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公開番号2025089934
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-06-16
出願番号2023204914
出願日2023-12-04
発明の名称光電変換装置および機器
出願人キヤノン株式会社
代理人弁理士法人大塚国際特許事務所
主分類H10F 39/12 20250101AFI20250609BHJP()
要約【課題】カップリング容量の抑制に有利な技術を提供する。
【解決手段】第1FDおよび第2FDが配された第1半導体層と、第2半導体層と、前記第1半導体層と前記第2半導体層との間に配された第1配線構造体と、前記第1配線構造体と前記第2半導体層との間に配され、複数の金属パッドを介して前記第1配線構造体に接合された第2配線構造体と、が積層され、前記第1FDは、前記複数の金属パッドのうち第1金属パッドを介して前記第2半導体層に配された第1トランジスタに接続され、前記第2FDは、前記複数の金属パッドのうち第2金属パッドを介して前記第2半導体層に配された第2トランジスタに接続され、前記複数の金属パッドは、前記第1金属パッドと前記第2金属パッドとの間に配された第3金属パッドを含み、前記第1配線構造体には、前記第3金属パッドから前記第1半導体層に向かって延びる導電パターンが配されている。
【選択図】図3
特許請求の範囲【請求項１】
第１フローティングディフュージョンおよび第２フローティングディフュージョンが配された第１半導体層と、第２半導体層と、前記第１半導体層と前記第２半導体層との間に配された第１配線構造体と、前記第１配線構造体と前記第２半導体層との間に配され、複数の金属パッドを介して前記第１配線構造体に接合された第２配線構造体と、が積層された光電変換装置であって、
前記第１フローティングディフュージョンは、前記複数の金属パッドのうち第１金属パッドを介して前記第２半導体層に配された第１トランジスタに接続され、
前記第２フローティングディフュージョンは、前記複数の金属パッドのうち第２金属パッドを介して前記第２半導体層に配された第２トランジスタに接続され、
前記複数の金属パッドは、前記第１金属パッドと前記第２金属パッドとの間に配された第３金属パッドを含み、
前記第１配線構造体には、前記第３金属パッドから前記第１半導体層に向かって延びる導電パターンが配されていることを特徴とする光電変換装置。
続きを表示（約 900 文字）【請求項２】
前記導電パターンは、前記第１半導体層に接していることを特徴とする請求項１に記載の光電変換装置。
【請求項３】
前記第３金属パッドおよび前記導電パターンを介して、前記第１半導体層に配された前記第１フローティングディフュージョンおよび前記第２フローティングディフュージョンを備える画素に、ウェル電位が供給されることを特徴とする請求項２に記載の光電変換装置。
【請求項４】
前記第３金属パッドは、フローティング状態であることを特徴とする請求項１に記載の光電変換装置。
【請求項５】
前記第１金属パッドは、配線パターンを介して前記第１トランジスタのゲートに接続され、
前記第３金属パッドは、前記第１トランジスタの出力に接続されることを特徴とする請求項１に記載の光電変換装置。
【請求項６】
前記第１金属パッドと前記第３金属パッドとは、互いに隣り合うように配され、
前記第２金属パッドと前記第３金属パッドとは、互いに隣り合うように配されることを特徴とする請求項１に記載の光電変換装置。
【請求項７】
前記導電パターンは、前記複数の金属パッドよりも前記第１半導体層に近い位置に配されることを特徴とする請求項１に記載の光電変換装置。
【請求項８】
前記導電パターンは、少なくとも部分的に、前記第１フローティングディフュージョンと前記第１金属パッドとを接続する配線パターンを取り囲むように配されることを特徴とする請求項１に記載の光電変換装置。
【請求項９】
前記導電パターンを第１導電パターンとして、
前記第２配線構造体には、前記第３金属パッドから前記第２半導体層に向かって延びる第２導電パターンが配されていることを特徴とする請求項１に記載の光電変換装置。
【請求項１０】
前記第２導電パターンは、前記複数の金属パッドよりも前記第２半導体層に近い位置に配されることを特徴とする請求項９に記載の光電変換装置。
（【請求項１１】以降は省略されています）
発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は、光電変換装置および機器に関する。
続きを表示（約 1,600 文字）【背景技術】
【０００２】
特許文献１には、第１基板を含む第１構造体と第２基板を含む第２構造体とが積層されたイメージセンサが示されている。特許文献１には、第１基板と第２基板とに配された素子同士を電気的に接続する配線構造体のうち、第１構造体と第２構造体とを接合する部分に配されるパッド間のカップリング容量を抑制するために、カップリング抑制ラインを配することが示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
特開２０２３－１１０８７３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
光電変換装置においてさらなる画質向上のために、カップリング容量のさらなる抑制が望まれる。
【０００５】
本発明は、カップリング容量の抑制に有利な技術を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記課題に鑑みて、本発明の実施形態に係る光電変換装置は、第１および第２フローティングディフュージョンが配された第１半導体層と、第２半導体層と、前記第１半導体層と前記第２半導体層との間に配された第１配線構造体と、前記第１配線構造体と前記第２半導体層との間に配され、複数の金属パッドを介して前記第１配線構造体に接合された第２配線構造体と、が積層された光電変換装置であって、前記第１フローティングディフュージョンは、前記複数の金属パッドのうち第１金属パッドを介して前記第２半導体層に配された第１トランジスタに接続され、前記第２フローティングディフュージョンは、前記複数の金属パッドのうち第２金属パッドを介して前記第２半導体層に配された第２トランジスタに接続され、前記複数の金属パッドは、前記第１金属パッドと前記第２金属パッドとの間に配された第３金属パッドを含み、前記第１配線構造体には、前記第３金属パッドから前記第１半導体層に向かって延びる導電パターンが配されていることを特徴とする。
【発明の効果】
【０００７】
本発明によれば、カップリング容量の抑制に有利な技術を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
本実施形態の光電変換装置の画素の構成例を示す回路図。
図１の光電変換装置の画素の構成例を示す平面図。
図１の光電変換装置の画素の構成例を示す断面図。
図１の光電変換装置の画素の構成例を示す平面図。
図１の光電変換装置の画素の構成例を示す平面図。
図１の光電変換装置の画素の構成例を示す断面図。
図１の光電変換装置の画素の構成例を示す断面図。
図１の光電変換装置の画素領域および周辺領域の構成例を示す平面図。
図１の光電変換装置の画素領域および周辺領域の構成例を示す断面図。
図１の光電変換装置の画素の構成例を示す断面図。
図１の光電変換装置の画素領域および周辺領域の構成例を示す断面図。
本実施形態の光電変換装置が組み込まれた機器の構成例を示す図。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下、添付図面を参照して実施形態を詳しく説明する。なお、以下の実施形態は特許請求の範囲に係る発明を限定するものではない。実施形態には複数の特徴が記載されているが、これらの複数の特徴の全てが発明に必須のものとは限らず、また、複数の特徴は任意に組み合わせられてもよい。さらに、添付図面においては、同一若しくは同様の構成に同一の参照番号を付し、重複した説明は省略する。
【００１０】
図１～図１１を参照して、本開示の実施形態による光電変換装置について説明する。以下の実施形態は、いずれも本開示の一例を示すものであり、特許請求の範囲に係る発明を限定するものではない。
（【００１１】以降は省略されています）

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