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公開番号2024174672
公報種別公開特許公報(A)
公開日2024-12-17
出願番号2023092627
出願日2023-06-05
発明の名称半導体装置
出願人富士電機株式会社
代理人弁理士法人RYUKA国際特許事務所
主分類H01L 29/78 20060101AFI20241210BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】活性部を備える半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置は、半導体基板に設けられた第1導電型のドリフト領域と、ドリフト領域の上方に設けられた第2導電型のベース領域と、半導体基板の上方に設けられたゲートパッドと、半導体基板の上方に設けられたエミッタ電極と、活性部120において、半導体基板のおもて面に設けられたゲートトレンチ部40と、ゲートパッドとゲートトレンチ部とを接続するためのゲート配線部50と、を備える。ゲート配線部は、予め定められた方向に延伸した第1ゲートトレンチ配線部と、第1ゲートトレンチ配線部と異なる方向に延伸し、第1ゲートトレンチ配線部と交差部で交差した第2ゲートトレンチ配線部と、を有し、エミッタ電極は、交差部510の上方に設けられる。
【選択図】図1B
特許請求の範囲【請求項１】
活性部を備える半導体装置であって、
半導体基板に設けられた第１導電型のドリフト領域と、
前記ドリフト領域の上方に設けられた第２導電型のベース領域と、
前記半導体基板の上方に設けられたゲートパッドと、
前記半導体基板の上方に設けられたエミッタ電極と、
前記活性部において、前記半導体基板のおもて面に設けられたゲートトレンチ部と、
前記ゲートパッドと前記ゲートトレンチ部とを接続するためのゲート配線部と、
を備え、
前記ゲート配線部は、
予め定められた方向に延伸した第１ゲートトレンチ配線部と、
前記第１ゲートトレンチ配線部と異なる方向に延伸し、前記第１ゲートトレンチ配線部と交差部で交差した第２ゲートトレンチ配線部と、
を有し、
前記エミッタ電極は、前記交差部の上方に設けられる
半導体装置。
続きを表示（約 990 文字）【請求項２】
前記ゲートトレンチ部の底部に接して設けられた第２導電型のトレンチボトム領域を備える
請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記トレンチボトム領域のドーピング濃度は、前記ベース領域のドーピング濃度よりも低い
請求項２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記トレンチボトム領域は、前記交差部の底部に接して設けられる
請求項２に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記ドリフト領域の上方に設けられた第２導電型のウェル領域を備え、
前記交差部の底部に接して設けられた前記トレンチボトム領域は、前記ウェル領域と接続される
請求項４に記載の半導体装置。
【請求項６】
前記ドリフト領域の上方に設けられた第２導電型のウェル領域を備え、
前記トレンチボトム領域は、前記ウェル領域と接続される
請求項２に記載の半導体装置。
【請求項７】
前記トレンチボトム領域は、前記半導体装置の外周部に設けられた前記第２ゲートトレンチ配線部の一端から、前記外周部に設けられた前記第２ゲートトレンチ配線部の他端まで延伸して設けられる
請求項２に記載の半導体装置。
【請求項８】
前記ドリフト領域の上方に設けられた第２導電型のウェル領域を備え、
前記トレンチボトム領域は、
第１トレンチボトム部と、
前記第１トレンチボトム部と離間して設けられ、前記ウェル領域と接続された第２トレンチボトム部と、
を有する
請求項２に記載の半導体装置。
【請求項９】
前記ドリフト領域の上方に設けられた第２導電型のウェル領域を備え、
前記交差部は、前記半導体基板の深さ方向と平行な断面において、前記ウェル領域の内側に設けられ、下端が前記ウェル領域の下端よりも浅い
請求項１に記載の半導体装置。
【請求項１０】
前記ウェル領域は、前記半導体装置の外周部に設けられた前記第２ゲートトレンチ配線部の一端から、前記外周部に設けられた前記第２ゲートトレンチ配線部の他端まで延伸して設けられる
請求項９に記載の半導体装置。
（【請求項１１】以降は省略されています）
発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置に関する。
続きを表示（約 1,200 文字）【背景技術】
【０００２】
特許文献１には、「電気的性能を向上できる半導体装置」が記載されている。
［先行技術文献］
［特許文献］
［特許文献１］特開２０２０－１３６３１５号公報
［特許文献２］特開２０１９－０９１８９２号公報
［特許文献３］特開２０１７－１０３４００号公報
【発明の概要】
【０００３】
本発明の態様においては、活性部を備える半導体装置であって、半導体基板に設けられた第１導電型のドリフト領域と、前記ドリフト領域の上方に設けられた第２導電型のベース領域と、前記半導体基板の上方に設けられたゲートパッドと、前記半導体基板の上方に設けられたエミッタ電極と、前記活性部において、前記半導体基板のおもて面に設けられたゲートトレンチ部と、前記ゲートパッドと前記ゲートトレンチ部とを接続するためのゲート配線部と、を備え、前記ゲート配線部は、予め定められた方向に延伸した第１ゲートトレンチ配線部と、前記第１ゲートトレンチ配線部と異なる方向に延伸し、前記第１ゲートトレンチ配線部と交差部で交差した第２ゲートトレンチ配線部と、を有し、前記エミッタ電極は、前記交差部の上方に設けられる半導体装置を提供する。
【０００４】
上記半導体装置は、前記ゲートトレンチ部の底部に接して設けられた第２導電型のトレンチボトム領域を備えてよい。
【０００５】
上記いずれかの半導体装置において、前記トレンチボトム領域のドーピング濃度は、前記ベース領域のドーピング濃度よりも低くてよい。
【０００６】
上記いずれかの半導体装置において、前記トレンチボトム領域は、前記交差部の底部に接して設けられてよい。
【０００７】
上記いずれかの半導体装置は、前記ドリフト領域の上方に設けられた第２導電型のウェル領域を備えてよい。前記交差部の底部に接して設けられた前記トレンチボトム領域は、前記ウェル領域と接続されてよい。
【０００８】
上記いずれかの半導体装置は、前記ドリフト領域の上方に設けられた第２導電型のウェル領域を備えてよい。前記トレンチボトム領域は、前記ウェル領域と接続されてよい。
【０００９】
上記いずれかの半導体装置において、前記トレンチボトム領域は、前記半導体装置の外周部に設けられた前記第２ゲートトレンチ配線部の一端から、前記外周部に設けられた前記第２ゲートトレンチ配線部の他端まで延伸して設けられてよい。
【００１０】
上記いずれかの半導体装置は、前記ドリフト領域の上方に設けられた第２導電型のウェル領域を備えてよい。前記トレンチボトム領域は、第１トレンチボトム部と、前記第１トレンチボトム部と離間して設けられ、前記ウェル領域と接続された第２トレンチボトム部と、を有してよい。
（【００１１】以降は省略されています）

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