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公開番号2025128760
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-09-03
出願番号2024025655
出願日2024-02-22
発明の名称半導体装置の処理装置および半導体装置の処理方法、並びに、半導体装置の照合方法
出願人リンテック株式会社
代理人個人,個人,個人
主分類H01L 21/683 20060101AFI20250827BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】半導体装置の照合の際に照合不良が発生することを極力防止する半導体装置の処理装置、半導体装置の処理方法及び半導体装置の照合方法を提供する。
【解決手段】半導体装置SDの処理装置EAにおいて、基準画像形成手段30は、半導体装置SDを撮像して第1画像PT1を形成する第1画像形成手段31と、半導体装置SDを撮像して第2画像PT2を形成する第2画像形成手段32と、基準画像PTを形成する前に第1画像PT1と第2画像PT2とが一致するか否かを事前照合によって確認する事前照合手段33と、を備え、当該事前照合手段33での事前照合によって一致が確認された第1画像PT1及び第2画像PT2の少なくとも一方を基準画像PTとする。
【選択図】図1
特許請求の範囲【請求項１】
半導体装置を撮像して基準画像を形成する基準画像形成手段と、
前記半導体装置を撮像して照合画像を形成する照合画像形成装置が出力した当該照合画像と前記基準画像とを照合する照合装置に、前記基準画像を出力する基準画像出力手段とを備えた半導体装置の処理装置において、
前記基準画像形成手段は、前記半導体装置を撮像して第１画像を形成する第１画像形成手段と、前記半導体装置を撮像して第２画像を形成する第２画像形成手段と、前記基準画像を形成する前に前記第１画像と前記第２画像とが一致するか否かを事前照合によって確認する事前照合手段とを備え、当該事前照合手段での事前照合によって一致が確認された前記第１画像および前記第２画像の少なくとも一方を前記基準画像とすることを特徴とする半導体装置の処理装置。
続きを表示（約 900 文字）【請求項２】
前記事前照合手段での事前照合によって一致しないことが確認された際、当該事前照合の対象となった前記半導体装置を取り除く除去手段を備えていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の処理装置。
【請求項３】
半導体装置を撮像して基準画像を形成する基準画像形成工程と、
前記半導体装置を撮像して照合画像を形成する照合画像形成装置が出力した当該照合画像と前記基準画像とを照合する照合装置に、前記基準画像を出力する基準画像出力工程とを実施する半導体装置の処理方法において、
前記基準画像形成工程では、前記半導体装置を撮像して第１画像を形成する第１画像形成工程と、前記半導体装置を撮像して第２画像を形成する第２画像形成工程と、前記基準画像を形成する前に前記第１画像と前記第２画像とが一致するか否かを事前照合によって確認する事前照合工程とを実施し、当該事前照合工程での事前照合によって一致が確認された前記第１画像および前記第２画像の少なくとも一方を前記基準画像とすることを特徴とする半導体装置の処理方法。
【請求項４】
半導体装置を撮像して基準画像を形成する基準画像形成工程と、
前記基準画像を出力する基準画像出力工程と、
前記半導体装置を撮像して照合画像を形成する照合画像形成工程と、
前記照合画像を出力する照合画像出力工程と、
前記基準画像出力工程で出力された前記基準画像と前記照合画像出力工程で出力された前記照合画像とを照合する照合工程とを実施する半導体装置の照合方法において、
前記基準画像形成工程では、前記半導体装置を撮像して第１画像を形成する第１画像形成工程と、前記半導体装置を撮像して第２画像を形成する第２画像形成工程と、前記基準画像を形成する前に前記第１画像と前記第２画像とが一致するか否かを事前照合によって確認する事前照合工程とを実施し、当該事前照合工程の事前照合によって一致が確認された前記第１画像および前記第２画像の少なくとも一方を前記基準画像とすることを特徴とする半導体装置の照合方法。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置の処理装置および半導体装置の処理方法、並びに、半導体装置の照合方法に関する。
続きを表示（約 1,800 文字）【背景技術】
【０００２】
半導体装置を照合する半導体装置の処理方法が知られている（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
特開２００７－２４２９７３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
特許文献１では、半導体装置１００（半導体装置）を封止した封止樹脂１２０のまだら模様を撮像して画像（基準画像）を形成し、形成した基準画像をデータベースサーバー（照合装置）に登録しておき、当該半導体装置の出荷先で撮像した半導体装置の画像（照合画像）と基準画像とを照合することで当該半導体装置の真贋が判定されるが、基準画像が不鮮明であったり、基準画像に照明の反射光や塵埃等の映り込みがあったりすると、照合の際に照合不良が発生し、本物の半導体装置が偽物と認定されたり、半導体装置に誤った処理が施されたりする不都合が発生する。
【０００５】
本発明の目的は、半導体装置の照合の際に照合不良が発生することを極力防止することができる半導体装置の処理装置および半導体装置の処理方法、並びに、半導体装置の照合方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は、請求項に記載した構成を採用した。
【発明の効果】
【０００７】
本発明によれば、基準画像を形成する前に第１画像と第２画像とが一致するか否かを事前照合によって確認し、一致が確認された第１画像および第２画像の少なくとも一方を基準画像とするので、半導体装置の照合の際に照合不良が発生することを極力防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
（Ａ）～（Ｅ）は、本発明の一実施形態に係る半導体装置の処理装置の説明図および同装置の動作説明図。（Ｆ）～（Ｍ）は、変形例の説明図。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下、本発明の一実施形態を図面に基づいて説明する。
なお、本実施形態におけるＸ軸、Ｙ軸、Ｚ軸は、それぞれが直交する関係にあり、Ｘ軸およびＹ軸は、所定平面内の軸とし、Ｚ軸は、前記所定平面に直交する軸とする。さらに、本実施形態では、Ｙ軸と平行な図１（Ａ）中手前方向から観た場合を基準とし、図を指定することなく方向を示した場合、「上」がＺ軸の矢印方向で「下」がその逆方向、「左」がＸ軸の矢印方向で「右」がその逆方向、「前」がＹ軸と平行な図１（Ａ）中手前方向で「後」がその逆方向とする。
【００１０】
本発明の半導体装置の処理方法を実施する半導体装置の処理装置（以下単に「処理装置」ともいう）ＥＡは、半導体本体としての半導体ウエハ（以下単に「ウエハ」ともいう）ＷＦに被覆材としての接着シートＡＳを貼付して半導体装置ＳＤ（図１（Ｅ）参照）を形成する貼付工程を実施する貼付手段１０と、接着シートＡＳに所定のエネルギーとしての熱ＨＡを付与するエネルギー付与工程を実施するエネルギー付与手段２０と、半導体装置ＳＤを撮像して基準画像ＰＴを形成する基準画像形成工程を実施する基準画像形成手段３０と、半導体装置ＳＤを撮像して照合画像ＰＴａを形成する照合画像形成装置７０が出力した当該照合画像ＰＴａと基準画像ＰＴとを照合する照合工程を実施する照合装置８０に、基準画像ＰＴを出力する基準画像出力手段４０と、事前照合手段３３によって一致しないことが確認された際、当該事前照合手段による確認の対象となった半導体装置ＳＤを取り除く除去工程を実施する除去手段５０とを備え、ウエハＷＦを移動させる移動工程を実施する移動手段６０の近傍に配置されている。
なお、本実施形態の接着シートＡＳは、エポキシ系の材料、アクリル系の材料、アミン類の材料等をバインダとして、シリカや酸化チタン等の充填剤ＦＬ（図１（Ｂ）～（Ｄ）参照）を含有しており、さらに、熱ＨＡの付与によって当該熱ＨＡ特有の変化としての硬化を起こすものとなっている。
また、本実施形態の充填剤ＦＬは、最大幅が１０ｎｍ（ナノメートル）～１μｍ（マイクロメートル）の大きさのものが採用され、配合量が接着シートＡＳ全体の重量に対する０．０１％～１％の重量割合となっている。
（【００１１】以降は省略されています）

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