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公開番号2024058208
公報種別公開特許公報(A)
公開日2024-04-25
出願番号2022165426
出願日2022-10-14
発明の名称半導体装置、センサ及び半導体装置の製造方法
出願人ローム株式会社
代理人弁理士法人深見特許事務所
主分類H01L 33/62 20100101AFI20240418BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】半導体素子の位置ずれを防止しつつ半導体素子の放熱性を確保することが可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体素子は、基板と、半導体素子とを備える。基板は、基材と、基材上に配置されている導体パターンとを有する。導体パターンは、ダイパッド部と、第1接続部及び第2接続部とを有する。ダイパッド部は、平面視において、第1方向における両端である第1端及び第2端と、第1方向に直交する第2方向における両端である第3端及び第4端とを有する。ダイパッド部の外周は、平面視において、第2方向に沿って延在している第1辺及び第2辺と、第1方向に沿って延在している第3辺及び第4辺とを有する。第1辺及び第2辺は、それぞれ第1端及び第2端を構成している。第3辺及び第4辺は、それぞれ第3端及び第4端を構成している。第1辺及び第2辺の一方には、第1辺及び第2辺の他方に向かって凹む凹部が形成されている。
【選択図】図1
特許請求の範囲【請求項１】
基板と、
半導体素子とを備え、
前記基板は、基材と、前記基材上に配置されている導体パターンとを有し、
前記導体パターンは、ダイパッド部と、第１接続部及び第２接続部とを有し、
前記ダイパッド部は、平面視において、第１方向における両端である第１端及び第２端と、前記第１方向に直交する第２方向における両端である第３端及び第４端とを有し、
前記ダイパッド部の外周は、平面視において、前記第２方向に沿って延在している第１辺及び第２辺と、前記第１方向に沿って延在している第３辺及び第４辺とを有し、
前記第１辺及び前記第２辺は、それぞれ前記第１端及び前記第２端を構成しており、
前記第３辺及び前記第４辺は、それぞれ前記第３端及び前記第４端を構成しており、
前記第１辺及び前記第２辺の一方には、前記第１辺及び前記第２辺の他方に向かって凹む凹部が形成されており、
前記第１接続部及び前記第２接続部は、それぞれ前記第２辺と前記第３辺とが連なる前記外周の第１角部及び前記第２辺と前記第４辺とが連なる前記外周の第２角部に接続されており、
前記半導体素子は、平面視において前記第１辺又は前記第２辺と前記凹部の底部との間に位置するように前記ダイパッド部上に配置されている、半導体装置。
続きを表示（約 810 文字）【請求項２】
前記凹部は、前記第２辺に形成されている、請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記第１方向における前記第１辺又は前記第２辺と前記底部との間の距離から前記第１方向における前記半導体素子の幅を減じた値は、０．０５ｍｍ以上０．４０ｍｍ以下である、請求項１に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記凹部は、平面視において、矩形状、三角形状又は部分円状である、請求項１に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記半導体素子は、ＬＥＤである、請求項１～請求項４のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項６】
請求項５に記載の前記半導体装置と、
受光素子とを備え、
前記受光素子は、前記ＬＥＤからの光を受光するように配置されている、センサ。
【請求項７】
基材及び前記基材上に配置されている導体層を有する基板を準備する工程と、
前記導体層をパターンニングすることによりダイパッド部を有する導体パターンを形成する工程と、
前記ダイパッド部上に半導体素子を搭載する工程とを備え、
前記ダイパッド部は、平面視において、第１方向における両端である第１端及び第２端を有し、
前記ダイパッド部の外周は、平面視において、前記第１方向に直交する第２方向に沿って延在しており、前記第１端を構成している第１辺と、前記第２方向に沿って延在しており、かつ前記第２端を構成している第２辺とを有し、
前記導体層をパターンニングすることにより前記ダイパッド部を形成する際に、前記第１辺及び前記第２辺の一方には、前記第１辺及び前記第２辺の他方に向かって凹む凹部が形成され、
前記半導体素子は、平面視において前記第１辺又は前記第２辺と前記凹部の底部との間に位置するように配置される、半導体装置の製造方法。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本開示は、半導体装置、センサ及び半導体装置の製造方法に関する。
続きを表示（約 2,000 文字）【背景技術】
【０００２】
例えば特開２０１２－２５３３６０号公報（特許文献１）には、半導体装置が記載されている。特許文献１に記載の半導体装置は、基材及び基材上に配置されている導体パターンを有する基板と、ＬＥＤ（Light Emitting Diode）素子とを有している。
【０００３】
導体パターンは、基材上に配置されている。導体パターンは、拡張部と、第１接続部及び第２接続部とを有している。拡張部は、平面視において、矩形状である。より具体的には、拡張部は、平面視において、第１方向における両端である第１端及び第２端と、第１方向に直交する第２方向における両端である第３端及び第４端とを有している。ダイパッド部の外周は、平面視において、第２方向に沿って延在している第１辺及び第２辺と、第１方向に沿って延在している第３辺及び第４辺とを有している。第１辺及び第２辺はそれぞれ第１端及び第２端を構成しており、第３辺及び第４辺はそれぞれ第３端及び第４端を構成している。
【０００４】
第１接続部及び第２接続部は、第２辺と第３辺とが連なるダイパッド部の角部及び第２辺と第４辺とが連なるダイパッド部の角部にそれぞれ接続されている。ＬＥＤ素子は、接続材（銀ペースト等）を介在させて拡張部上に配置されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
特開２０１２－２５３３６０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
特許文献１に記載の半導体装置では、拡張部からの放熱経路が確保されており、ＬＥＤ素子の放熱性が確保されている。しかしながら、特許文献１に記載の半導体装置では、第１方向における拡張部の幅が大きく、第１方向におけるＬＥＤ素子の位置がずれてしまうことがある。
【０００７】
本開示は、上記のような従来技術の問題点に鑑みてなされたものである。より具体的には、本開示は、半導体素子の位置ずれを防止しつつ半導体素子の放熱性を確保することが可能な半導体装置を提供するものである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本開示の半導体装置は、基板と、半導体素子とを備える。基板は、基材と、基材上に配置されている導体パターンとを有する。導体パターンは、ダイパッド部と、第１接続部及び第２接続部とを有する。ダイパッド部は、平面視において、第１方向における両端である第１端及び第２端と、第１方向に直交する第２方向における両端である第３端及び第４端とを有する。ダイパッド部の外周は、平面視において、第２方向に沿って延在している第１辺及び第２辺と、第１方向に沿って延在している第３辺及び第４辺とを有する。第１辺及び第２辺は、それぞれ第１端及び第２端を構成している。第３辺及び第４辺は、それぞれ第３端及び第４端を構成している。第１辺及び第２辺の一方には、第１辺及び第２辺の他方に向かって凹む凹部が形成されている。第１接続部及び第２接続部は、それぞれ第２辺と第３辺とが連なる外周の第１角部及び第２辺と第４辺とが連なる外周の第２角部に接続されている。半導体素子は、平面視において第１辺又は第２辺と凹部の底部との間に位置するようにダイパッド部上に配置されている。
【発明の効果】
【０００９】
本開示の半導体装置によると、半導体素子の位置ずれを防止しつつ半導体素子の放熱性を確保することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
半導体装置１００の平面図である。
半導体装置１００の底面図である。
図１中のＩＩＩ－ＩＩＩにおける断面図である。
センサ２００の模式図である。
変形例１に係る半導体装置１００の平面図である。
変形例２に係る半導体装置１００の平面図である。
変形例３に係る半導体装置１００の平面図である。
半導体装置１００の製造方法を示す工程図である。
準備工程Ｓ１を説明する断面図である。
導体層パターンニング工程Ｓ２を説明する平面図である。
導体層パターンニング工程Ｓ２を説明する底面図である。
半導体素子搭載工程Ｓ３を説明する平面図である。
ワイヤボンディング工程Ｓ４を説明する平面図である。
レジスト形成工程Ｓ５を説明する平面図である。
樹脂封止工程Ｓ６を説明する断面図である。
半導体装置１００Ａの平面図である。
半導体装置１００Ｂの平面図である。
【発明を実施するための形態】
（【００１１】以降は省略されています）

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