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公開番号2025108655
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-07-23
出願番号2025069272,2022512070
出願日2025-04-21,2021-03-25
発明の名称半導体用接着剤、並びに、半導体装置及びその製造方法
出願人株式会社レゾナック
代理人個人,個人,個人,個人
主分類H01L 23/29 20060101AFI20250715BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】放熱性に優れるとともに充分な視認性を有する半導体用接着剤並びに半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体チップ10及び配線回路基板のそれぞれの接続部が互いに電気的に接続された接続構造か又は複数の半導体チップのそれぞれの接続部が互いに電気的に接続された接続構造を備える半導体装置において、接続部の封止に用いられる半導体用接着剤42は、硬化性樹脂成分と、平均粒子径が15μm以下のアルミナフィラと、を含有し、アルミナフィラの含有量が、半導体用接着剤の全量を基準として、35～75質量%であり、半導体用接着剤の硬化後の熱伝導率が0.5～1.5W/mKである。
【選択図】図4
特許請求の範囲【請求項１】
半導体チップ及び配線回路基板のそれぞれの接続部が互いに電気的に接続された接続構造、及び／又は、複数の半導体チップのそれぞれの接続部が互いに電気的に接続された接続構造を備える半導体装置において前記接続部の封止に用いられる半導体用接着剤であって、
硬化性樹脂成分と、平均粒子径が１５μｍ以下のアルミナフィラと、を含有し、
前記アルミナフィラが多面体アルミナであり、
前記アルミナフィラの含有量が、当該半導体用接着剤の全量を基準として、３５～７５質量％であり、
当該半導体用接着剤の硬化後の熱伝導率が０．５～１．５Ｗ／ｍＫであり、
波長５５０ｎｍの光に対する光透過率が０．５％以上である、半導体用接着剤。
続きを表示（約 1,000 文字）【請求項２】
フラックス剤を更に含有する、請求項１に記載の半導体用接着剤。
【請求項３】
前記フラックス剤がカルボン酸である、請求項２に記載の半導体用接着剤。
【請求項４】
前記アルミナフィラがアルミナ表面をシラン処理したものである、請求項１～３のいずれか一項に記載の半導体用接着剤。
【請求項５】
前記アルミナフィラの平均粒子径が０．５μｍ以下である、請求項１～４のいずれか一項に記載の半導体用接着剤。
【請求項６】
前記硬化性樹脂成分が、熱硬化性樹脂、硬化剤、及び熱可塑性樹脂を含む、請求項１～５のいずれか一項に記載の半導体用接着剤。
【請求項７】
半導体チップ及び配線回路基板のそれぞれの接続部が互いに電気的に接続された接続構造、及び／又は、複数の半導体チップのそれぞれの接続部が互いに電気的に接続された接続構造を備える半導体装置の製造方法であって、
前記接続部の少なくとも一部を、請求項１～６のいずれか一項に記載の半導体用接着剤を用いて封止する工程を備える、半導体装置の製造方法。
【請求項８】
前記工程が、主面上にアライメントマークを有し、当該主面上に前記半導体用接着剤が設けられているアライメントマーク付き半導体チップと、別の半導体チップとを、前記半導体用接着剤を介して圧着するステップ、及び／又は、主面上にアライメントマークを有し、当該主面上に前記半導体用接着剤が設けられているアライメントマーク付き半導体チップと、配線回路基板とを、前記半導体用接着剤を介して圧着するステップを含む、請求項７に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項９】
前記アライメントマーク付き半導体チップが、主面上にアライメントマークを有するウエハと、当該主面上に設けられた前記半導体用接着剤と、を備える半導体用接着剤付きウエハを、個片化することにより得られる、請求項８に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
半導体チップ及び配線回路基板のそれぞれの接続部が互いに電気的に接続された接続構造、及び／又は、複数の半導体チップのそれぞれの接続部が互いに電気的に接続された接続構造と、
前記接続部の少なくとも一部を封止する封止材と、を備え、
前記封止材は、請求項１～６のいずれか一項に記載の半導体用接着剤の硬化物を含む、半導体装置。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本開示は、半導体用接着剤、並びに、半導体装置及びその製造方法に関する。
続きを表示（約 1,500 文字）【背景技術】
【０００２】
従来、半導体チップと基板を接続するには金ワイヤ等の金属細線を用いるワイヤボンディング方式が広く適用されてきたが、半導体装置に対する高機能・高集積・高速化等の要求に対応するため、半導体チップ又は基板にバンプと呼ばれる導電性突起を形成して、半導体チップと基板間で直接接続するフリップチップ接続方式（ＦＣ接続方式）が広まりつつある。
【０００３】
フリップチップ接続方式としては、はんだ、スズ、金、銀、銅等を用いて金属接合させる方法、超音波振動を印加して金属接合させる方法、樹脂の収縮力によって機械的接触を保持する方法などが知られているが、接続部の信頼性の観点から、はんだ、スズ、金、銀、銅等を用いて金属接合させる方法が一般的である。
【０００４】
例えば、半導体チップと基板間の接続においては、ＢＧＡ（ＢａｌｌＧｒｉｄＡｒｒａｙ）、ＣＳＰ（ＣｈｉｐＳｉｚｅＰａｃｋａｇｅ）等に盛んに用いられているＣＯＢ（ＣｈｉｐＯｎＢｏａｒｄ）型の接続方式もフリップチップ接続方式である。また、フリップチップ接続方式は、半導体チップ上にバンプ又は配線を形成して、半導体チップ間で接続するＣＯＣ（ＣｈｉｐＯｎＣｈｉｐ）型の接続方式にも広く用いられている（例えば、下記特許文献１参照）。
【０００５】
更なる小型化、薄型化、高機能化が強く要求されたパッケージでは、上述した接続方式を積層・多段化したチップスタック型パッケージやＰＯＰ（ＰａｃｋａｇｅＯｎＰａｃｋａｇｅ）、ＴＳＶ（Ｔｈｒｏｕｇｈ－ＳｉｌｉｃｏｎＶｉａ）等も広く普及し始めている。平面状でなく立体状に配置することでパッケージを小さくできることから、これらの技術は多用され、半導体の性能向上及びノイズ低減、実装面積の削減、省電力化にも有効であり、次世代の半導体配線技術として注目されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
特開２００８－２９４３８２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
ところで、上述したフリップチップ接続方式においては、接続部の金属接合を保護する等の目的で、半導体用接着剤を介してフリップチップ接続を行う場合がある。
【０００８】
フリップチップパッケージでは、近年、高機能化及び高集積化が進んでいるが、高機能化及び高集積化するにつれて配線間のピッチが狭くなることから、パッケージ発熱量が大きくなる。パッケージに熱がこもると半導体チップが高温となり、誤作動を起こす可能性がある。そのため、半導体用接着剤に対して、従来に比べて優れた放熱性が求められる。
【０００９】
また、フリップチップパッケージの製造における接続プロセスでは、通常、基板又は半導体チップに設けられたアライメントマークを目印にして位置合わせが行われる。半導体用接着剤を介してフリップチップ接続を行う場合、半導体用接着剤が設けられた半導体チップ又は基板を位置合わせすることになる。そのため、半導体用接着剤には、覆ったアライメントマークを視認できる視認性が求められる。
【００１０】
そこで、本開示は、放熱性に優れるとともに充分な視認性を有する半導体用接着剤を提供することを目的とする。また、本開示は、このような半導体用接着剤を用いた半導体装置及びその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
（【００１１】以降は省略されています）

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