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公開番号2024086763
公報種別公開特許公報(A)
公開日2024-06-28
出願番号2024059556,2022185644
出願日2024-04-02,2018-01-10
発明の名称表示装置
出願人株式会社半導体エネルギー研究所
代理人
主分類G02F 1/1368 20060101AFI20240621BHJP(光学)
要約【課題】大型化に適した表示装置を実現する。高解像度な表示装置を提供する。
【解決手段】表示装置は、隣接する2本のゲート線に、同じ選択信号を供給する構成とす
る。さらに、列方向に隣接する2つの画素は、それぞれ異なるソース線を接続する構成と
する。また、2本のソース線のうち、一方のソース線を、画素電極として機能する導電層
と重ねて配置する。さらに、2本のソース線の間に、トランジスタの半導体層の一部が設
けられる構成とする。
【選択図】図1
特許請求の範囲【請求項１】
複数の画素がマトリクス状に配列した表示領域を有し、
前記表示領域において、複数のソース線が均等に配置され、
一つの列ごとに、前記複数のソース線のうち２本のソース線が配列した構成を有する表示装置であって、
第１乃至第４の画素を有し、
前記第１の画素と前記第２の画素は、列方向に隣接し、
前記第３の画素と前記第４の画素は、列方向に隣接し、
前記第１の画素と前記第３の画素は、行方向に隣接し、
前記第２の画素と前記第４の画素は、行方向に隣接し、
前記第１の画素は、第１のトランジスタと、第１の導電層を有し、
前記第２の画素は、第２のトランジスタと、第２の導電層を有し、
前記第３の画素は、第３のトランジスタと、第３の導電層を有し、
前記第４の画素は、第４のトランジスタと、第４の導電層を有し、
前記第１の導電層は、画素電極として機能する領域を有し、
前記第２の導電層は、画素電極として機能する領域を有し、
前記第３の導電層は、画素電極として機能する領域を有し、
前記第４の導電層は、画素電極として機能する領域を有し、
前記第１のトランジスタのゲートは、第１の配線と電気的に接続され、
前記第２のトランジスタのゲートは、第２の配線と電気的に接続され、
前記第３のトランジスタのゲートは、前記第１の配線と電気的に接続され、
前記第４のトランジスタのゲートは、前記第２の配線と電気的に接続され、
前記第１のトランジスタのソース又はドレインの一方は、第３の配線と電気的に接続され、
前記第２のトランジスタのソース又はドレインの一方は、第４の配線と電気的に接続され、
前記第３のトランジスタのソース又はドレインの一方は、第５の配線と電気的に接続され、
前記第４のトランジスタのソース又はドレインの一方は、第６の配線と電気的に接続され、
前記第１のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第１の導電層と電気的に接続され、
前記第２のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第２の導電層と電気的に接続され、
前記第３のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第３の導電層と電気的に接続され、
前記第４のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第４の導電層と電気的に接続され、
前記第１の導電層は、前記第４の配線と重なる領域を有し且つ前記第３の配線と重ならず、
前記第２の導電層は、前記第４の配線と重なる領域を有し且つ前記第３の配線と重ならず、
前記第３の導電層は、前記第６の配線と重なる領域を有し且つ前記第５の配線と重ならず、
前記第４の導電層は、前記第６の配線と重なる領域を有し且つ前記第５の配線と重ならず、
前記第４の配線は、前記第３の配線と前記第６の配線との間の領域を有し、
前記第６の配線は、前記第４の配線と前記第５の配線との間の領域を有する、表示装置。
続きを表示（約 68 文字）【請求項２】
請求項１において、
前記第１の導電層乃至前記第４の導電層は、それぞれ可視光を透過する、表示装置。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明の一態様は、表示装置に関する。
続きを表示（約 1,500 文字）【０００２】
なお、本発明の一態様は、上記の技術分野に限定されない。本明細書等で開示する本発
明の一態様の技術分野としては、半導体装置、表示装置、発光装置、蓄電装置、記憶装置
、電子機器、照明装置、入力装置、入出力装置、それらの駆動方法、又はそれらの製造方
法、を一例として挙げることができる。
【０００３】
なお、本明細書等において、半導体装置とは、半導体特性を利用することで機能しうる
装置全般を指す。トランジスタ、半導体回路、演算装置、記憶装置等は半導体装置の一態
様である。また、撮像装置、電気光学装置、発電装置（薄膜太陽電池、有機薄膜太陽電池
等を含む）、及び電子機器は半導体装置を有している場合がある。
【背景技術】
【０００４】
近年、高解像度の表示装置が求められている。例えば家庭用のテレビジョン装置（テレ
ビ、またはテレビジョン受信機ともいう）では、解像度がフルハイビジョン（画素数１９
２０×１０８０）であるものが主流となっているが、４Ｋ（画素数３８４０×２１６０）
や、８Ｋ（画素数７６８０×４３２０）のように、高解像度な表示装置の開発が進められ
ている。
【０００５】
また、表示装置の一つに、液晶表示装置が知られている。透過型の液晶表示装置は、液
晶の光学変調作用を利用してバックライトからの光の透過量を制御することでコントラス
トを表現し、画像表示を行うものである。
【０００６】
また、電界効果トランジスタの一種として、絶縁表面を有する基板上に形成された半導
体膜を用いてチャネル領域が形成される薄膜トランジスタが知られている。特許文献１に
は、薄膜トランジスタのチャネル領域に用いられる半導体膜に、非晶質シリコンを用いる
技術が開示されている。例えば液晶表示装置の場合、薄膜トランジスタは各画素のスイッ
チングトランジスタとして用いられる。
【０００７】
画素電極の各々に接続するスイッチング素子として、金属酸化物をチャネル形成領域と
するトランジスタを用いるアクティブマトリクス型液晶表示装置が知られている（特許文
献２及び特許文献３）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
特開２００１－０５３２８３号公報
特開２００７－１２３８６１号公報
特開２００７－９６０５５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
非晶質シリコン（以下、アモルファスシリコンともいう）や金属酸化物（酸化物半導体
ともいう）を用いたトランジスタは、多結晶シリコンを用いたトランジスタ等に比べ、生
産性が高く、大型の基板で作製しやすいといった利点がある。一方、多結晶シリコンを用
いたトランジスタに比べ電界効果移動度を高くすることが困難であり、トランジスタに接
続される負荷が大きい場合には、高い駆動周波数で動作させることが難しい場合がある。
【００１０】
テレビジョン装置やモニタ装置、デジタルサイネージなどの用途において、大画面化が
求められている。また、滑らかな動画表示を行うために、フレーム周波数を高めることが
求められている。しかしながら、解像度が高いほど、または画面サイズが大きいほど、負
荷の増大が顕著となり、高いフレーム周波数で動作させることが困難な場合がある。
（【００１１】以降は省略されています）

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