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公開番号2024180081
公報種別公開特許公報(A)
公開日2024-12-26
出願番号2023099522
出願日2023-06-16
発明の名称発光装置および表示装置
出願人シャープ株式会社,学校法人名城大学
代理人弁理士法人 HARAKENZO WORLD PATENT & TRADEMARK
主分類H01L 33/08 20100101AFI20241219BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】従来とは異なる手法によって発光装置における迷光を低減する。
【解決手段】発光装置(10V)は、複数の発光素子(DV)を備えている。発光素子(DV)は、アノード(AN)およびカソード(CA)と、光吸収体(HK)と、を有しており、複数の発光素子(DV)のうち、互いに隣接している2つの発光素子(例:第1発光素子DV1および第2発光素子DV2)は、電気的に絶縁されている。光吸収体(HK)は、(i)発光装置(10V)の光取出側から見た場合に、アノード(AN)よりも下方に位置しているアノード側光吸収体(HKA)、および、(ii)当該光取出側から見た場合に、カソード(CA)よりも下方に位置しているカソード側光吸収体(HKC)、の少なくとも一方を含んでいる。
【選択図】図7
特許請求の範囲【請求項１】
複数の発光素子を備えた発光装置であって、
前記発光素子は、アノードおよびカソードと、光吸収体と、を有しており、
複数の前記発光素子のうち、互いに隣接している２つの発光素子は、電気的に絶縁されており、
前記光吸収体は、（ｉ）前記発光装置の光取出側から見た場合に、前記アノードよりも下方に位置しているアノード側光吸収体、および、（ｉｉ）前記光取出側から見た場合に、前記カソードよりも下方に位置しているカソード側光吸収体、の少なくとも一方を含んでいる、発光装置。
続きを表示（約 790 文字）【請求項２】
前記アノードおよび前記カソードの少なくとも一方は、光透過性を有している、請求項１に記載の発光装置。
【請求項３】
前記アノードおよび前記カソードの少なくとも一方は、材料として、ＩＴＯ、ＦＴＯ、ＩＧＺＯ、ＺｎＯ、シリサイド、およびＳｉＣのうちの少なくとも１つを含んでいる、請求項１に記載の発光装置。
【請求項４】
前記光吸収体の屈折率と前記発光素子を構成する半導体材料の屈折率との差は、±０．５以内である、請求項１に記載の発光装置。
【請求項５】
前記光吸収体の消衰係数は、５以上である、請求項１に記載の発光装置。
【請求項６】
前記光吸収体の厚さは、０．５μｍ以上かつ５μｍ以下である、請求項１に記載の発光装置。
【請求項７】
前記光吸収体は、導電性を有している、請求項１に記載の発光装置。
【請求項８】
前記光吸収体は、ＩＶ族半導体、窒化物を除くＩＩＩ－Ｖ族半導体、Ｃ、または金属硫化物を含んでいる、請求項１に記載の発光装置。
【請求項９】
前記光吸収体は、（ｉ）Ｃを主成分として含むグラファイトである、または、（ｉｉ）ＣおよびＨを含むＤＬＣである、請求項１に記載の発光装置。
【請求項１０】
複数の前記発光素子は、第１発光素子と第２発光素子とを含んでおり、
前記第１発光素子は、第１色光を発する第１発光層を有しており、
前記第２発光素子は、前記第１色光とは異なる色を有する第２色光を発する第２発光層を有しており、
前記発光装置の光取出面から前記第１発光層までの距離は、前記光取出面から前記第２発光層までの距離とは異なっている、請求項１に記載の発光装置。
（【請求項１１】以降は省略されています）
発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
以下の開示は、発光装置に関する。
続きを表示（約 1,700 文字）【背景技術】
【０００２】
下記の特許文献１には、迷光を低減することを一目的とした発光装置の構成例が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
特開２０１０－９６８８２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本開示の一態様の目的は、従来とは異なる手法によって発光装置における迷光を低減することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
上記の課題を解決するために、本開示の一態様に係る表示装置は、複数の発光素子を備えた発光装置であって、前記発光素子は、アノードおよびカソードと、光吸収体と、を有しており、複数の前記発光素子のうち、互いに隣接している２つの発光素子は、電気的に絶縁されており、前記光吸収体は、（ｉ）前記発光装置の光取出側から見た場合に、前記アノードよりも下方に位置しているアノード側光吸収体、および、（ｉｉ）前記光取出側から見た場合に、前記カソードよりも下方に位置しているカソード側光吸収体、の少なくとも一方を含んでいる。
【発明の効果】
【０００６】
本開示の一態様によれば、従来とは異なる手法によって発光装置における迷光を低減できる。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
実施形態１に係る発光装置の製造方法の例を示すフローチャートである。
実施形態１に係る製造方法の例を示す断面図である。
実施形態１に係る製造方法の例を示す断面図である。
実施形態１に係る製造方法の例を示す断面図である。
実施形態１に係る製造方法の例を示す断面図である。
実施形態１に係る表示装置の構成例を示す断面図である。
実施形態２に係る発光装置の構成を概略的に示す。
実施形態２に係る発光装置についての模式的な断面図を示す。
発明者らによって実際に製造された複数の発光素子を表す画像の例を示す。
本開示の一態様に係る発光装置における迷光の発生要因について説明するための図である。
シミュレーションにおける光強度の測定方向を示す。
シミュレーションによって導出された、第１モデルおよび第２モデルのそれぞれにおける光強度の分布の例を示す。
第１モデルにおいて生じる迷光を模式的に表す。
第２モデルにおいて生じる迷光を模式的に表す。
実施形態２に係る発光装置の別の構成例を示す。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
〔実施形態１〕
実施形態１について以下に説明する。説明の便宜上、実施形態１にて説明したコンポーネント（構成要素）と同じ機能を有するコンポーネントについては、以降の各実施形態では同じ符号を付し、その説明を繰り返さない。簡潔化のため、公知の技術事項についても説明を適宜省略する。
【０００９】
本明細書において述べる各コンポーネント、各材料、および各数値はいずれも、内容上矛盾のない限り、単なる例示である。それゆえ、内容上矛盾のない限り、例えば各コンポーネントの位置関係および接続関係は各図の例に限定されない。また、各図は必ずしもスケール通りに図示されていない。本明細書では、特に矛盾のない限り、２つの数ＡおよびＢについての表記「Ａ～Ｂ」は、「Ａ以上かつＢ以下」を表す。
【００１０】
（発光装置１０）
図１は、実施形態１に係る発光装置１０の製造方法の例を示すフローチャートである。図２～図５は、発光装置１０の製造方法の例を示す断面図である。図１～図５に示すように、ステップＳ２０では、成長用基板ＳＫ（例えば、Ｃ面サファイア基板）上に半導体結晶ＳＬを、ＭＯＣＶＤ装置等を用いてエピタキシャル成長させる。半導体結晶ＳＬは窒化物半導体結晶であってよい。窒化物半導体としては、ＧａＮ系半導体のほか、ＡｌＮ（窒化アルミニウム）およびＩｎＮ（窒化インジウム）等を挙げることができる。
（【００１１】以降は省略されています）

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