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公開番号2025083078
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-05-30
出願番号2023196753
出願日2023-11-20
発明の名称回路基板の製造方法
出願人味の素株式会社
代理人弁理士法人酒井国際特許事務所
主分類H05K 3/46 20060101AFI20250523BHJP(他に分類されない電気技術)
要約【課題】凹み部の形成を抑制された研磨面を有する硬化物層を備える回路基板の製造方法を提供する。
【解決手段】無機充填材及び硬化性樹脂を含む第一樹脂組成物によって第一樹脂組成物層を形成する工程、第一樹脂組成物層を硬化させて第一硬化層を形成する工程、第一硬化層の面を研磨する工程、硬化性樹脂を含む第二樹脂組成物によって、研磨された第一硬化層の面に、第二樹脂組成物層を形成する工程、第二樹脂組成物層を硬化させて、第二硬化層を形成する工程、及び、第二硬化層の第一硬化層とは反対側の面を研磨する工程、をこの順に含み;第二樹脂組成物が無機充填材を含む場合、当該無機充填材の99%粒径が、2μm以下である、回路基板の製造方法。
【選択図】図1
特許請求の範囲【請求項１】
無機充填材及び硬化性樹脂を含む第一樹脂組成物によって第一樹脂組成物層を形成する工程、
第一樹脂組成物層を硬化させて第一硬化層を形成する工程、
第一硬化層の面を研磨する工程、
硬化性樹脂を含む第二樹脂組成物によって、研磨された第一硬化層の面に、第二樹脂組成物層を形成する工程、
第二樹脂組成物層を硬化させて、第二硬化層を形成する工程、及び、
第二硬化層の第一硬化層とは反対側の面を研磨する工程、をこの順に含み；
第二樹脂組成物が、無機充填材を含まないか、又は、含み；
第二樹脂組成物が無機充填材を含む場合、当該無機充填材の９９％粒径が、２μｍ以下である、回路基板の製造方法。
続きを表示（約 540 文字）【請求項２】
第一樹脂組成物に含まれる無機充填材の９９％粒径が、２μｍより大きい、請求項１に記載の回路基板の製造方法。
【請求項３】
第二樹脂組成物に含まれる無機充填材の平均粒径が、第一樹脂組成物に含まれる無機充填材の平均粒径よりも小さい、請求項１に記載の回路基板の製造方法。
【請求項４】
研磨された第二硬化層の面のビッカース硬度が、１０ＨＶ以上である、請求項１に記載の回路基板の製造方法。
【請求項５】
第一硬化層の弾性率Ｇ１が、１０ＧＰａ以上である、請求項１に記載の回路基板の製造方法。
【請求項６】
第一硬化層の弾性率Ｇ１と第二硬化層の弾性率Ｇ２との比Ｇ１／Ｇ２が、１．１以上である、請求項１に記載の回路基板の製造方法。
【請求項７】
研磨された第二硬化層の面に、導体層を形成する工程を含む、請求項１に記載の回路基板の製造方法。
【請求項８】
回路基板が、半導体チップパッケージである、請求項１に記載の回路基板の製造方法。
【請求項９】
第一硬化層及び第二硬化層によって封止層又は再配線形成層が形成される、請求項１に記載の回路基板の製造方法。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は、回路基板の製造方法に関する。
続きを表示（約 2,400 文字）【背景技術】
【０００２】
プリント配線板、半導体チップパッケージ等の回路基板は、樹脂組成物を硬化して形成される硬化物層を備えることがある。これらの硬化物層は、通常、絶縁性を有し、封止層又は絶縁層として使用されうる。例えば、半導体チップパッケージにおいては、半導体チップを封止する封止層を、硬化物層によって形成することがある。また、半導体チップに接続された再配線層間を絶縁する絶縁層としての再配線形成層を、硬化物層によって形成することがある。このような硬化物層を形成するための樹脂組成物は、無機充填材を含むことがあった（特許文献１）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
国際公開第２０１９／０７３７６３号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
無機充填材を含む硬化物層には、研磨により、研磨面を形成することがあった。研磨は、一般に、高度に平滑な平面として前記の研磨面を形成するために行われる。本明細書において、用語「研磨」には、別に断らない限り、研削が包含されうる。形成された研磨面には、感光性樹脂組成物によって薄膜層が形成されたり、導体材料によって導体層が形成されたりしうる。
【０００５】
ところが、無機充填材を含む硬化物層は、当該硬化物層を研磨して研磨面を形成した場合に、当該研磨面に意図しない凹み部が形成されることがあった。凹み部が形成された研磨面上には、安定した層形成を行うことができず、その層に欠陥が発生することがある。例えば、研磨面に感光性樹脂組成物を用いて薄膜層を形成する場合には、その凹み部上には薄膜層を形成できず、欠陥が形成されることがありえた。前記の薄膜層が配線間を絶縁する絶縁層であったり、薄膜層をフォトレジストに用いて配線を形成したりする場合、前記の欠陥部分において意図しない導通が生じ、絶縁不良の原因となる可能性がある。
【０００６】
本発明は、前記の課題に鑑みて創案されたもので、凹み部の形成を抑制された研磨面を有する硬化物層を備える回路基板の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明者は、前記課題を解決するべく鋭意検討した。その結果、本発明者は、前記の研磨面上への樹脂組成物層の形成、硬化及び研磨を更に行うことにより、凹み部の形成を抑制できることを見出し、本発明を完成させた。
すなわち、本発明は、以下のものを含む。
【０００８】
＜１＞無機充填材及び硬化性樹脂を含む第一樹脂組成物によって第一樹脂組成物層を形成する工程、
第一樹脂組成物層を硬化させて第一硬化層を形成する工程、
第一硬化層の面を研磨する工程、
硬化性樹脂を含む第二樹脂組成物によって、研磨された第一硬化層の面に、第二樹脂組成物層を形成する工程、
第二樹脂組成物層を硬化させて、第二硬化層を形成する工程、及び、
第二硬化層の第一硬化層とは反対側の面を研磨する工程、をこの順に含み；
第二樹脂組成物が、無機充填材を含まないか、又は、含み；
第二樹脂組成物が無機充填材を含む場合、当該無機充填材の９９％粒径が、２μｍ以下である、回路基板の製造方法。
＜２＞第一樹脂組成物に含まれる無機充填材の９９％粒径が、２μｍより大きい、＜１＞に記載の回路基板の製造方法。
＜３＞第二樹脂組成物に含まれる無機充填材の平均粒径が、第一樹脂組成物に含まれる無機充填材の平均粒径よりも小さい、＜１＞又は＜２＞に記載の回路基板の製造方法。
＜４＞研磨された第二硬化層の面のビッカース硬度が、１０ＨＶ以上である、＜１＞～＜３＞のいずれか１項に記載の回路基板の製造方法。
＜５＞第一硬化層の弾性率Ｇ１が、１０ＧＰａ以上である、＜１＞～＜４＞のいずれか１項に記載の回路基板の製造方法。
＜６＞第一硬化層の弾性率Ｇ１と第二硬化層の弾性率Ｇ２との比Ｇ１／Ｇ２が、１．１以上である、＜１＞～＜５＞のいずれか１項に記載の回路基板の製造方法。
＜７＞研磨された第二硬化層の面に、導体層を形成する工程を含む、＜１＞～＜６＞のいずれか１項に記載の回路基板の製造方法。
＜８＞回路基板が、半導体チップパッケージである、＜１＞～＜７＞のいずれか１項に記載の回路基板の製造方法。
＜９＞第一硬化層及び第二硬化層によって封止層又は再配線形成層が形成される、＜１＞～＜８＞のいずれか１項に記載の回路基板の製造方法。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、凹み部の形成を抑制された研磨面を有する硬化物層を備える回路基板の製造方法を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
図１は、本発明の一実施形態に係る回路基板の製造方法を模式的に示す断面図である。
図２は、本発明の一実施形態に係る回路基板の製造方法を模式的に示す断面図である。
図３は、本発明の一実施形態に係る回路基板の製造方法を模式的に示す断面図である。
図４は、本発明の一実施形態に係る回路基板の製造方法を模式的に示す断面図である。
図５は、本発明の一実施形態に係る回路基板の製造方法を模式的に示す断面図である。
図６は、本発明の一実施形態に係る回路基板の製造方法を模式的に示す断面図である。
図７は、本発明の第二の例に係る回路基板としての半導体チップパッケージを模式的に示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
（【００１１】以降は省略されています）

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