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公開番号
2025133891
公報種別
公開特許公報(A)
公開日
2025-09-11
出願番号
2025113843,2024108940
出願日
2025-07-04,2013-11-27
発明の名称
表示装置
出願人
株式会社半導体エネルギー研究所
代理人
主分類
H10D
30/67 20250101AFI20250904BHJP()
要約
【課題】新規な表示装置を提供する。
【解決手段】画素部と、画素部の外側に配置された駆動回路部と、画素部または駆動回路
部のいずれか一方または双方に電気的に接続され、一対の電極を含む保護回路と、を有し
、画素部は、マトリクス状に配置された画素電極と、画素電極に電気的に接続されたトラ
ンジスタと、を有し、トランジスタは、窒素とシリコンを含む第1の絶縁層と、酸素と窒
素とシリコンを含む第2の絶縁層と、を有し、保護回路が、一対の電極の間に第1の絶縁
層を有する。
【選択図】図6
特許請求の範囲
【請求項1】
画素部と、保護回路と、を有する表示装置であって、
平面視において、前記保護回路は、前記画素部の外側に配置され、
前記画素部は、第1のトランジスタと、第2のトランジスタと、発光素子と、を有し、
前記第1のトランジスタのゲートは、走査線と電気的に接続され、
前記第1のトランジスタのソース又はドレインの一方は、データ線と電気的に接続され、
前記第1のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第2のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第2のトランジスタのソース又はドレインの一方は、電源線と電気的に接続され、
前記第2のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記発光素子と電気的に接続され、
前記保護回路は、酸化物半導体層を有し、
前記酸化物半導体層は、第1の導電層と接する第1の領域と、第2の導電層と接する第2の領域と、を有し、
前記第1の導電層は、前記データ線と電気的に接続され、
前記第2の導電層は、前記電源線と電気的に接続され、
平面視において、前記酸化物半導体層はミアンダ形状を有する、表示装置。
続きを表示(約 630 文字)
【請求項2】
画素部と、保護回路と、駆動回路と、を有する表示装置であって、
平面視において、前記保護回路は、前記画素部と前記駆動回路との間の領域に配置され、
前記画素部は、第1のトランジスタと、第2のトランジスタと、発光素子と、を有し、
前記第1のトランジスタのゲートは、走査線と電気的に接続され、
前記第1のトランジスタのソース又はドレインの一方は、データ線と電気的に接続され、
前記第1のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第2のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第2のトランジスタのソース又はドレインの一方は、電源線と電気的に接続され、
前記第2のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記発光素子と電気的に接続され、
前記駆動回路は、前記データ線に信号を出力する機能を有し、
前記保護回路は、酸化物半導体層を有し、
前記酸化物半導体層は、第1の導電層と接する第1の領域と、第2の導電層と接する第2の領域と、を有し、
前記第1の導電層は、前記データ線と電気的に接続され、
前記第2の導電層は、前記電源線と電気的に接続され、
平面視において、前記酸化物半導体層はミアンダ形状を有する、表示装置。
【請求項3】
請求項1又は請求項2において、
前記酸化物半導体層は酸化インジウムを有する、表示装置。
発明の詳細な説明
【技術分野】
【0001】
本発明は、物、方法、製造方法、プロセス、マシーン、マニュファクチャー、または、
組成物(コンポジション オブ マター)に関する。特に、本発明は、例えば、半導体装
置、表示装置、発光装置、電子機器、それらの駆動方法、または、それらの製造方法に関
する。特に、本発明は、例えば、酸化物半導体を有する半導体装置、表示装置、電子機器
、または、発光装置に関する。
続きを表示(約 2,500 文字)
【0002】
なお、表示装置とは、表示素子を有する装置のことをいう。なお、表示装置は、複数の
画素を駆動させる駆動回路等を含む。なお、表示装置は、別の基板上に配置された制御回
路、電源回路、信号生成回路等を含む。
【背景技術】
【0003】
液晶表示装置に代表される表示装置は、近年の技術革新の結果、素子及び配線の微細化
が進み、量産技術も各段に進歩してきている。今後はより、製造歩留まりの向上を図るこ
とで、低コストを図ることが求められている。
【0004】
表示装置に静電気等によるサージ電圧が印加されると、素子が破壊してしまい、正常な
表示ができなくなる。そのため、製造歩留まりが悪化するおそれがある。その対策として
、表示装置には、サージ電圧を別の配線に逃がすための保護回路が設けられている(例え
ば特許文献1乃至7を参照)。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0005】
特開2010-92036号公報
特開2010-92037号公報
特開2010-97203号公報
特開2010-97204号公報
特開2010-107976号公報
特開2010-107977号公報
特開2010-113346号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0006】
表示装置では、保護回路に代表されるように、信頼性の向上を目的とした構成が重要で
ある。
【0007】
そこで、本発明の一態様では、信頼性を向上しうる、新規な構成の表示装置を提供する
ことを課題の一とする。または、本発明の一態様では、静電破壊を低減することができる
、新規な構成の表示装置を提供することを課題の一とする。または、本発明の一態様では
、静電気の影響を低減することができる、新規な構成の表示装置を提供することを課題の
一とする。または、本発明の一態様では、壊れにくい、新規な構成の表示装置を提供する
ことを課題の一とする。または、本発明の一態様では、ラビング工程において、トランジ
スタに与える影響を低減することができる、新規な構成の表示装置を提供することを課題
の一とする。または、本発明の一態様では、検査工程において、トランジスタに与える影
響を低減することができる、新規な構成の表示装置を提供することを課題の一とする。ま
たは、本発明の一態様では、タッチセンサを使用したときの不具合の影響を低減すること
ができる、新規な構成の表示装置を提供することを課題の一とする。または、本発明の一
態様では、トランジスタの特性の変動または劣化を低減することができる、新規な構成の
表示装置を提供することを課題の一とする。または、本発明の一態様では、トランジスタ
のしきい値電圧の変動または劣化を低減することができる、新規な構成の表示装置を提供
することを課題の一とする。または、本発明の一態様では、トランジスタのノーマリオン
状態を低減することができる、新規な構成の表示装置を提供することを課題の一とする。
または、本発明の一態様では、トランジスタの製造歩留まりを向上することができる、新
規な構成の表示装置を提供することを課題の一とする。または、本発明の一態様では、ト
ランジスタをシールドすることができる、新規な構成の表示装置を提供することを課題の
一とする。または、本発明の一態様では、画素電極に溜まった電荷を放電することができ
る、新規な構成の表示装置を提供することを課題の一とする。または、本発明の一態様で
は、配線に溜まった電荷を放電することができる、新規な構成の表示装置を提供すること
を課題の一とする。または、本発明の一態様では、導電率の向上した酸化物半導体層を有
する、新規な構成の表示装置を提供することを課題の一とする。または、本発明の一態様
では、酸化物半導体層の導電率を制御することができる、新規な構成の表示装置を提供す
ることを課題の一とする。または、本発明の一態様では、ゲート絶縁膜の導電率を制御す
ることができる、新規な構成の表示装置を提供することを課題の一とする。または、本発
明の一態様では、正常な表示が出来やすくすることができる、新規な構成の表示装置を提
供することを課題の一とする。
【0008】
なお、これらの課題の記載は、他の課題の存在を妨げるものではない。なお、本発明の
一態様は、これらの課題の全てを解決する必要はないものとする。なお、上記以外の課題
は、明細書、図面、請求項などの記載から、自ずと明らかとなるものであり、明細書、図
面、請求項などの記載から、上記以外の課題を抽出することが可能である。
【課題を解決するための手段】
【0009】
本発明の一態様は、画素部と、画素部の外側に配置された駆動回路部と、画素部または
駆動回路部のいずれか一方または双方に電気的に接続され、一対の電極を含む保護回路と
、を有し、画素部は、マトリクス状に配置された画素電極と、画素電極に電気的に接続さ
れたトランジスタと、を有し、トランジスタは、窒素とシリコンを含む第1の絶縁層と、
酸素と窒素とシリコンを含む第2の絶縁層と、を有し、保護回路が、一対の電極の間に第
1の絶縁層を有する表示装置である。
【発明の効果】
【0010】
本発明の一態様により、表示装置の信頼性を高めることができる。
【図面の簡単な説明】
(【0011】以降は省略されています)
この特許をJ-PlatPat(特許庁公式サイト)で参照する
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