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公開番号2025133024
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-09-10
出願番号2024220644
出願日2024-12-17
発明の名称フォトマスク及びこの製造方法
出願人三星ディスプレイ株式會社,Samsung Display Co.,Ltd.
代理人個人
主分類G03F 1/26 20120101AFI20250903BHJP(写真;映画;光波以外の波を使用する類似技術;電子写真;ホログラフイ)
要約【課題】表示装置などを製造するに際に微細パターンを具現することができ、表示装置の不良を減少させることができるフォトマスク及びその製造方法を提供する。
【解決手段】フォトマスクは、位相反転領域、及び位相反転領域と隣接した遮光領域を含む透明基板と、透明基板上の位相反転領域及び遮光領域に配置され、位相反転領域で透明基板の上面を露出させる第1-1の開口、及び遮光領域で透明基板の上面を露出させる第1-2の開口が画定される位相反転膜と、位相反転膜上の位相反転領域及び遮光領域に配置され、第1-1の開口を露出させる第2-1の開口、及び第1-2の開口を露出させる第2-2の開口が画定されるエッチング阻止膜とを含む。
【選択図】図3
特許請求の範囲【請求項１】
位相反転領域、及び前記位相反転領域と隣接した遮光領域を含む透明基板と、
前記透明基板上の前記位相反転領域及び前記遮光領域に配置され、前記位相反転領域で前記透明基板の上面を露出させる第１－１の開口、及び前記遮光領域で前記透明基板の上面を露出させる第１－２の開口が画定される位相反転膜と、
前記位相反転膜上の前記位相反転領域及び前記遮光領域に配置され、前記第１－１の開口を露出させる第２－１の開口、及び前記第１－２の開口を露出させる第２－２の開口が画定されるエッチング阻止膜とを含むことを特徴とするフォトマスク。
続きを表示（約 1,500 文字）【請求項２】
前記エッチング阻止膜の厚さは、４５０Å以上であることを特徴とする請求項１に記載のフォトマスク。
【請求項３】
前記位相反転膜の光透過率は、３.０％以上５０％以下であることを特徴とする請求項１に記載のフォトマスク。
【請求項４】
前記位相反転膜の光透過率と、前記エッチング阻止膜の光透過率との積は、０.１０％以下であることを特徴とする請求項３に記載のフォトマスク。
【請求項５】
前記第１－２の開口のサイズは、前記第２－２の開口のサイズと実質的に同一であることを特徴とする請求項１に記載のフォトマスク。
【請求項６】
前記エッチング阻止膜上に配置され、前記位相反転領域に重なる遮光膜を更に含むことを特徴とする請求項１に記載のフォトマスク。
【請求項７】
位相反転領域、及び前記位相反転領域に隣接した遮光領域を含む透明基板上に、前記位相反転領域及び前記遮光領域に重なる予備位相反転膜を形成する段階と、
前記予備位相反転膜上に、前記位相反転領域及び前記遮光領域に重なる予備エッチング阻止膜を形成する段階と、
前記予備エッチング阻止膜上に、前記位相反転領域及び前記遮光領域に重なる予備遮光膜を形成する段階と、
前記予備位相反転膜の一部を除去して、前記位相反転領域で前記透明基板の上面を露出させる第１－１の開口、及び前記遮光領域で前記透明基板の上面を露出させる第１－２の開口が画定される位相反転膜を形成する段階と、
前記予備遮光膜の少なくとも一部及び前記予備エッチング阻止膜の一部を除去して、前記第１－１の開口を露出させる第２－１の開口、及び前記第１－２の開口を露出させる第２－２の開口が画定されるエッチング阻止膜を形成する段階とを含むことを特徴とするフォトマスクの製造方法。
【請求項８】
前記エッチング阻止膜を形成する段階は、
前記予備遮光膜上に、第１のフォトレジスト層を形成する段階と、
前記第１のフォトレジスト層の一部を除去して、第１のフォトレジストパターンを形成する段階と、
前記第１のフォトレジストパターンにより、前記予備エッチング阻止膜及び前記予備遮光膜のそれぞれの一部を除去する段階と、
前記予備エッチング阻止膜を厚さ方向に貫通し、前記予備位相反転膜の上面の一部を露出させる前記第２－１の開口及び前記第２－２の開口を形成する段階と、
前記予備遮光膜を厚さ方向に貫通し、前記第２－１の開口を露出させる第３の開口を形成する段階とを含むことを特徴とする請求項７に記載のフォトマスクの製造方法。
【請求項９】
前記位相反転膜を形成する段階は、
前記位相反転領域に重なる前記エッチング阻止膜上に、前記第２－１の開口を充填する第２のフォトレジスト層を形成する段階と、
前記第２のフォトレジスト層の一部を除去して、第２のフォトレジストパターンを形成する段階と、
前記第２のフォトレジストパターンにより前記予備位相反転膜の一部を除去して、前記位相反転膜を厚さ方向に貫通し、前記透明基板の上面を露出させる前記第１－１の開口を形成する段階と、
前記位相反転膜を厚さ方向に貫通し、前記透明基板の上面を露出させる前記第１－２の開口を形成する段階とを含むことを特徴とする請求項８に記載のフォトマスクの製造方法。
【請求項１０】
前記第２のフォトレジストパターンを形成する段階の後に、
前記位相反転領域及び前記遮光領域に重なる前記予備遮光膜が全て除去されることを特徴とする請求項９に記載のフォトマスクの製造方法。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は、フォトマスク及びこの製造方法に関する。より詳しくは、露光工程に用いられるフォトマスク及びこの製造方法に関する。
続きを表示（約 1,000 文字）【背景技術】
【０００２】
半導体装置又は表示装置は、フォトリソグラフィ工程により製造される。フォトリソグラフィ工程は、半導体素子などの最小線幅(Critical Dimension)を決定する工程である。フォトリソグラフィ工程は、フォトレジストの塗布工程、露光工程、及び現像工程を含む。露光工程は、フォトマスク基板に提供されたフォトマスクパターンを、ウエハ上のフォトレジストに転写する工程である。
【０００３】
最近には、半導体装置又は表示装置に微細パターンを具現するために、位相反転膜を含むフォトマスクが製造されている。位相反転膜の厚さに応じて、フォトマスクに入射される光の透過率及び位相変換の程度などに対する特性が変わる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
特許第6324756号(JP6324756B; KR2020-0084084A)
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明の目的は、表示装置の不良を減少させるフォトマスクを提供することである。
【０００６】
本発明の他の目的は、前記フォトマスクを製造する方法を提供することである。
【０００７】
但し、本発明の目的は、上述した目的に限定されるものではなく、本発明の思想及び領域から逸脱しない範囲で、様々に拡張されることができる。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の目的を達成するために、本発明の一実施形態に係るフォトマスクは、位相反転領域、及び前記位相反転領域と隣接した遮光領域を含む透明基板と、前記透明基板上の前記位相反転領域及び前記遮光領域に配置され、前記位相反転領域で前記透明基板の上面を露出させる第１－１の開口、及び前記遮光領域で前記透明基板の上面を露出させる第１－２の開口が定義される位相反転膜と、前記位相反転膜上の前記位相反転領域及び前記遮光領域に配置され、前記第１－１の開口を露出させる第２－１の開口、及び前記第１－２の開口を露出させる第２－２の開口が定義されるエッチング阻止膜とを含むことを特徴とする。
【０００９】
前記エッチング阻止膜の厚さは、４５０Å以上である。
【００１０】
前記位相反転膜の光透過率は、３.０％以上５０％以下である。
（【００１１】以降は省略されています）

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