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公開番号2025098489
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-07-02
出願番号2023214641
出願日2023-12-20
発明の名称基板処理装置及び基板処理方法
出願人東京エレクトロン株式会社
代理人個人,個人
主分類H01L 21/31 20060101AFI20250625BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】基板温度の面内分布を調整できる技術を提供する。
【解決手段】本開示の一態様による基板処理装置は、真空容器と、前記真空容器内に設けられ、基板を載置する載置面が上面に形成された回転テーブルと、前記回転テーブルの下方に設けられ、輻射により前記基板を加熱する加熱部と、前記回転テーブルと前記基板との間の隙間の熱伝導率の面内分布を調整する熱伝導率調整部と、を備える。
【選択図】図7
特許請求の範囲【請求項１】
真空容器と、
前記真空容器内に設けられ、基板を載置する載置面が上面に形成された回転テーブルと、
前記回転テーブルの下方に設けられ、輻射により前記基板を加熱する加熱部と、
前記回転テーブルと前記基板との間の隙間の熱伝導率の面内分布を調整する熱伝導率調整部と、
を備える、基板処理装置。
続きを表示（約 1,300 文字）【請求項２】
前記熱伝導率調整部は、
前記載置面に設けられる第１吸引溝と
前記第１吸引溝に連通する第１吸引孔と、
前記第１吸引孔に接続され、バラストガスが供給される第１吸引流路と、
を有し、
前記熱伝導率調整部は、前記第１吸引流路に供給される前記バラストガスの流量を制御することで、前記隙間の熱伝導率の面内分布を調整する、
請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項３】
前記熱伝導率調整部は、
前記載置面の前記第１吸引溝とは異なる位置に設けられる第２吸引溝と、
前記第２吸引溝に連通する第２吸引孔と、
前記第２吸引孔に接続され、前記バラストガスが供給される第２吸引流路と、
を有し、
前記熱伝導率調整部は、前記第１吸引流路に供給される前記バラストガスの流量と、前記第２吸引流路に供給される前記バラストガスの流量を制御することで、前記隙間の熱伝導率の面内分布を調整する、
請求項２に記載の基板処理装置。
【請求項４】
前記熱伝導率調整部は、
前記載置面に設けられる第１吸引溝と
前記第１吸引溝に連通する第１吸引孔と、
前記第１吸引孔に接続され、バラストガスが供給される第１吸引流路と、
を有し、
前記熱伝導率調整部は、前記第１吸引流路に供給される前記バラストガスの種類を変更することで、前記隙間の熱伝導率の面内分布を調整する、
請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項５】
前記熱伝導率調整部は、
前記載置面の前記第１吸引溝とは異なる位置に設けられる第２吸引溝と
前記第２吸引溝に連通する第２吸引孔と、
前記第２吸引孔に接続され、前記バラストガスが供給される第２吸引流路と、
を有し、
前記熱伝導率調整部は、前記第１吸引流路に供給される前記バラストガス及び前記第２吸引流路に供給される前記バラストガスの少なくとも一方の種類を変更することで、前記隙間の熱伝導率の面内分布を調整する、
請求項４に記載の基板処理装置。
【請求項６】
前記第１吸引溝と前記第２吸引溝とは、前記載置面の中心軸線を中心とする同心円上に設けられる、
請求項３又は５に記載の基板処理装置。
【請求項７】
前記隙間の圧力は、前記基板の上面側の圧力よりも低い、
請求項１乃至５のいずれか一項に記載の基板処理装置。
【請求項８】
前記載置面の中心は、前記回転テーブルの回転軸に対して水平方向にずれた位置に設けられる、
請求項１乃至５のいずれか一項に記載の基板処理装置。
【請求項９】
前記載置面は、前記回転テーブルの周方向に沿って複数設けられる、
請求項８に記載の基板処理装置。
【請求項１０】
前記加熱部は、複数のヒータを含み、
前記複数のヒータは、前記回転テーブルの回転軸を中心とする同心円上に設けられる、
請求項１乃至５のいずれか一項に記載の基板処理装置。
（【請求項１１】以降は省略されています）
発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本開示は、基板処理装置及び基板処理方法に関する。
続きを表示（約 1,300 文字）【背景技術】
【０００２】
複数の基板を載置した回転テーブルを回転させることで各基板を公転させ、回転テーブルの半径方向に沿うように配置される処理ガスの供給領域を繰り返し通過させることで、基板に各種の膜を成膜する装置が知られている（例えば、特許文献１参照）。特許文献１の装置は、輻射により複数の基板を加熱する加熱部と、加熱部から複数の基板への輻射量を調整する輻射調整部とを有する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
特開２０２１－１２５５０２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本開示は、基板温度の面内分布を調整できる技術を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本開示の一態様による基板処理装置は、真空容器と、前記真空容器内に設けられ、基板を載置する載置面が上面に形成された回転テーブルと、前記回転テーブルの下方に設けられ、輻射により前記基板を加熱する加熱部と、前記回転テーブルと前記基板との間の隙間の熱伝導率の面内分布を調整する熱伝導率調整部と、を備える。
【発明の効果】
【０００６】
本開示によれば、基板温度の面内分布を調整できる。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
実施形態に係る基板処理装置の構成例を示す断面図である。
図１の基板処理装置の真空容器内の構成を示す斜視図である。
図１の基板処理装置の真空容器内の構成を示す平面図である。
図１の基板処理装置の真空容器内に設けられる回転テーブルの同心円に沿った当該真空容器の断面図である。
図１の基板処理装置の別の断面図である。
ヒータユニットの配置の一例を示す図である。
熱伝導率調整部を示す断面図である。
熱伝導率調整部を示す平面図である。
基板温度の面内分布を調整する方法を示す図である。
圧力と熱伝導率との関係を示す図である。
変形例に係る熱伝導率調整部を示す断面図である。
基板温度の面内分布を調整する方法を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
以下、添付の図面を参照しながら、本開示の限定的でない例示の実施形態について説明する。添付の全図面中、同一又は対応する部材又は部品については、同一又は対応する参照符号を付し、重複する説明を省略する。
【０００９】
〔基板処理装置〕
実施形態に係る基板処理装置について説明する。図１は、実施形態に係る基板処理装置の構成例を示す断面図である。図２は、図１の基板処理装置の真空容器１内の構成を示す斜視図である。図３は、図１の基板処理装置の真空容器１内の構成を示す平面図である。図２及び図３において、天板１１の図示を省略する。
【００１０】
図１から図３を参照すると、基板処理装置は、ほぼ円形の平面形状を有する扁平な真空容器１と、真空容器１内に設けられ、真空容器１の中心に回転中心を有する回転テーブル２と、を備えている。
（【００１１】以降は省略されています）

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