1か月前
ローム株式会社
半導体集積回路
19日前
日亜化学工業株式会社
発光装置
1か月前
日亜化学工業株式会社
発光素子
1か月前
日亜化学工業株式会社
発光装置
20日前
ローム株式会社
窒化物半導体装置
1か月前
ローム株式会社
半導体装置
26日前
株式会社半導体エネルギー研究所
発光デバイス
5日前
ローム株式会社
半導体装置
10日前
ローム株式会社
窒化物半導体装置
25日前
富士電機株式会社
半導体装置の製造方法
1か月前
株式会社半導体エネルギー研究所
発光デバイス
18日前
ローム株式会社
半導体装置
24日前
株式会社カネカ
太陽電池モジュール
1か月前
大日本印刷株式会社
太陽電池
27日前
日亜化学工業株式会社
発光素子
10日前
沖電気工業株式会社
発光装置及び表示装置
1か月前
株式会社MARUWA
発光装置及び照明器具
1か月前
サンケン電気株式会社
発光装置
1か月前
日本電気株式会社
超伝導量子回路装置
1か月前
続きを見る
他の特許を見る