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公開番号
2024112603
公報種別
公開特許公報(A)
公開日
2024-08-21
出願番号
2023017757
出願日
2023-02-08
発明の名称
半導体装置
出願人
三菱電機株式会社
代理人
弁理士法人高田・高橋国際特許事務所
主分類
H01L
23/48 20060101AFI20240814BHJP(基本的電気素子)
要約
【課題】本開示は半導体装置に関し、リードフレームの振動及び位置ずれを抑制することで、製造効率及び製造品質を改善できる半導体装置を提供することを目的とする。
【解決手段】本開示の半導体装置は、複数の集積回路と、複数の集積回路を搭載するICフレームと、封止材を備える。ICフレームは、ICフレームの長手方向に延伸する第一の突起と、ICフレームにおいて第一の突起の反対側に位置し、第一の突起と反対方向に延伸する第二の突起と、ICフレームの短手方向に延伸し、封止材に内蔵されている第三の突起とを有する。
【選択図】図1
特許請求の範囲
【請求項1】
複数の集積回路と、前記複数の集積回路を搭載するICフレームと、封止材を備え、
前記ICフレームが、
前記ICフレームの長手方向に延伸する第一の突起と、
前記ICフレームにおいて前記第一の突起の反対側に位置し、前記第一の突起と反対方向に延伸する第二の突起と、
前記ICフレームの短手方向に延伸し、封止材に内蔵されている第三の突起と
を有する半導体装置。
続きを表示(約 530 文字)
【請求項2】
前記複数の集積回路が、2つの集積回路であり、
前記第三の突起が、前記2つの集積回路のそれぞれから同じ距離となる位置に存在する
請求項1に記載の半導体装置。
【請求項3】
前記複数の集積回路が、2つの集積回路であり、
前記ICフレームが、前記2つの集積回路の間にめっき領域を有する
請求項1に記載の半導体装置。
【請求項4】
前記ICフレームにおいて前記第三の突起の反対側に位置し、前記ICフレームの長手方向に並列している、半導体素子群をさらに備え、
前記半導体素子群が、複数の種類の半導体素子を有する
請求項1に記載の半導体装置。
【請求項5】
前記複数の集積回路同士が、配線により接続されている
請求項1に記載の半導体装置。
【請求項6】
前記半導体素子群を構成する半導体が、ワイドバンドギャップ半導体で形成されている
請求項4に記載の半導体装置。
【請求項7】
前記ワイドバンドギャップ半導体が、シリコンカーバイド、窒化ガリウム系材料又はダイヤモンドである
請求項6に記載の半導体装置。
発明の詳細な説明
【技術分野】
【0001】
本開示は、半導体装置に関する。
続きを表示(約 1,200 文字)
【背景技術】
【0002】
特許文献1には、2つの集積回路(IC)のチップが搭載されたリードフレームに関する技術が開示されている。このリードフレームは、ICダイボンドあるいはワイヤボンディングの工程において、ICダイボンド部を支持する突起部を1つ備える。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
国際公開2018/096573号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
上述のリードフレームは、2つのチップを搭載するため、ICダイボンド部を広くしたことで、ICダイボンド部の面積及び重量が増大している。その結果、ICダイボンドあるいはワイヤボンディングの際に、リードフレームの振動あるいは位置ずれが生じやすくなっている。
【0005】
しかし、上述のリードフレームには、ICダイボンド部を支持する突起部が1つしかないため、振動及び位置ずれを十分に抑制できない。その結果、ICダイボンド及びワイヤボンディングの精度が悪くなることで、製造効率及び製造品質が悪化する課題があった。
【0006】
本開示は上述の問題を解決するため、リードフレームの振動及び位置ずれを抑制することで、製造効率及び製造品質を改善できる半導体装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0007】
本開示の態様は、複数の集積回路と、複数の集積回路を搭載するICフレームと、封止材を備え、ICフレームが、ICフレームの長手方向に延伸する第一の突起と、ICフレームにおいて第一の突起の反対側に位置し、第一の突起と反対方向に延伸する第二の突起と、ICフレームの短手方向に延伸し、封止材に内蔵されている第三の突起と、を有する半導体装置であることが好ましい。
【発明の効果】
【0008】
本開示の態様によれば、リードフレームの振動及び位置ずれを抑制することで、製造効率及び製造品質を改善できる。
【図面の簡単な説明】
【0009】
本開示の実施の形態1に係る半導体装置を示す平面図である。
本開示の実施の形態2に係る半導体装置を示す平面図である。
本開示の実施の形態3に係る半導体装置を示す平面図である。
本開示の実施の形態4に係る半導体装置を示す平面図である。
本開示の実施の形態4に係る半導体装置との比較例を示す平面図である。
本開示の実施の形態5に係る半導体装置を示す平面図である。
【発明を実施するための形態】
【0010】
実施の形態1
図1は、本開示の実施の形態1に係る半導体装置を示す平面図である。半導体装置100は、ICフレーム1を備える。ICフレーム1は、第一方向50に長手方向を有する導電性のリードフレームである。
(【0011】以降は省略されています)
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