特許ウォッチ

公開番号2024156266
公報種別公開特許公報(A)
公開日2024-11-06
出願番号2023070588
出願日2023-04-24
発明の名称液晶表示装置
出願人株式会社ジャパンディスプレイ
代理人ポレール弁理士法人
主分類G02F 1/1368 20060101AFI20241029BHJP(光学)
要約【課題】高精細液晶表示装置において、映像信号線とソース電極の絶縁の信頼性を向上させる。
【解決手段】第1映像信号線と第2映像信号線の間に半導体膜を有するTFTが形成され、半導体膜の第1端部は第1映像信号線と接続し、第2端部はソース電極と接続し、第1及び第2映像信号線とソース電極は第1層間絶縁膜の上に存在し、ソース電極は画素電極と接続し、かつ、第1映像信号線と第2映像信号線の間に存在している液晶表示装置であって、第1及び第2映像信号線とソース電極を覆って第2層間絶縁膜が形成され、第2層間絶縁膜の上に、ソース電極と接続した中継電極が形成され、第2層間絶縁膜を覆って有機パッシベーション膜が形成され、有機パッシベーション膜を覆って容量絶縁膜が形成され、有機パッシベーション膜と容量絶縁膜の間に設けられる画素電極は、有機パッシベーション膜に形成された第1スルーホール内で、中継電極と接続する。
【選択図】図8
特許請求の範囲【請求項１】
第１映像信号線と第２映像信号線の間に半導体膜を有するＴＦＴ（薄膜トランジスタ）が形成され、
前記半導体膜の第１端部は前記第１映像信号線と接続し、第２端部はソース電極と接続し、
前記第１映像信号線と前記第２映像信号線と前記ソース電極は第１層間絶縁膜の上に存在し、
前記ソース電極は画素電極と接続し、かつ、前記第１映像信号線と前記第２映像信号線の間に存在している液晶表示装置であって、
前記第１映像信号線、前記第２映像信号線、及び、前記ソース電極を覆って第２層間絶縁膜が形成され、
前記第２層間絶縁膜の上に、前記ソース電極と接続した中継電極が形成され、
前記第２層間絶縁膜を覆って有機パッシベーション膜が形成され、
前記有機パッシベーション膜を覆って容量絶縁膜が形成され、
前記有機パッシベーション膜と前記容量絶縁膜の間に設けられる前記画素電極は、前記有機パッシベーション膜に形成された第１スルーホール内で、前記中継電極と接続することを特徴とする液晶表示装置。
続きを表示（約 1,500 文字）【請求項２】
前記ソース電極は前記有機パッシベーション膜に形成された前記第１スルーホール内に延在し、前記ソース電極と前記中継電極を接続する、前記第２層間絶縁膜に形成された第２スルーホールは、前記有機パッシベーション膜に形成された前記第１スルーホール内に存在することを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項３】
前記ソース電極と前記半導体膜を接続する、前記第１層間絶縁膜に形成された第３スルーホールは、平面で視て、前記有機パッシベーション膜に形成された前記第１スルーホールの外側に存在することを特徴とする請求項２に記載の液晶表示装置。
【請求項４】
前記ソース電極と前記半導体膜を接続する、前記第１層間絶縁膜に形成された第３スルーホールは、平面で視て、前記有機パッシベーション膜に形成された前記第１スルーホールの内側に存在することを特徴とする請求項２に記載の液晶表示装置。
【請求項５】
前記ソース電極と前記中継電極を接続する、前記第２層間絶縁膜に形成された第２スルーホールは、平面で視て、前記有機パッシベーション膜に形成された前記第１スルーホールの外側に形成され、前記中継電極が前記有機パッシベーション膜に形成された前記第１スルーホールの内側に延在することを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項６】
前記ソース電極は前記有機パッシベーション膜に形成された前記第１スルーホールの内側には延在しないことを特徴とする請求項５に記載の液晶表示装置。
【請求項７】
前記中継電極はＩＴＯ（ＩｎｄｉｕｍＴｉｎＯｘｉｄｅ）によって形成されていることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項８】
前記第２層間絶縁膜は、無機絶縁膜で形成され、
前記ソース電極は、前記映像信号線に平行な線状に形成され、
前記中継電極は、前記ソース電極に重なり、前記ソース電極に平行な線状に形成されていることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項９】
第１映像信号線と第２映像信号線の間に半導体膜を有するＴＦＴ（薄膜トランジスタ）が形成され、
前記半導体膜の第１端部は前記第１映像信号線と接続し、第２端部はソース電極と接続し、
前記第１映像信号線と前記第２映像信号線と前記ソース電極は第１層間絶縁膜の上に存在し、
前記ソース電極は画素電極と接続し、かつ、前記第１映像信号線と前記第２映像信号線の間に存在している液晶表示装置であって、
第１映像信号線、前記第２映像信号線、及び前記ソース電極を覆って第２層間絶縁膜が形成され、
前記第２層間絶縁膜を覆って有機パッシベーション膜が形成され、
前記有機パッシベーション膜を覆って容量絶縁膜が形成され、
前記容量絶縁膜上に前記画素電極と対向するコモン電極が形成され、
前記有機パッシベーション膜と前記容量絶縁膜との間に設けられる前記画素電極は、前記有機パッシベーション膜に形成された第１スルーホール内に、設けられる前記第２層間絶縁膜に形成された第２スルーホールを介して前記ソース電極に接続される、液晶表示装置。
【請求項１０】
前記半導体膜と前記ソース電極を接続する第３スルーホールは、平面で視て、前記有機パッシベーション膜に形成された前記第１スルーホール及び前記第２層間絶縁膜に形成された前記第２スルーホールの外側に形成され、
前記ソース電極は、前記第１映像信号線と平行に線状に形成されていることを特徴とする請求項９に記載の液晶表示装置。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は、高精細液晶表示装置に関する。
続きを表示（約 1,500 文字）【背景技術】
【０００２】
液晶表示装置では画素電極および薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）等を有する画素がマトリクス状に形成されたＴＦＴ基板と、ＴＦＴ基板に対向して対向基板が配置され、ＴＦＴ基板と対向基板の間に液晶が挟持されている。そして画素毎に、液晶分子によりバックライトからの光の透過率を制御することによって画像を形成している。
【０００３】
液晶表示装置は、ＶＲ（ＶｉｒｔｕａｌＲｅａｌｉｔｙ）表示装置（以後ＶＲともいう）等では、画素ピッチを極めて小さくする必要がある。これに伴い、配線の幅も小さくする必要があるとともに、配線間の間隔が小さくなる。特許文献１には、画素ピッチを小さくするために、ＴＦＴと接続するソース電極の幅を映像信号線の幅と同程度にまで、小さくした構成が記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
特開２０１８－７２５３７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
フルＨＤ（ＦｕｌｌＨｉｇｈＤｅｆｉｎｉｔｉｏｎ）と呼ばれる高精細化した液晶表示装置では、水平方向の画素ピッチが２０μｍ乃至３０μｍ程度まで小さくなっている。ＶＲ（ＶｉｒｔｕａｌＲｅａｌｉｔｙ）表示装置等では、水平方向の画素ピッチは８μｍ程度にまで小さくなる。
【０００６】
そうすると、配線の線幅を小さくし、配線間の間隔を小さくする必要がある。配線間の間隔が小さくなると、配線間の絶縁特性が問題になる。また、配線の線幅を小さくする一方、配線抵抗の問題から、配線の厚さは大きくしなければならない。
【０００７】
本発明の課題は、画素ピッチが小さい、高精細の液晶表示装置において、画質を維持しつつ、配線間の絶縁特性を維持し、信頼性の高い表示装置を実現することである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明は上記問題を克服するものであり、具体的な手段は次のとおりである。
【０００９】
（１）第１映像信号線と第２映像信号線の間に半導体膜を有するＴＦＴ（薄膜トランジスタ）が形成され、前記半導体膜の第１端部は前記第１映像信号線と接続し、第２端部はソース電極と接続し、前記第１映像信号線と前記第２映像信号線と前記ソース電極は第１層間絶縁膜の上に存在し、前記ソース電極は画素電極と接続し、かつ、前記第１映像信号線と前記第２映像信号線の間に存在している液晶表示装置であって、前記第１映像信号線、前記第２映像信号線、及び、前記ソース電極を覆って第２層間絶縁膜が形成され、前記第２層間絶縁膜の上に、前記ソース電極と接続した中継電極が形成され、前記第２層間絶縁膜を覆って有機パッシベーション膜が形成され、前記有機パッシベーション膜を覆って容量絶縁膜が形成され、前記有機パッシベーション膜と前記容量絶縁膜の間に設けられる前記画素電極は、前記有機パッシベーション膜に形成された第１スルーホール内で、前記中継電極と接続することを特徴とする液晶表示装置。
【００１０】
（２）前記ソース電極は前記有機パッシベーション膜に形成された前記第１スルーホール内に延在し、前記ソース電極と前記中継電極を接続する、前記第２層間絶縁膜に形成された第２スルーホールは、前記有機パッシベーション膜に形成された前記第１スルーホール内に存在することを特徴とする（１）に記載の液晶表示装置。
（【００１１】以降は省略されています）

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