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公開番号2025129395
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-09-04
出願番号2025114599,2024013932
出願日2025-07-07,2011-02-02
発明の名称表示装置
出願人株式会社半導体エネルギー研究所
代理人
主分類H10D 30/67 20250101AFI20250828BHJP()
要約【課題】酸化物半導体を用いたトランジスタを有する半導体装置において、より高い耐衝
撃性を付与することを目的の一とする。より多様化する用途に対応でき、利便性が向上し
た信頼性の高い半導体装置を提供することを目的の一とする。
【解決手段】半導体装置において、基板上に、ゲート電極と、第1の絶縁層と、酸化物
半導体層と、第2の絶縁層と、導電層とを有し、ゲート電極及び導電層のそれぞれは、ト
ランジスタのチャネル幅方向における酸化物半導体層の両端を越えて延びており、トラン
ジスタのチャネル幅方向における断面において、酸化物半導体層は、ゲート電極、第1の
絶縁層、第2の絶縁層、及び導電層に囲まれている。
【選択図】図1
特許請求の範囲【請求項１】
可撓性基板上に、ゲート電極層、ゲート絶縁層及び酸化物半導体層を含むボトムゲート構造のトランジスタと、前記トランジスタ上の絶縁層と、前記絶縁層上の導電層と、を有し、
前記絶縁層は前記酸化物半導体層を覆い、かつ前記ゲート絶縁層と接して設けられ、
前記酸化物半導体層のチャネル幅方向において、前記ゲート電極層上で前記ゲート絶縁層と前記絶縁層とは端部が一致し、
前記導電層は、前記酸化物半導体層のチャネル形成領域と、前記ゲート絶縁層及び前記絶縁層の前記端部とを覆い、かつ前記ゲート電極層と接して設けられる、半導体装置。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
半導体装置及び半導体装置の作製方法に関する。
続きを表示（約 1,000 文字）【０００２】
なお、本明細書中において半導体装置とは、半導体特性を利用することで機能しうる装置
全般を指し、電気光学装置、半導体回路および電子機器は全て半導体装置である。
【背景技術】
【０００３】
絶縁表面を有する基板上に形成された半導体薄膜を用いて薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を
構成する技術が注目されている。薄膜トランジスタは集積回路（ＩＣ）や画像表示装置（
表示装置）のような電子デバイスに広く応用されている。
【０００４】
薄膜トランジスタに適用可能な半導体特性を示す材料として金属酸化物が注目されており
、このような半導体特性を示す金属酸化物をチャネル形成領域とする薄膜トランジスタが
知られている（特許文献１及び特許文献２参照。）。
【０００５】
また、薄膜トランジスタを用いた電子デバイスは、さまざまな場所や用途で用いられてお
り、それによって軽量化、薄型化、耐衝撃性など要求される特性や形状も多様化している
。よって目的にあった機能性を付与された電子デバイスの開発が進められている。
【０００６】
例えば、遊技機に設ける半導体装置として、より遊技者が立体感を得られるように表示面
を曲面状にしたディスプレイが報告されている（例えば、特許文献３参照。）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
特開２００７－１２３８６１号公報
特開２００７－９６０５５号公報
特開平７－１１４３４７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
上記のように半導体装置を多様な形状で用いる場合、外部からの衝撃に対して半導体装置
に高い耐性を付与することが求められる。
【０００９】
そこで、本発明の一形態は、酸化物半導体を用いたトランジスタを有する半導体装置にお
いて、より高い耐衝撃性を付与することを目的の一とする。
【００１０】
また、本発明の一形態は、より多様化する用途に対応でき、利便性が向上した信頼性の高
い半導体装置を提供することを目的の一とする。
【課題を解決するための手段】
（【００１１】以降は省略されています）

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