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公開番号2024051370
公報種別公開特許公報(A)
公開日2024-04-11
出願番号2022157501
出願日2022-09-30
発明の名称半導体装置製造方法および太陽電池製造方法
出願人株式会社カネカ
代理人個人,個人
主分類H01L 21/306 20060101AFI20240404BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】異物の付着による効率低下を抑制できる半導体装置製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明の一態様に係る半導体装置製造方法は、半導体基板を、アルカリ液に浸漬する工程と、前記半導体基板を、酸化剤を含有し、pHが4未満である酸性酸化液に浸漬する工程と、前記半導体基板を、酸化剤を含有し、pHが6以上8以下である中性酸化液に浸漬する工程と、前記半導体基板を、酸化膜除去液に浸漬する工程と、をこの順番に備える。
【選択図】図2
特許請求の範囲【請求項1】
半導体基板を、アルカリ液に浸漬する工程と、
前記半導体基板を、酸化剤を含有し、pHが4未満である酸性酸化液に浸漬する工程と、
前記半導体基板を、酸化剤を含有し、pHが6以上8以下である中性酸化液に浸漬する工程と、
前記半導体基板を、酸化膜除去液に浸漬する工程と、
をこの順番に備える、半導体装置製造方法。
続きを表示(約 610 文字)【請求項2】
前記酸性酸化液は、塩酸オゾン水、硫酸オゾン水、塩酸過酸化水素水、硫酸過酸化水素水または硝酸である、請求項1に記載の半導体装置製造方法。
【請求項3】
前記酸性酸化液は、10ppm以上120ppm以下のオゾンを含有する、請求項1に記載の半導体装置製造方法。
【請求項4】
前記中性酸化液は、オゾン水または過酸化水素水のいずれかである、請求項1または2に記載の半導体装置製造方法。
【請求項5】
前記中性酸化液は、10ppm以上120ppm以下のオゾンを含有する、請求項1または2に記載の半導体装置製造方法。
【請求項6】
前記アルカリ液は、無機アルカリ水溶液である、請求項1または2に記載の半導体装置製造方法。
【請求項7】
前記酸化膜除去液は、フッ化水素酸、フッ化アンモニウムまたはそれらの混合物である、請求項1または2に記載の半導体装置製造方法。
【請求項8】
前記酸化膜除去液は、濃度0.5%以上10%以下のフッ化水素酸である、請求項1または2に記載の半導体装置製造方法。
【請求項9】
請求項1または2に記載の半導体装置製造方法により前記半導体基板にラミッド状の凹凸を有するテクスチャを形成する工程と、
前記半導体基板に光電変換構造を形成する工程と、を備える、太陽電池製造方法。

発明の詳細な説明【技術分野】
【0001】
本発明は、半導体装置製造方法および太陽電池製造方法に関する。
続きを表示(約 1,100 文字)【背景技術】
【0002】
半導体基板を用いる太陽電池等の半導体装置を製造する過程において、半導体基板の内部への光の入射率を向上するために半導体基板の表面全体にピラミッド状の凹凸を形成する異方性エッチングなど、半導体基板をアルカリ液に浸漬する処理が行われる。このようなアルカリ処理の後には、酸化剤を含む酸化液に浸漬して半導体基板の表面を酸化し、酸化膜除去液により酸化膜を除去することで、半導体基板の表面を清浄化することが一般的である(例えば特許文献1参照)。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
特開2014-82285号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
半導体基板を酸化液に浸漬する際、pHが低い酸性の酸化液を用いることにより、金属元素をイオン化し、半導体基板の表面の金属を除去できることが知られている。また、酸性の酸化液を用いることで、半導体基板の表面に残留しているアルカリ液を中和し、アルカリ液に起因する酸化膜の形成不良を防止する効果も得られるとされている。しかしながら、酸性の酸化液を用いると、半導体基板の表面に異物粒子が付着し、太陽電池の効率を低下させる場合があることが確認された。
【0005】
そこで、本発明は、異物の付着による効率低下を抑制できる半導体装置製造方法および太陽電池製造方法を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【0006】
本発明の一態様に係る半導体装置製造方法は、半導体基板を、アルカリ液に浸漬する工程と、前記半導体基板を、酸化剤を含有し、pHが4未満である酸性酸化液に浸漬する工程と、前記半導体基板を、酸化剤を含有し、pHが6以上8以下である中性酸化液に浸漬する工程と、前記半導体基板を、酸化膜除去液に浸漬する工程と、をこの順番に備える。
【0007】
上述の半導体装置製造方法において、前記酸性酸化液は、塩酸オゾン水、硫酸オゾン水、塩酸過酸化水素水、硫酸過酸化水素水または硝酸であってもよい。
【0008】
上述の半導体装置製造方法において、前記酸性酸化液は、10ppm以上120ppm以下のオゾンを含有してもよい。
【0009】
上述の半導体装置製造方法において、前記中性酸化液は、オゾン水または過酸化水素水のいずれかであってもよい。
【0010】
上述の半導体装置製造方法において、前記中性酸化液は、10ppm以上120ppm以下のオゾンを含有してもよい。
(【0011】以降は省略されています)

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