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公開番号2025090318
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-06-17
出願番号2023205491
出願日2023-12-05
発明の名称半導体製造装置及び半導体装置の製造方法
出願人キオクシア株式会社
代理人個人,個人,個人,個人
主分類H01L 21/306 20060101AFI20250610BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】ウェハに対する処理の面内均一性を向上することができる半導体製造装置及び半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】実施形態に係る半導体製造装置は、ウェハを処理するための処理液を貯留し、貯留した前記処理液を循環させる処理槽と、前記処理槽内に上下方向に延在するように配置された第1ベルトコンベアと、前記処理槽内に上下方向に延在するように配置された第2ベルトコンベアと、前記ウェハの端部を挟さんで支持するように前記第1ベルトコンベアおよび前記第2ベルトコンベアを開閉動作させるとともに、前記第1ベルトコンベアおよび前記第2ベルトコンベアを回転駆動するように制御する駆動制御部とを備える。
【選択図】図1
特許請求の範囲【請求項１】
ウェハを処理するための処理液を貯留し、貯留した前記処理液を循環させる処理槽と、
前記処理槽内に上下方向に延在するように配置された第１ベルトコンベアと、
前記処理槽内に上下方向に延在するように配置された第２ベルトコンベアと、
前記ウェハの端部を挟さんで支持するように前記第１ベルトコンベアおよび前記第２ベルトコンベアを開閉動作させるとともに、前記第１ベルトコンベアおよび前記第２ベルトコンベアを回転駆動するように制御する駆動制御部と、を備え、
前記駆動制御部は、
前記処理槽に貯留された前記処理液に浸漬された前記ウェハの端部を前記第１ベルトコンベアおよび前記第２ベルトコンベアによって挟んで支持した状態で、前記第１ベルトコンベアおよび前記第２ベルトコンベアを回転駆動させることで、前記ウェハを前記ウェハの面に垂直な方向を中心に回転させるとともに、前記ウェハを上下方向に移動させる、
ことを特徴とする半導体製造装置。
続きを表示（約 1,300 文字）【請求項２】
前記駆動制御部は、前記ウェハの端部を前記第１ベルトコンベアおよび前記第２ベルトコンベアによって挟さんで支持するための圧力を調整するように、前記第１ベルトコンベアの上部および前記第２ベルトコンベアの上部を移動させる
ことを特徴とする請求項１に記載の半導体製造装置。
【請求項３】
前記駆動制御部は、
前記第１ベルトコンベアの上部と前記第２ベルトコンベアの上部とが離れるように駆動させることで、閉状態から開状態に制御し、
一方、前記第１ベルトコンベアの上部と前記第２ベルトコンベアの上部とが近づくように駆動させることで、開状態から閉状態に制御する
ことを特徴とする請求項１に記載の半導体製造装置。
【請求項４】
前記ウェハを処理するために、前記ウェハを上方から前記処理槽内に移動させて前記処理液に浸漬させ、処理が完了した前記ウェハを前記処理槽内から上方に引き上げるリフターをさらに備え、
前記駆動制御部は、前記リフターによって前記ウェハを上方から前記処理槽内に移動させた状態で、前記第１ベルトコンベアおよび前記第２ベルトコンベアを前記ウェハの端部を挟さんで支持するように開状態から閉状態に動作させ、
前記ウェハの端部を前記第１ベルトコンベアおよび前記第２ベルトコンベアによって挟さんで支持した閉状態から開状態に動作させて、処理が完了した前記ウェハをリフターによって前記処理槽内から上方に引き上げさせる
ことを特徴とする請求項１に記載の半導体製造装置。
【請求項５】
前記処理槽は、前記処理液に浸漬された前記ウェハの端部を前記第１ベルトコンベアおよび前記第２ベルトコンベアによって挟んで支持した状態で、前記処理液が前記処理槽内を前記ウェハの表面を通過して循環するように、前記処理槽から溢れた処理液を前記ウェハに向けて吐出する吐出部を備える
ことを特徴とする半導体製造装置。
【請求項６】
ウェハを処理するための処理液を貯留し、貯留した前記処理液を循環させる処理槽と、前記処理槽内に上下方向に延在するように配置された第１ベルトコンベアと、前記処理槽内に上下方向に延在するように配置された第２ベルトコンベアと、前記ウェハの端部を挟さんで支持するように前記第１ベルトコンベアおよび前記第２ベルトコンベアを開閉動作させるとともに、前記第１ベルトコンベアおよび前記第２ベルトコンベアを回転駆動するように制御する駆動制御部と、を備えた半導体製造装置を用いた半導体装置の製造方法であって、
前記駆動制御部によって、前記処理槽に貯留された前記処理液に浸漬された前記ウェハの端部を前記第１ベルトコンベアと前記第２ベルトコンベアによって挟んで支持した状態で、前記第１ベルトコンベアおよび前記第２ベルトコンベアを回転駆動させることで、前記ウェハを前記ウェハの面に垂直な方向を中心に回転させるとともに、前記ウェハを上下方向に移動させる、
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、半導体製造装置及び半導体装置の製造方法に関する。
続きを表示（約 2,400 文字）【背景技術】
【０００２】
従来、ウェハを処理液に浸漬させて洗浄やエッチングの処理を行う半導体製造装置がある。このような半導体製造装置では、噴流管から処理液を吐出して処理槽内の処理液を循環させる。例えば、噴流管の吐出口付近では処理液の温度、エッチャントの濃度や流速が高いため、エッチングレートが増加することとなる。このため、ウェハの上下で処理量（例えばエッチング量）に差が生じることで、ウェハに対する処理の面内均一性が低下することとなる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
特開２００６－０３２６４０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
一つの実施形態は、ウェハに対する処理の面内均一性を向上することができる半導体製造装置及び半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
一つの実施形態に係る半導体製造装置は、
ウェハを処理するための処理液を貯留し、貯留した前記処理液を循環させる処理槽と、
前記処理槽内に上下方向に延在するように配置された第１ベルトコンベアと、
前記処理槽内に上下方向に延在するように配置された第２ベルトコンベアと、
前記ウェハの端部を挟さんで支持するように前記第１ベルトコンベアおよび前記第２ベルトコンベアを開閉動作させるとともに、前記第１ベルトコンベアおよび前記第２ベルトコンベアを回転駆動するように制御する駆動制御部と、を備え、
前記駆動制御部は、
前記処理槽に貯留された前記処理液に浸漬された前記ウェハの端部を前記第１ベルトコンベアおよび前記第２ベルトコンベアによって挟んで支持した状態で、前記第１ベルトコンベアおよび前記第２ベルトコンベアを回転駆動させることで、前記ウェハを前記ウェハの面に垂直な方向を中心に回転させるとともに、前記ウェハを上下方向に移動させる。
【図面の簡単な説明】
【０００６】
図１は、ウェハを処理する状態の一例を模式的に示す第１の実施形態に係る半導体製造装置の構成図である。
図２は、図１に示す半導体製造装置の第１領域に注目した構成の一例を模式的に示す上面図である。
図３は、図１に示す半導体製造装置の第２領域に注目した構成の一例を模式的に示す断面図である。
図４Ａは、図１に示す半導体製造装置の第３領域に注目した構成の一例を模式的に示す断面図である。
図４Ｂは、図１に示す半導体製造装置の第３領域に注目した構成の他の例を模式的に示す断面図である。
図５は、図１に示す半導体製造装置においてウェハを処理槽の処理液で洗浄処理する状態の一例を模式的に示す図である。
図６Ａは、第１の実施形態に係る半導体製造装置による半導体装置の製造工程の一例を示す説明図である。
図６Ｂは、図６Ａに続く、第１の実施形態に係る半導体製造装置による半導体装置の製造工程の一例を示す説明図である。
図７Ａは、図６Ｂに続く、第１の実施形態に係る半導体製造装置による半導体装置の製造工程の一例を示す説明図である。
図７Ｂは、図７Ａに続く、第１の実施形態に係る半導体製造装置による半導体装置の製造工程の一例を示す説明図である。
図８Ａは、図７Ｂに続く、第１の実施形態に係る半導体製造装置による半導体装置の製造工程の一例を示す説明図である。
図８Ｂは、図７Ａに続く、第１の実施形態に係る半導体製造装置による半導体装置の製造工程の一例を示す説明図である。
図９は、図８Ｂに続く、第１の実施形態に係る半導体製造装置による半導体装置の製造工程の一例を示す説明図である。
【発明を実施するための形態】
【０００７】
以下に添付図面を参照して、実施形態にかかる半導体製造装置及び半導体装置の製造方法を詳細に説明する。なお、これらの実施形態により本発明が限定されるものではない。
【０００８】
（第１の実施形態）
ここで、図１は、ウェハを処理する状態の一例を模式的に示す第１の実施形態に係る半導体製造装置１００の構成図である。また、図２は、図１に示す半導体製造装置１００の第１領域Ｑ１に注目した構成の一例を模式的に示す上面図である。また、図３は、図１に示す半導体製造装置１００の第２領域Ｑ２に注目した構成の一例を模式的に示す断面図である。また、図４Ａは、図１に示す半導体製造装置１００の第３領域Ｑ３に注目した構成の一例を模式的に示す断面図である。また、図４Ｂは、図１に示す半導体製造装置１００の第３領域Ｑ３に注目した構成の他の例を模式的に示す断面図である。また、図５は、図１に示す半導体製造装置１００においてウェハを処理槽の処理液で洗浄処理する状態の一例を模式的に示す図である。
【０００９】
なお、簡単のため、図１ないし図４においては、半導体製造装置１００の処理槽Ｓ内に貯留された処理液を図示していない。さらに、簡単のため、図１においては、図５に示す処理槽Ｓの補助槽Ｓａ、噴流管Ｈ、および吐出部Ｓａを省略している。また、簡単のため、図５においては、図１に示す第１ベルトコンベアＢ１、第２ベルトコンベアＢ２、駆動制御部ＤＸ、及びリフターＬを省略している。その他、便宜上、各図面において構成が省略されている場合がある。
【００１０】
また、この第１の実施形態に係る半導体製造装置１００の構成は、複数のウェハを処理するバッチ式の装置の構成の一例であるが、この構成に限定されるものではなく、例えば、枚様式の装置であってもよい。
（【００１１】以降は省略されています）

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