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公開番号2025126710
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-08-29
出願番号2024023094
出願日2024-02-19
発明の名称加熱接合用シート、及び、ダイシングテープ付き加熱接合用シート
出願人日東電工株式会社
代理人弁理士法人藤本パートナーズ
主分類H01L 21/52 20060101AFI20250822BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】有機バインダの分散性が良好な密着層を備えた加熱接合用シートを提供することを課題としている。
【解決手段】焼結性粒子を含む焼結前駆体層と、該焼結前駆体層の一方の面に重なる密着層と、を備え、前記密着層は、有機バインダと焼結性粒子とを含み、前記密着層における前記焼結性粒子の含有率が5体積%以上40体積%以下であり、前記密着層に含まれる前記焼結性粒子を粒度分布測定したときの粒度分布は、少なくとも2つのピーク頂点を有する、加熱接合用シートを提供する。
【選択図】図1A
特許請求の範囲【請求項１】
焼結性粒子を含む焼結前駆体層と、該焼結前駆体層の一方の面に重なる密着層と、を備え、
前記密着層は、有機バインダと焼結性粒子とを含み、前記密着層における前記焼結性粒子の含有率が５体積％以上４０体積％以下であり、
前記密着層に含まれる前記焼結性粒子を粒度分布測定したときの粒度分布は、少なくとも２つのピーク頂点を有する、加熱接合用シート。
続きを表示（約 820 文字）【請求項２】
前記焼結前駆体層における前記焼結性粒子の体積含有率は、前記密着層における前記焼結性粒子の体積含有率よりも高い、請求項１に記載の加熱接合用シート。
【請求項３】
前記焼結前駆体層は、前記焼結性粒子を３０体積％以上７０体積％以下含む、請求項１又は２に記載の加熱接合用シート。
【請求項４】
前記密着層は、前記焼結性粒子を１５体積％以上３５体積％以下含む、請求項１又は２に記載の加熱接合用シート。
【請求項５】
前記粒度分布においてピーク高さが最も高いピーク及び次に高いピークのうち大粒子側にあるピークを前記焼結性粒子の大粒子群のピークとしたときに、
前記密着層に含まれる前記焼結性粒子のうち、前記大粒子群の焼結性粒子が占める割合は、体積％を基準にして５％以上３０％以下である、請求項１又は２に記載の加熱接合用シート。
【請求項６】
前記焼結前駆体層及び前記密着層は、いずれも有機バインダとして熱分解性バインダを含む、請求項１又は２に記載の加熱接合用シート。
【請求項７】
前記焼結前駆体層の厚さが５μｍ以上１００μｍ以下であり、前記密着層の厚さが２μｍ以上２０μｍ以下である、請求項１又は２に記載の加熱接合用シート。
【請求項８】
請求項１又は２に記載された加熱接合用シートと、該加熱接合用シートの一方の面に重なったダイシングテープとを備え、
前記加熱接合用シートの前記焼結前駆体層は、前記密着層と前記ダイシングテープとの間に配置されている、ダイシングテープ付き加熱接合用シート。
【請求項９】
前記加熱接合用シートは、成分移行防止層をさらに備え、
前記成分移行防止層が、前記焼結前駆体層と前記ダイシングテープとの間に配置されている、請求項８に記載のダイシングテープ付き加熱接合用シート。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば半導体装置を製造するときに使用される加熱接合用シート、及び、ダイシングテープ付き加熱接合用シートに関する。
続きを表示（約 1,900 文字）【背景技術】
【０００２】
従来、半導体装置の製造において使用される加熱接合用シートが知られている。この種の加熱接合用シートは、少なくとも焼結性粒子を含む焼結前駆体層を有する。焼結前駆体層は、例えば有機バインダを含むことから感圧接着性を有する。
焼結前駆体層は、例えば半導体装置の製造において、基板の片面と半導体素子（半導体チップ等）との間に配置されて焼結処理され、基板と半導体素子とを接合する目的で使用される。半導体装置の製造では、例えば下記のような各工程が実施される。
【０００３】
（１）基材層と粘着剤層とが積層されてなるダイシングテープの粘着剤層に焼結前駆体層を重ねたうえで、さらに半導体ウエハを貼り付け、焼結前駆体層及び半導体ウエハを小片化する。
（２）コレットなどの治具を用いて、１つの半導体素子に貼り付いた焼結前駆体層の小片を粘着剤層から剥離させ、焼結前駆体層の小片が貼り付いた状態の半導体素子をピックアックする。
（３）焼結前駆体層の小片が接着した１つの半導体素子を基板の片面（半導体素子の搭載領域）に接着させる。すなわち、１つの半導体素子を基板に仮固定させる。
（４）上記（２）及び（３）を同様にして複数回実施することによって、基板における半導体素子の搭載領域内に、焼結前駆体層の小片が接着した半導体素子の複数を仮固定させる。これにより、半導体装置の中間製品を得る。
（５）焼結前駆体層中の焼結性粒子どうしが焼結できる温度で半導体装置の中間製品を加熱する焼結処理を実施することにより、焼結性粒子を互いに焼結させつつ、焼結前駆体層から有機バインダの少なくとも一部を消失させる。これにより、基板における半導体素子の搭載領域に複数の半導体素子を接合させる。
上記のごとき各工程を経た後において、複数の半導体素子は、焼結前駆体層に含まれる焼結性粒子が互いに焼結することによって、基板における半導体素子の搭載領域内に固定される。すなわち、焼結処理を経た焼結前駆体層の小片を介して、複数の半導体素子が基板における半導体素子の搭載領域に固定されることとなる。
【０００４】
なお、半導体装置の製造において、上記の（１）及び（２）の工程を実施する代わりに、ダイシングテープの粘着剤層上に半導体ウエハのみを貼り付けて固定した後、半導体ウエハのみをダイシングして複数の半導体素子へと小片化する工程と、コレットなどの治具を用いて１つの半導体素子を粘着剤層から剥離させて持ち上げた後、１つの半導体素子を加熱接合用シートの焼結前駆体層上に押し付ける工程と、斯かる押し付け力によって、半導体素子のサイズに相当するサイズとなるように焼結前駆体層の一部を小片化すると同時に、小片化された焼結前駆体層を半導体素子に接着させる工程と、コレットなどの治具を引き上げることにより、焼結前駆体層の小片が接着した１つの半導体素子をピックアップする工程とを行う場合もあり得る。
【０００５】
上記のような半導体装置の製造方法で使用され得る加熱接合用シートとしては、例えば焼結処理後に強固な焼結層となる焼結前駆体層と、半導体ウエハ等に接合される密着層とを備えるシートが知られている（例えば、特許文献１）。
【０００６】
詳しくは、特許文献１に記載の加熱接合用シートにおいて、焼結前駆体層は、金属微粒子と有機バインダとを含み、密着層は、例えば金属微粒子と有機バインダとを含む。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
特開２０１８－０３７５４８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
ところが、特許文献１に記載された密着層では、有機バインダの分散性が必ずしも良好でない場合がある。密着層中の有機バインダの分散性が良好でないと、例えばダイシングテープ上で焼結前駆体層及び半導体ウエハを小片化するときに、半導体ウエハと焼結前駆体層との間ではく離が生じ得る。より具体的には、密着層の両面にそれぞれ貼り付いている２つの被着体（焼結前駆体層及び半導体ウエハ）の間ではく離が生じ得る。
【０００９】
しかしながら、有機バインダの分散性が良好な密着層を備えた加熱接合用シートについては、未だ十分に検討されているとはいえない。
【００１０】
そこで、本発明は、有機バインダの分散性が良好な密着層を備えた加熱接合用シートを提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
（【００１１】以降は省略されています）

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