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公開番号2025120698
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-08-18
出願番号2024015710
出願日2024-02-05
発明の名称炭化珪素半導体装置および炭化珪素半導体装置の製造方法
出願人住友電気工業株式会社
代理人個人,個人
主分類H10D 30/66 20250101AFI20250808BHJP()
要約【課題】オン抵抗を低減できる炭化珪素半導体装置および炭化珪素半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】炭化珪素半導体装置は、第1主面と、前記第1主面とは反対の第2主面とを有する炭化珪素基板と、前記第1主面の上に設けられる絶縁膜と、前記第1主面に接する電極と、を備え、前記絶縁膜には、前記第1主面を露出する開口部が設けられており、前記電極は、前記開口部から露出する前記第1主面に接する第1領域と、前記第1主面に垂直な方向において前記炭化珪素基板と前記絶縁膜との間に挟まれる第2領域と、を有する。
【選択図】図1
特許請求の範囲【請求項１】
第１主面と、前記第１主面とは反対の第２主面とを有する炭化珪素基板と、
前記第１主面の上に設けられる絶縁膜と、
前記第１主面に接する電極と、
を備え、
前記絶縁膜には、前記第１主面を露出する開口部が設けられており、
前記電極は、
前記開口部から露出する前記第１主面に接する第１領域と、
前記第１主面に垂直な方向において前記炭化珪素基板と前記絶縁膜との間に挟まれる第２領域と、
を有する、
炭化珪素半導体装置。
続きを表示（約 800 文字）【請求項２】
前記炭化珪素基板は、
第１導電型を有するドリフト領域と、
前記ドリフト領域の上に設けられ、前記第１導電型と異なる第２導電型を有するボディ領域と、
前記ドリフト領域から隔てられるように前記ボディ領域の上に設けられ、かつ前記第１導電型を有するソース領域と、
前記ボディ領域の上に設けられ、かつ前記第２導電型を有するコンタクト領域と、
を有し、
前記第１主面には、前記ソース領域および前記ボディ領域を貫通して前記ドリフト領域に至る側面と、前記側面と連なる底面とにより規定されるゲートトレンチが設けられており、
前記側面および前記底面に接するゲート絶縁膜と、
前記炭化珪素基板との間に前記ゲート絶縁膜を挟むように前記ゲート絶縁膜の上に設けられるゲート電極と、
を有し、
前記第１主面に垂直な方向から見たときに、前記第２領域は、前記ゲート電極と前記開口部との間に、前記ゲート電極から離れて設けられている、
請求項１に記載の炭化珪素半導体装置。
【請求項３】
前記電極は、ニッケルシリサイドを含む材料から構成されている、
請求項１または請求項２に記載の炭化珪素半導体装置。
【請求項４】
炭化珪素基板の第１主面の上に絶縁膜を形成する工程と、
前記第１主面に接する電極を形成する工程と、
を有し、
前記絶縁膜を形成する工程は、前記絶縁膜に前記第１主面を露出する開口部を形成することを含み、
前記電極を形成する工程は、前記開口部から露出する前記第１主面に接する第１領域と、前記第１主面に垂直な方向において前記炭化珪素基板と前記絶縁膜との間に挟まれる第２領域と、を有する前記電極を形成することを含む、
炭化珪素半導体装置の製造方法。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本開示は、炭化珪素半導体装置および炭化珪素半導体装置の製造方法に関する。
続きを表示（約 3,000 文字）【背景技術】
【０００２】
炭化珪素半導体装置の一つとして、ソース領域およびボディ領域を貫通するゲートトレンチを備えたＭＯＳ型電界効果トランジスタ（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor：ＭＯＳＦＥＴ）が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
特開２０１８－１１０１６３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
従来の炭化珪素半導体装置では、層間絶縁膜に開口されたコンタクトホールから露出する領域がソース電極とオーミック接合する。この場合、オーミック接合する領域がコンタクトホールの開口幅に限定される。このため、オン抵抗を低減しにくい。
【０００５】
本開示は、オン抵抗を低減できる炭化珪素半導体装置および炭化珪素半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本開示の炭化珪素半導体装置は、第１主面と、前記第１主面とは反対の第２主面とを有する炭化珪素基板と、前記第１主面の上に設けられる絶縁膜と、前記第１主面に接する電極と、を備え、前記絶縁膜には、前記第１主面を露出する開口部が設けられており、前記電極は、前記開口部から露出する前記第１主面に接する第１領域と、前記第１主面に垂直な方向において前記炭化珪素基板と前記絶縁膜との間に挟まれる第２領域と、を有する。
【発明の効果】
【０００７】
本開示によれば、オン抵抗を低減できる炭化珪素半導体装置および炭化珪素半導体装置の製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
図１は、実施形態に係る炭化珪素半導体装置を示す断面図である。
図２は、実施形態に係る炭化珪素半導体装置の製造方法の第１例を示す断面図（その１）である。
図３は、実施形態に係る炭化珪素半導体装置の製造方法の第１例を示す断面図（その２）である。
図４は、実施形態に係る炭化珪素半導体装置の製造方法の第１例を示す断面図（その３）である。
図５は、実施形態に係る炭化珪素半導体装置の製造方法の第１例を示す断面図（その４）である。
図６は、実施形態に係る炭化珪素半導体装置の製造方法の第１例を示す断面図（その５）である。
図７は、実施形態に係る炭化珪素半導体装置の製造方法の第１例を示す断面図（その６）である。
図８は、実施形態に係る炭化珪素半導体装置の製造方法の第１例を示す断面図（その７）である。
図９は、実施形態に係る炭化珪素半導体装置の製造方法の第１例を示す断面図（その８）である。
図１０は、実施形態に係る炭化珪素半導体装置の製造方法の第１例を示す断面図（その９）である。
図１１は、実施形態に係る炭化珪素半導体装置の製造方法の第１例を示す断面図（その１０）である。
図１２は、実施形態に係る炭化珪素半導体装置の製造方法の第１例を示す断面図（その１１）である。
図１３は、実施形態に係る炭化珪素半導体装置の製造方法の第２例を示す断面図（その１）である。
図１４は、実施形態に係る炭化珪素半導体装置の製造方法の第２例を示す断面図（その２）である。
図１５は、実施形態に係る炭化珪素半導体装置の製造方法の第２例を示す断面図（その３）である。
図１６は、実施形態に係る炭化珪素半導体装置の製造方法の第２例を示す断面図（その４）である。
図１７は、実施形態に係る炭化珪素半導体装置の製造方法の第２例を示す断面図（その５）である。
図１８は、実施形態に係る炭化珪素半導体装置の製造方法の第２例を示す断面図（その６）である。
図１９は、実施形態に係る炭化珪素半導体装置の製造方法の第２例を示す断面図（その７）である。
図２０は、実施形態に係る炭化珪素半導体装置の製造方法の第２例を示す断面図（その８）である。
図２１は、実施形態に係る炭化珪素半導体装置の製造方法の第２例を示す断面図（その９）である。
図２２は、実施形態に係る炭化珪素半導体装置の製造方法の第２例を示す断面図（その１０）である。
図２３は、実施形態に係る炭化珪素半導体装置の製造方法の第２例を示す断面図（その１１）である。
図２４は、実施形態に係る炭化珪素半導体装置の製造方法の第２例を示す断面図（その１２）である。
図２５は、実施形態に係る炭化珪素半導体装置の製造方法の第２例を示す断面図（その１３）である。
図２６は、実施形態に係る炭化珪素半導体装置の製造方法の第３例を示す断面図（その１）である。
図２７は、実施形態に係る炭化珪素半導体装置の製造方法の第３例を示す断面図（その２）である。
図２８は、実施形態に係る炭化珪素半導体装置の製造方法の第３例を示す断面図（その３）である。
図２９は、実施形態に係る炭化珪素半導体装置の製造方法の第３例を示す断面図（その４）である。
図３０は、実施形態に係る炭化珪素半導体装置の製造方法の第３例を示す断面図（その５）である。
図３１は、実施形態に係る炭化珪素半導体装置の製造方法の第３例を示す断面図（その６）である。
図３２は、実施形態に係る炭化珪素半導体装置の製造方法の第３例を示す断面図（その７）である。
図３３は、実施形態に係る炭化珪素半導体装置の製造方法の第３例を示す断面図（その８）である。
図３４は、実施形態に係る炭化珪素半導体装置の製造方法の第３例を示す断面図（その９）である。
図３５は、実施形態に係る炭化珪素半導体装置の製造方法の第４例を示す断面図（その１）である。
図３６は、実施形態に係る炭化珪素半導体装置の製造方法の第４例を示す断面図（その２）である。
図３７は、実施形態に係る炭化珪素半導体装置の製造方法の第４例を示す断面図（その３）である。
図３８は、実施形態に係る炭化珪素半導体装置の製造方法の第４例を示す断面図（その４）である。
図３９は、実施形態に係る炭化珪素半導体装置の製造方法の第４例を示す断面図（その５）である。
図４０は、実施形態に係る炭化珪素半導体装置の製造方法の第４例を示す断面図（その６）である。
図４１は、実施形態に係る炭化珪素半導体装置の製造方法の第４例を示す断面図（その７）である。
図４２は、実施形態に係る炭化珪素半導体装置の製造方法の第４例を示す断面図（その８）である。
図４３は、実施形態に係る炭化珪素半導体装置の製造方法の第４例を示す断面図（その９）である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
実施するための形態について、以下に説明する。
【００１０】
［本開示の実施形態の説明］
最初に本開示の実施態様を列記して説明する。以下の説明では、同一または対応する要素には同一の符号を付し、それらについて同じ説明は繰り返さない。
（【００１１】以降は省略されています）

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