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公開番号2024112297
公報種別公開特許公報(A)
公開日2024-08-20
出願番号2024014368
出願日2024-02-01
発明の名称フラックス用洗浄剤組成物
出願人花王株式会社
代理人弁理士法人池内アンドパートナーズ
主分類C11D 1/72 20060101AFI20240813BHJP(動物性または植物性油,脂肪,脂肪性物質またはろう;それに由来する脂肪酸;洗浄剤;ろうそく)
要約【課題】一態様において、200℃以上の加熱処理後の変色した金属及びフラックス残渣の両方の除去性に優れるフラックス用洗浄剤組成物を提供する。
【解決手段】本開示は、一態様において、焼結工程により2つの部材間を接合した後に残存するフラックスを除去するための洗浄剤組成物であって、下記式(I)で表されるグリコールエーテル(成分A)と下記式(II)で表されるイミダゾール化合物(成分B)とを含むフラックス用洗浄剤組成物に関する。
R¹-O-(AO)_n-H (I)
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特許請求の範囲【請求項１】
下記式（Ｉ）で表されるグリコールエーテル（成分Ａ）と下記式（ＩＩ）で表されるイミダゾール化合物（成分Ｂ）とを含むフラックス用洗浄剤組成物。
Ｒ
1
－Ｏ－（ＡＯ）
n
－Ｈ（Ｉ）
式（Ｉ）において、Ｒ
1
は、フェニル基又はベンジル基を示す。ＡＯは、エチレンオキシ基（ＥＯ）又はプロピレンオキシ基（ＰＯ）を示す。ｎは、ＡＯの付加モル数であって、１以上５以下の整数を示す。
TIFF
2024112297000008.tif
40
170
式（ＩＩ）において、Ｒ
2
、Ｒ
3
、Ｒ
4
及びＲ
5
はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、フェニル基、アルデヒド基、カルボキシ基、アミノエチル基、アミノプロピル基、アセチル基、ヒドロキシエチル基又はヒドロキシプロピル基を示す。
続きを表示（約 1,000 文字）【請求項２】
成分Ａの含有量が、１０質量％以上９０質量％以下である、請求項１に記載のフラックス用洗浄剤組成物。
【請求項３】
成分Ｂの含有量が、０．５質量％以上１０質量％以下である、請求項１に記載のフラックス用洗浄剤組成物。
【請求項４】
成分Ａは、エチレングリコールモノフェニルエーテル、ジエチレングリコールモノフェニルエーテル、トリエチレングリコールモノフェニルエーテル、１－プロピレングリコールモノフェニルエーテル、及び２－プロピレングリコールモノフェニルエーテルから選ばれる少なくとも１種である、請求項１に記載のフラックス用洗浄剤組成物。
【請求項５】
成分Ｂは、イミダゾール、１－メチルイミダゾール、１－エチルイミダゾール、１－プロピルイミダゾール、１－イソプロピルイミダゾール、１－アセチルイミダゾール、１－アミノプロピルイミダゾール、１－ヒドロキシエチルイミダゾール、２－メチルイミダゾール、２－エチルイミダゾール、２－プロピルイミダゾール、２－イソプロピルイミダゾール、２－アセチルイミダゾール、２－アミノプロピルイミダゾール、２－ヒドロキシエチルイミダゾール、４－メチルイミダゾール、４－エチルイミダゾール、４－プロピルイミダゾール、４－イソプロピルイミダゾール、４－アセチルイミダゾール、４－アミノプロピルイミダゾール、４－ヒドロキシエチルイミダゾール、１，２－ジメチルイミダゾール、１－イソブチル－２－メチルイミダゾール及び２－エチル－４－メチルイミダゾールから選ばれる少なくとも１種である、請求項１に記載のフラックス用洗浄剤組成物。
【請求項６】
成分Ｂと成分Ａとの質量比（Ｂ／Ａ）が、０．００５以上１．０以下である、請求項１に記載のフラックス用洗浄剤組成物。
【請求項７】
水（成分Ｃ）を含む、請求項１に記載のフラックス用洗浄剤組成物。
【請求項８】
成分Ｃの含有量が、０．５％質量以上２０質量％以下である、請求項７に記載のフラックス用洗浄剤組成物。
【請求項９】
請求項１に記載の洗浄剤組成物からなるフラックス残渣洗浄除去剤組成物。
【請求項１０】
被洗浄物を、請求項１から８のいずれかに記載の洗浄剤組成物で洗浄する洗浄工程を含み、前記被洗浄物は２００℃以上に加熱する工程を経たフラックス残渣を有する基板である、洗浄方法。
（【請求項１１】以降は省略されています）
発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本開示は、フラックス用洗浄剤組成物、及び該洗浄剤組成物を用いた洗浄方法に関する。
続きを表示（約 2,000 文字）【背景技術】
【０００２】
半導体パッケージ等の電子基板の回路を形成する電極には、製造コストを低減する為に、銅、銅合金等の金属が用いられている。
【０００３】
プリント配線板の実装方法として、実装密度を向上させた表面実装が広く採用されている。実装密度を向上するために、基板上の配線と電子素子の端子間にナノ金属ペーストを塗布し、加熱によりナノ金属を溶融及び固化させ、基板上の配線と電子素子の端子間を結合させる技術が知られている。
例えば、特許文献１には、特定の銀微粒子と特定の銀粉と珪素含有トリアジン化合物とを含み、さらに沸点が１００～３００℃の酸無水物であるカルボン酸化合物を焼結助剤として含むペースト組成物からなるダイアタッチ材料を介して接着し、基板上に固定された半導体素子が開示されている。同文献の００５１段落には、カルボン酸化合物の沸点が３００℃を超えると、焼結の際に揮発せず膜中にフラックス成分（有機酸等の有機物）が残存することとなるので好ましくないことが開示されている。
【０００４】
一方、はんだ付け後の電子部品のはんだフラックスを洗浄する技術が知られている。例えば、特許文献２には、全体量に対して、グリコール化合物の含有量が１重量％未満の場合には、ベンジルアルコールの含有量を７０～９９．９重量％の範囲およびアミノアルコールの含有量を０．１～３０重量％の範囲とし、グリコール化合物の含有量が１～４０重量％の場合には、ベンジルアルコールの含有量を１５～９９重量％の範囲およびアミノアルコールの含有量を０．１～３０重量％の範囲とすることを特徴とする半田フラックス除去用洗浄剤が開示されている。
【０００５】
銅等の金属用の洗浄液として、例えば、特許文献３には、有機溶剤と、水と、錯生成剤と、分散剤とを含む金属ナノインク用洗浄剤が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
特開２０２０－３５７２１号公報
国際公開第２００５／０２１７００号
特開２０１６－５６３１９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
酸（フラックス成分）を含むナノ金属ペーストを塗布し、加熱によりナノ金属を溶融及び固化させて、基板上の配線と電子素子の端子間を結合させる際には、金属を溶融させるために基板を２００℃以上の高温で保持する工程が必要となる。この工程を経た基板上に酸を主成分とするフラックス残渣が残存すると、これを洗浄する必要がある。しかしながら、特許文献２のはんだフラックス用洗浄剤では、２００℃以上の高温で保持する工程を経た酸を主成分とするフラックス残渣に対する洗浄性（フラックス残渣除去性）が十分ではない。
また、基板表面や金属部材の金属の種類によっては、２００℃以上の高温で保持することによって表面が酸化して変色する場合がある。そのため、２００℃以上の加熱処理により変色した部分、すなわち、酸化した金属（金属酸化物）を除去できる洗浄剤組成物が求められる。しかしながら、特許文献３の金属ナノインク用洗浄剤では、加熱処理により酸化した金属の除去性が十分でない。
【０００８】
そこで、本開示は、２００℃以上の加熱処理後の変色した金属及びフラックス残渣の両方の除去性に優れるフラックス用洗浄剤組成物及び洗浄方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本開示は、一態様において、下記式（Ｉ）で表されるグリコールエーテル（成分Ａ）と下記式（ＩＩ）で表されるイミダゾール化合物（成分Ｂ）とを含むフラックス用洗浄剤組成物に関する。
Ｒ
1
－Ｏ－（ＡＯ）
n
－Ｈ（Ｉ）
式（Ｉ）において、Ｒ
1
は、フェニル基又はベンジル基を示す。ＡＯは、エチレンオキシ基（ＥＯ）又はプロピレンオキシ基（ＰＯ）を示す。ｎは、ＡＯの付加モル数であって、１以上５以下の整数を示す。
TIFF
2024112297000001.tif
40
170
式（ＩＩ）において、Ｒ
2
、Ｒ
3
、Ｒ
4
及びＲ
5
はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、フェニル基、アルデヒド基、カルボキシ基、アミノエチル基、アミノプロピル基、アセチル基、ヒドロキシエチル基又はヒドロキシプロピル基を示す。
【００１０】
本開示は、一態様において、本開示の洗浄剤組成物からなるフラックス残渣洗浄除去剤組成物に関する。
（【００１１】以降は省略されています）

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